Киров октябрьский проспект 102: адрес, телефон, режим работы, сайт, как добраться, отзывы

Содержание

адрес, телефон, режим работы, сайт, как добраться, отзывы

‘; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-4’, blockId: ‘R-A-644425-4’ }) }) } else { document.getElementById(«content1″).innerHTML = »; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-1’, blockId: ‘R-A-644425-1’ }) }) }

Контакты

Адрес: Россия, Киров, Октябрьский проспект, 102

Телефон: +7 (964) 250-54-25

Режим работы: пн-пт 10:00–18:00; сб 10:00–16:00

Сайт: не указан

GPS координаты: 49.659022, 58.589452

Категория: Товары для дома Киров

GreenWay, Киров, Октябрьский проспект, 102 на карте

Используйте интерактивную карту ниже, чтобы посмотреть, где находится, и как добраться до GreenWay, Киров, Октябрьский проспект, 102.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:

‘; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-5’, blockId: ‘R-A-644425-5’ }) }) } else { document.getElementById(«content3″).innerHTML = »; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-2’, blockId: ‘R-A-644425-2’ }) }) }

Супер колесо, Октябрьский проспект, 102, Сыктывкар

Супер колесо, Октябрьский проспект, 102, Сыктывкар — дилер Nokian Tyres / Nokian Tyres {{#suggestions.length}}
Популярные поисковые запросы:
{{#suggestions}} {{title}} {{/suggestions}} {{/suggestions.expander.close}}-{{/expander.close}}

{{/children.length}} {{/href}} {{#children.length}} {{/children.length}} {{/children}} {{/children.length}} {{/.}}

Балтийский лизинг, ООО в Кирове, Октябрьский проспект, 104: телефон, режим работы

Режим работы

пн–пт 08:00–12:00,13:00–17:00

ПонедельникВторникСредаЧетвергПятница
Суббота
Воскресенье
08:00–12:00
13:00–17:00
08:00–12:00
13:00–17:00
08:00–12:00
13:00–17:00
08:00–12:00
13:00–17:00
08:00–12:00
13:00–17:00
выходной выходной

Рекомендуем позвонить по номеру 8‒800‒222‒0‒555, чтобы уточнить время работы и как доехать до адреса: Октябрьский проспект, 104.

Как доехать до Октябрьский Проспект в Октябрьский Район на автобусе?

Общественный транспорт до Октябрьский Проспект в Октябрьский Район

Не знаете, как доехать до Октябрьский Проспект в Октябрьский Район, Россия? Moovit поможет вам найти лучший способ добраться до Октябрьский Проспект от ближайшей остановки общественного транспорта, используя пошаговые инструкции.

Moovit предлагает бесплатные карты и навигацию в режиме реального времени, чтобы помочь вам сориентироваться в городе. Открывайте расписания, поездки, часы работы, и узнайте, сколько займет дорога до Октябрьский Проспект с учетом данных Реального Времени.

Ищете остановку или станцию около Октябрьский Проспект? Проверьте список ближайших остановок к пункту назначения: Октябрьский Проспект; Библиотека Имени Пушкина; Транспортное Агентство; Площадь Имени Лепсе; Гуманитарный Университет; Ул. Чапаева.

Вы можете доехать до Октябрьский Проспект на автобусе. У этих линий и маршрутов есть остановки поблизости: (Автобус) 15, 53, 54, 9, 90

Хотите проверить, нет ли другого пути, который поможет вам добраться быстрее? Moovit помогает найти альтернативные варианты маршрутов и времени. Получите инструкции, как легко доехать до или от Октябрьский Проспект с помощью приложения или сайте Moovit.

С нами добраться до Октябрьский Проспект проще простого, именно поэтому более 930 млн. пользователей доверяют Moovit как лучшему транспортному приложению. Включая жителей Октябрьский Район! Не нужно устанавливать отдельное приложение для автобуса и отдельное приложение для метро, Moovit — ваше универсальное транспортное приложение, которое поможет вам найти самые обновленные расписания автобусов и метро.

(PDF) Спиртовое биотопливо для двигателей внутреннего сгорания

IOP Conf. Серия: Земля и экология 548 (2020) 062041

Спиртовое биотопливо для двигателя внутреннего сгорания

Лиханов В.А., Лопатин О.П. , 133, Российская Федерация

1 E-mail: [email protected]

Аннотация. Использование спиртового биотоплива (ДВ) для двигателей внутреннего сгорания (ДВС) оправдано.

Проанализированы возможные варианты использования метанола (Ch4OH), этанола (C2H5OH), бутанола (С4Н9ОН) и метилового эфира

. Приведены экспериментальные характеристики этих спиртов и сложных эфиров

и доказано их экологическое преимущество по отношению к дизельному топливу (ДТ).

Все более ухудшающаяся экологическая ситуация в мире, особенно в крупных населенных пунктах,

вынуждает развитые страны вводить нормативные ограничения на выбросы токсичности и дыма от

транспортных средств.Например, в России на автотранспорт приходится 90% от общего объема

вредных веществ, поступающих со всех видов транспорта. Таким образом, проблемы экологической безопасности автомобильного транспорта

являются неотъемлемой частью экологической безопасности страны. Значимость и серьезность

этой проблемы растет с каждым годом. В инфраструктуре транспортной отрасли России

, около 5 тысяч крупных и средних автотранспортных компаний, занимающихся пассажирскими и

грузовыми перевозками.Смена владельцев и видов деятельности не оказывает значительного воздействия на окружающую среду. Выбросы автомобиля

увеличиваются в среднем на 5% в год. В крупных мегаполисах это значение достигает 10%

[1-9].

Каждый автомобиль выбрасывает в атмосферу более 200 различных компонентов с помощью EG. Вредные вещества

, содержащиеся в ЭГ, распространяются и трансформируются в атмосфере по определенным схемам

. Твердые частицы оседают на подстилающих поверхностях под действием гравитационных сил.

мелких частиц и примесей в виде общих углеводородов (СxНy) распространяются в атмосфере путем диффузии

и участвуют в физико-химическом взаимодействии на локальных территориях в определенных регионах.

Поэтому нормы постоянно обновляются не только в стране, но и в рамках

Экономической комиссии ООН для Европы. Экологические требования для автомобильного транспорта в настоящее время являются высшим приоритетом

.При этом экологичность

автомобилей производители уже закладывают в конструкцию автомобилей, и она не должна ухудшаться в процессе их эксплуатации [10-17].

Дизельные ДВС незаменимы в общественном транспорте, тяжелой технике, энергетике, сельском хозяйстве

и промышленном оборудовании благодаря их высокой эффективности, выходной мощности, крутящему моменту, долговечности и надежности

по сравнению с бензиновыми двигателями. Однако дизельный ДВС производит значительное количество газообразных

загрязняющих веществ и твердых частиц в воздухе.Эти выбросы являются факторами, вызывающими заболевания, и могут привести к снижению

иммунитета человека [18-23].

Первичные спирты Ch4OH, C2H5OH и С4Н9ОН имеют гидроксильный радикал, связанный с первичным углеродом

. У спиртов, заменяющих ископаемое топливо, есть много преимуществ, их получают из

источников (биомасса, уголь и т. Д.). Кроме того, кислород и гидроксильная группа (ОН) топлива на основе первичного спирта

усиливают окисление сажи во время контролируемого перемешивания.Это приводит к снижению задымленности, особенно в

Октябрьском районном суде Кирова

Часы работы суда

8: 00-17: 00 (понедельник-четверг), 8: 00-15: 45 (пятница), 12: 00-12: 45 (обеденный перерыв — все дни)

Часы приема

Председатель суда (кабинет 202) 8: 00-9: 00 (понедельник-четверг), заместители председателя суда (кабинет № 213): 8: 00-9: 00 (понедельник-пятница)

Управление по обеспечению уголовного производства (каб.217) и по делам об административных правонарушениях (кабинет № 216):

8: 00-17: 00 (понедельник-четверг), 8: 00-15: 45 (пятница), 12: 00-12: 45 (обеденный перерыв — все дни) тел. 51-90-65, 51-90-98, 51-90-67

Управление гражданского судопроизводства (каб. 115):

8: 00-17: 00 (понедельник-четверг), 8: 00-15: 45 (пятница), 12: 00-12: 45 (обеденный перерыв — все дни) тел. 51-90-75, 51-90-78

Приемная суда (кабинет № 213):

8: 00-17: 00 (понедельник-четверг), 8: 00-15: 45 (пятница), 12: 00-12: 45 (обеденный перерыв — все дни) тел.51-90-89


Территориальная юрисдикция

Населенный пункт Адрес
Киров Дома 8 км
Киров Дома на территории Северной больницы
Киров Трамплины
Киров Завод ОСМ
г.Киров Коллективные сады
Киров Мурашинский проезд
г. Киров Октябрьский проезд
г. Киров Октябрьский проспект, 1-117 (нечет.), 2-66 (чет.)
Киров переулок Березниковский
г. Киров пер. 1-й Дальний
г. Киров пер.1-й Дачный
Киров пер. 1-й Краснофлотский
Киров пер. 1-е новаторы
г. Киров пер. 1-й Орловский
Киров пер. 1-й Санниковский
г. Киров пер. 2-е новаторы
г. Киров пер. 2-й Дальний
г.Киров пер. 2-й Дачный
Киров пер. 2-й Краснофлотский
Киров пер. 2-й Орловский
Жилой объект Адрес
г. Киров пер. 2-й Санниковский
г. Киров пер. 3-й Дачный
г.Киров пер. 3-й Дальний
г. Киров пер. 4-й Дачный
Киров пер. 4-я Северная
Киров пер. 5-й Дачный,
Киров пер. Больничный
Киров пер. Боровой
г. Киров пер. Гирсовский
г.Киров пер. Дерендяева
г. Киров пер. Дружба
г. Киров пер. Искожевский
г. Киров пер. Кирпич
г. Киров пер. Кострома
г. Киров пер. Котельничский,
г. Киров пер. Краснофлотский
Киров пер.Курагинский
г. Киров пер. Инженерная
13 — 21 (нечет.), 12 — чет.
г. Киров пер. Мурашинский
г. Киров пер. Народное
Переулок
Населенный пункт Адрес
г. Киров пер. Петуховские
Киров пер.Поле
г. Киров пер. Преображенский (Энгельс)
Киров пер. Сельский
г. Киров пер. Сельскохозяйственное
г. Киров пер. Стефан Филейский
г. Киров пер. Суворовский
г. Киров пер. Тиминский
г.Киров пер. Станок токарный 4, 19
Киров пер. Транспорт
г. Киров пер. Троллейбус
г. Киров пер. Широнинцев
г. Киров Майский переулок
г. Киров Вершининский переулок
г. Киров и улица Чернышевского
г.Киров Сельскохозяйственное производство
г. Киров пр. Борисовский
г. Киров пр. Даниловский
г. Киров пр. Шубинский
г. Киров Северо-Западный проезд
населенный пункт населенный пункт
Адрес
г.Киров Студенческий пассаж 3-9 (нечетный), 2-16 (четный)
Киров Транспортный проезд
г. Киров проезд Шаляпина
Киров ул. Александр Невский
Киров ул. Березниковская
Киров ул. Большева
г. Киров ул.Борисовская
г. Киров ул. Боровая
г. Киров ул. Верещагин
г. Киров ул. Весна
г. Киров ул. Ренессанс
г. Киров ул. Вологда
г. Киров ул. Гайдар
г. Киров ул.Гвардия
Киров ул. Горбунова
г. Киров ул. Горького, 2-4 (чет)
Киров ул. Далекий
г. Киров ул. Дерендяева
1-25 (нечетное), 2-32 (четное)
Киров ул. Дзержинского
Киров ул. Добролюбов
Населенный пункт Адрес
Mr.Киров ул. Дружба
г. Киров ул. Деревенский
г. Киров ул. Захватаева
г. Киров ул. Зима
г. Киров ул. К. Либкнехта
1–67 (нечет.), 2–76 (чет.), 69 (Правительство Кировской области; органы исполнительной власти Кировской области с правами юридического лица; Законодательное собрание)
г.Киров ул. К. Маркс
1 — 67 (разн.)
Киров ул. Каширская
Киров ул. Кирпич (Ердякова)
Киров ул. Кольцова
г. Киров ул. Котельничская,
Киров ул. Краснополянская
Киров ул.Краснофлотская
Киров ул. Крупской
г. Киров ул. Крутикова (М. Тореза)
Киров ул. Крымский
г. Киров ул. Кушо
г. Киров ул. Лебяжская
Киров ул. Ленинградская
Киров ул.Лепсе, ул. 1 — 77 (нечетные), завод ОСМ
г. Киров ул. Лето
Населенный пункт Адрес
г. Киров ул. Ломоносова
Киров ул. Луганск
г. Киров ул. Макаренко
г. Киров ул.Мельников
г. Киров ул. Менделеева ул. 1-15 (нечетные), 2-18 (четные), в том числе Кировская областная детская клиническая больница (корпус 16)
… Киров ул. Менжинского,
Киров ул. Металлист
г. Киров ул. Металлурги
Киров ул. Мир
г.Киров ул. Мичуринская
Киров ул. Можайский
г. Киров ул. Молодежь
г. Киров ул. Установщики
г. Киров ул. Mopra
87 — 119 (нечетное), 94 — 114 (четное)
Киров ул. Москва, 37 — 189 (нечет.)
Киров ул.Мурашинская
г. Киров ул. Набережная Курьи,
Киров ул. Народное
г. Киров ул. Новаторов
Киров ул. Нолинская
Жилой пункт Адрес
г. Киров ул. О.Кошевой
Киров ул. Орджоникидзе
г. Киров ул. Оричевская
г. Киров ул. Осень
город Киров ул. Падерина
г. Киров ул. Подгорная,
Киров ул. Поле
г. Киров ул.Правда
г. Киров ул. Преображенская (Энгельс)
53 — до конца (нечет.), 46 — до конца (чет.)
Киров ул. Причал
Киров ул. Профсоюзная 69 (включая ТУ мэрии Кирова по Октябрьскому району) — до конца (не четного), с 68 — 90 (четного).
г. Киров ул.Пятницкая (ул. Халтурина)
65 — до конца (нечетная), 56 — 102 (четная)
Киров ул. Р. Люксембург
72 — до конца (четное), ОАО «Кировский машзавод 1 мая», 67 — 95 (нечетное)
Киров ул. Садаковская
Киров ул. Санникова
г. Киров ул. Свердлова
1-27 (нечетное), 2-34 (четное)
Киров ул.Север. Набережная
Киров ул. Север. Орловская
г. Киров ул. Северное кольцо — вся нечетная сторона
Киров ул. Северные ворота
Адрес
Населенный пункт
г. Киров ул. Северо-Садовая
Киров ул.Советский
61 — до конца (нечет.), 84 — до конца (чет.)
Киров ул. Сормовская 2-40 (четная), вся нечетная сторона
Киров ул. Стахановская
г. Киров ул. Стефан Филейский
г. Киров ул. Сутырина
г. Киров ул. Рабочие № 67 — 87 (нечетные), 54 — 90 (четные)
Киров ул.Ульяновская ул. 2, 6-10 (тыс.)
г. Киров ул. Упита
2-16 (четные), 1-13 (нечетные), 16А
г. Киров ул. Уральская
Киров ул. Урожай
Киров ул. Федосеева
г. Киров ул. Спортсмены
г. Киров ул. Фрезерный
г.Киров ул. Фурманов
г. Киров ул. Цвет
Киров ул. Мастерская
г. Киров ул. Циолковский
Киров ул. Чехов
г. Киров ул. Шинников
Населенный пункт Адрес
Mr.Киров ул. Широковская
г. Киров ул. Широнинцев
г. Киров ул. Шорин
1-9 (нечетные), 2-30 (четные)
Киров ул. Шубинская
г. Киров ул. Ялта
Киров ул. Яранская
г. Киров ул.Ярославская
село Балезиньшина
станица Барановская & nbsp;
село Большая Гора
село Большие Кушовы
село Боровое
село Бошарово
Будка деревня 14 км
Бут поселок 16 км
Будка деревня 17 км
село Булдаки
деревня Быково
село Вересниковщина
деревня Верещагино
Населенный пункт Адрес
село Гари
село Головановы
село Гуси
село Эльпаши
деревня Загоски
село Зубари
деревня Зубковы
станица Зуевская
село Канахины
село Караваевы
село Кисели
село Колобовщина
село Колпаки
Станица Коробовская
село Кривели
станица Куликовская
пгт Леденцовый
село Лисицины
деревня Лом
село Луговики
Населенный пункт Адрес
село Малая Гора
село Малые Кушовы
село Мараки
село Марьино
село Масленики
село Матанци
Монастырская станица
Горная деревня
село Нагоряна
село Оверинчи
село Опушни
д.Пересторонцы
село Першино
деревня Пестовый
село Петуховы
село Подборное
село Подозерье
село Пушкари
село Репки
село Родинцы
Жилой объект Адреса
село Рожни
д.Садаковы
село Севастьяновы
село Сергеево
село Студенец
село Сумароки
село Удаловщина
село Урванцево
село Хабаров
село Чарушина
деревня Шики
деревня Шубино
село Есауловы
село Ямново
ж / д станция Тростинка
село Ганино
деревня Костино
пгт Садаковский
Сосна деревня
село Бахта
Населенный пункт Адрес
село Русское
поселок Б.и М. Скопино
поселок Зонова
Поселок Куртеева
Поселок Лянгасы
Поселок Малые Ряби
Поселок Пушкари
п.Савичи
поселок Филилейка
поселок Халхидоново
Шаломовская Слобода
Широковская Слобода
Арт.Матанс

Судебные коллегии

Судьи при рассмотрении уголовных дел:

АРАСЛАНОВ Станислав Александрович

СКОРОБОГАТЫ Сергей Валерьевич

КЫРЧАНОВ Сергей Витальевич

ПИСЛИГИНА Наталья Александровна

КАЗАКОВА Татьяна Владимировна

ТУПИЦЫН Михаил Вячеславович

НОБЕЛЬ Наталья Александровна

Судьи по гражданским делам:

ХАХАЛИНА Ольга Анатольевна

КОЖЕВНИКОВА Ирина Петровна

МИНЕРВИНА Анна Владимировна

СТАРОДУМОВА Светлана Александровна

УСКОВА Анна Николаевна

НИКОЛИНА Нина Степановна

ЖОЛОБОВА Татьяна Анатольевна

Гродникова Мария Владимировна

ТИМКИНА Любовь Анатольевна

КУЛИК Евгения Александровна


ПЕРЕЧЕНЬ ТЕЛЕФОНОВ СУДЕЙ, РАЗМЕЩЕННЫХ В СУДЕБНЫЕ СОВЕТЫ

и структурные подразделения Октябрьского районного суда г. Кирова

полное наименование Позиция Шкаф Телефон
Хахалина Ольга Анатольевна Председатель суда 614
Овечкина Людмила Валерьевна Помощник председателя суда 614 519-019
Гасникова Татьяна Викторовна Помощник судьи 617 519-033
Новоселова Юлия Александровна Секретарь суда 611 519-037
Уголовная коллегия
Арасланов Станислав Александрович Заместитель председателя суда 616а
Смирнова Ольга Дмитриевна Помощник судьи 616b 519-024
Давыдова Мария Дмитриевна Секретарь суда 616 519-041
Пислыгина Наталья Александровна Федеральный судья 620а
Невенченко Михаил Юрьевич Помощник судьи 620b 519-022
Мусинова Виктория Николаевна Секретарь суда 620 519-039
Нобель Наталья Александровна Федеральный судья 602b
Овчинникова Наталья Евгеньевна Помощник судьи 602а 519-087
Кочкина Кристина Сергеевна Секретарь суда 602 519-040
Федеральный судья 603b
Помощник судьи 603а
Секретарь суда 603
Скоробогатый Сергей Валерьевич Федеральный судья 608а
Жирова Анна Александровна Помощник судьи 608b 519-021
Шишкина Ирина Александровна Секретарь суда 608 519-042
Казакова Татьяна Владимировна Федеральный судья 621b
Жгулев Александр Александрович Помощник судьи 621а 519-025
Парфёнова Елена Евгеньевна Секретарь суда 621 519-043
Кирчанов Сергей Витальевич Федеральный судья 615а
Нагуль Евгения Игоревна Помощник судьи 615b 519-026
Хлебникова Анна Андреевна Секретарь суда 615 519-044
Тупицын Михаил Вячеславович Федеральный судья 609а
Краева Ольга Валерьевна Помощник судьи 609b 519-020
Глазырина Надежда Николаевна Секретарь суда 609 519-049
Гражданская коллегия
Ускова Анна Николаевна Заместитель председателя суда 707а
Носкова Александра Михайловна Помощник судьи 707b 519-028
Павлова Елена Алексеевна Секретарь суда 707 519-047
Гродникова Мария Владимировна Федеральный судья 704b
Микеладзе Евгения Сергеевна Помощник судьи 704а 519-029
Леванова Ксения Владимировна Секретарь суда 704 519-048
Минервина Анна Федеральный судья 706а
Лучинина Алла Николаевна Помощник судьи 706b 519-030
Колесникова Луиза Мансуровна Секретарь суда 706 519-046
Мильчакова Светлана Анатольевна Федеральный судья 515а
Ершова Людмила Александровна Помощник судьи 515b 519-031
Копысова Евгения Сергеевна Секретарь суда 515 519-050
Тимкина Любовь Анатольевна Федеральный судья 516а
Полетаева Анжелика Викторовна Помощник судьи 516b 519-053
Кочурова Валерия Романовна Секретарь суда 516 519-059
Кожевникова Ирина Петровна Федеральный судья 708а
Четверикова Ирина Юрьевна Помощник судьи 708b 519-032
Мочалова Полина Владимировна Секретарь суда 708 519-051
Стародумова Светлана Александровна Федеральный судья 709а
Сунцова Светлана Павловна Помощник судьи 709b 519-036
Кокорина Ирина Геннадьевна Секретарь суда 709 519-054
Николина Нина Степановна Федеральный судья 705а
Пономарева Татьяна Вячеславовна Помощник судьи 705b 519-034
Полуэктова Лидия Станиславовна Секретарь суда 705 519-052
Кулик Евгения Александровна Федеральный судья 701а
Потапова Наталья Викторовна Помощник судьи 701b 519-035
Найман Кристина Сергеевна Секретарь суда 701 519-055
Департамент государственной службы и кадров
Суворова Лариса Михайловна Начальник отдела 208 519-056
Мамаев Леонид Анатольевич Заместитель начальника управления 316 519-057
Сычева Светлана Николаевна Консультант 618 519-058
Общий отдел
Мальцев Григорий Анатольевич Начальник отдела 314 519-061
Курагина Оксана Валентиновна Старший специалист (архив) 802 519-080
Елена Николаевна Соловьева Старший специалист (архив) 802 519-079
Невенченко Екатерина Владимировна Специалист 513 519-068
Скопина Елена Юрьевна Специалист 103 519-069
Норина Галина Максимовна Делопроизводитель 103 519-068
Уголовно-процессуальный отдел
Останина Светлана Владимировна Начальник отдела 212 519-063
Чуракова Алевтина Васильевна Заместитель начальника управления 217 519-065
Поскребышева Светлана Павловна Консультант 213а 519-074
Платунова Елена Юрьевна Ведущий специалист 217 519-066
Корчемкина Виктория Константиновна Делопроизводитель 217 519-060
Светлана Анатольевна Миткиных Делопроизводитель 216 519-067
Дружинина Анна Вячеславовна Делопроизводитель 216 519-070
Суворова Александра Юрьевна Делопроизводитель 216 519-071
Департамент гражданского судопроизводства
Рязанова Валентина Вадимовна Начальник отдела 211 519-072
Видягина Екатерина Александровна Заместитель начальника управления 115 519-075
Кибешева Наталья Консультант 213а 519-073
Корчемкина Ольга Алексеевна Главный специалист 115 519-078
Головкина Елена Григорьевна Делопроизводитель 115 519-077
Шулятьева Ангелина Юрьевна Делопроизводитель 115 519-064
Едигарева Юлия Михайловна Специалист 115 519-077
Администратор суда
Харитонов Андрей Владимирович 315 519-081
Судебные приставы 519-082

Видеоконференцсвязь

Разница во времени с Москвой: нет

Наличие технической возможности видеоконференцсвязи: есть, IP-адрес 10.43,49,50

Номер зала заседаний, оборудованного системой видеоконференцсвязи: 203

Номера телефонов ведомственной сети ВКС — 7434901, 7434902

(в настоящее время технически невозможно)

Номера факсов ведомственной сети ВКС — 7434999

(в настоящее время технически невозможно,

городской тел. факс суда (8332) 51-90-99

Контактные данные ответственных лиц:

По вопросам согласования даты и времени видеоконференцсвязи обращайтесь по тел.(8332) 51-90-68,

Норина Галина Максимовна

Ответственный за организацию видеоконференцсвязи:

Наталья Валентиновна Кибешева, судебный консультант, тел. (8332) 51-90-73

Ответственный за техподдержку видеоконференцсвязи:

Харитонов Андрей Владимирович, судебный исполнитель, тел. (8332) 51-90-81


Реквизиты лицевого (депозитного) счета аппарата судебного департамента по Кировской области

Наименование получателя: УФК по Кировской области (Управление судебного департамента по Кировской области, л / с 05401203220)

ИНН 4348033147 КПП 434501001

Р / счет: 40302810400001000034

Банк получателя: Филиал в Кировской области Волго-Вятского ГУ ЦБ РФ

БИК: 043304001

Назначение платежа содержит необходимую информацию.Например:

«Передача обеспечения в рамках гражданского дела № _________ по исковому заявлению и др.»


Ответственный за обновление информации на сайте

Харитонов Андрей Владимирович

тел. (8332) 51-90-81


Минимальная заработная плата

МИНИМАЛЬНАЯ ЗАРПЛАТА В РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Минимальная заработная плата, применяемая исключительно для регулирования заработной платы, а также для определения размера пособия по временной нетрудоспособности

Дата введения Сумма (руб. / Мес.) Положение о минимальной заработной плате
01.01. 2020 12 130 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 27 декабря 2019 г. N 463-ФЗ)
01.01.2019 11280 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 25 декабря 2018 г. N 481-ФЗ)
01.05.2018 11163 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 7 марта 2018 г. N41-ФЗ)
01.01. 2018 9489 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 28 декабря 2017 г. N421-ФЗ)
01.07.2017 7800 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 19 декабря 2016 г. N460-ФЗ)
01.07.2016 7500 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 2 июня 2016 г. N164-ФЗ)
01.01. 2016 6204 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 14 декабря 2015 г. N376-ФЗ)
01.01.2015 5965 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 1 декабря 2014 г. N408-ФЗ)
01.01.2014 5554 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 2 декабря 2013 г. N336-ФЗ)
01.01. 2013 5205 Федеральный закон от 19 июня 2000 г. N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 3 декабря 2012 г. N232-ФЗ)
01.06.2011 4611 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 1 июня 2011 г. N106-ФЗ)
01.01.2009 4330 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 24.06.2008 N91-ФЗ)
01.09.2007 2300 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 20 апреля 2007 г. N54-ФЗ)
01.05.2006 1100 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 29 декабря 2004 г. N 198-ФЗ)
01.09.2005 800 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 29 декабря 2004 г. N 198-ФЗ)
01.01.2005 720 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 29 декабря 2004 г. N 198-ФЗ)
01.10.2003 600 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 1 октября 2003 г. N 127-ФЗ)
01.05.2002 450 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ (В редакции Федерального закона от 29.04.2002 N 42-ФЗ)
01.07.2001 300 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ
01.01.2001 200 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ
01.07.2000 132 Федеральный закон от 19.06.2000 N 82-ФЗ

Минимальный размер оплаты труда, применявшийся до 1 июля 2000 года во всех случаях, установленных законодательством Российской Федерации

..
01.01. 1998 83,49 *
01.01.1997 83490 Федеральный закон от 09.01.97 N 6-ФЗ
16. 01.1997 — дата введения налогов
01.04.1996 75900 Федеральный закон от 22.04.96 N 40-ФЗ
22. 04.1996 — дата введения налогов
01.01.1996 63250 Федеральный закон от 01.11.95 N 159-ФЗ
01.12. 1995 60500 Федеральный закон от 01.11.95 N 159-ФЗ
01.11.1995 57750 Федеральный закон от 01.11.95 N 159-ФЗ
01.08.1995 55000 Федеральный закон от 27.07.95 N 116-ФЗ
01.05.1995 43700 Федеральный закон от 20.07.2012 г.04.95 N 43-ФЗ
01.04.1995 34400 Федеральный закон от 20.04.95 N 43-ФЗ
01.07.1994 20500 Федеральный закон от 30.06.94 N 8-ФЗ
01.12.1993 14620 Указ Президента Российской Федерации от 05.12.93 N 2115
01.07.1993 7740 Закон Российской Федерации от 14.07.93 N 5432-1
01.04.1993 4275 Закон РФ от 30.03.93 N 4693-1
01.01.1993 2250 Закон Российской Федерации от 13.1192 N 3891-1
01.04.1992 900 Закон Российской Федерации от 21.04.92 N 2704-1
01.01.1992 342 Закон Российской Федерации от 06.12.91 N 1991-1
01.12.1991 200 Постановление Правительства РСФСР от 15.11.91 N 5
01.10.1991 180 Закон РСФСР от 19.04.91 г.
в соотв. с пунктом 2 резолюции 70 Постановление ЦК КПСС, Совета Министров СССР, ВЦСПС от 12.1272

Уфа цены на жилье быстро растут — Реальное время

Стоит ли ожидать стабилизации рынка и улучшится ли качество инфраструктуры?

За последние два года новостройки Уфы подорожали в среднем на 30%, утверждают участники рынка. Подорожали все типы квартир. Причем наибольший рост был зарегистрирован за последние несколько месяцев.Так, в конце 2020 года квартиру можно было купить по 64 тысячи рублей за квадратный метр, сейчас квадратный метр в среднем стоит 81 тысячу рублей. Корреспондент «Реального времени» выяснил, что спровоцировало скачок цен, какие предложения пользуются наибольшим спросом, если стоит ожидать краткосрочного снижения цен на новые дома.

Цены растут все быстрее и быстрее

По данным службы статистики Башкортостана, в третьем квартале 2020 года средняя цена квадратного метра в новостройках республики составляла 65 600 рублей.К концу второго квартала 2021 года эта цифра выросла до 73,8 тысячи рублей. Нетрудно подсчитать, что менее чем за год квадратный метр стал дороже на 8 200 рублей. Разница между этими периодами в 2019 и 2020 годах составила всего 3600 рублей, тогда цена выросла с 61 500 до 65 100 рублей.

Цены в Уфе намного выше. По разным данным, на рынке недвижимости цена квадратного метра на рынке новостроек сейчас колеблется от 88 до 93 тысяч рублей. В то время как в октябре прошлого года квадратный метр в новостройке Уфы оценивался всего в 69 тысяч рублей.Сегодня однокомнатная квартира в столице Башкортостана в среднем обойдется покупателю в 3,3 миллиона рублей, за трехкомнатную придется заплатить 4,5 миллиона рублей, за трехкомнатную — в 6,6. миллион.

Подержанные дома также растут в цене. Рост был с 71 тысячи в октябре 2020 года до 84 тысяч рублей за квадрат в октябре 2021 года. Что касается самых популярных районов Уфы — Кировского, Советского и Октябрьского, то здесь средняя цена квадратного метра вторичной квартиры составляет от 89 тысяч до руб.Самые дешевые варианты — в Калининском и Демском районах, где квадратный метр стоит 69–72 000 рублей.

Подержанные дома также растут в цене. Рост был с 71 тысячи в октябре 2020 года до 84 тысяч рублей за квадрат в октябре 2021 года. Фото: bashinform.ru

Девелоперы компенсируют стоимость стройматериалов

Специалисты говорят, что цены растут из-за подорожания стройматериалов. Чтобы компенсировать затраты на строительство жилья, девелоперы повышают цены, а из-за отсутствия новых домов спрос на уже построенные дома есть.

«За последние два года наши новостройки были на 30% дороже, в то время как по некоторым направлениям они намного дороже. Рынок нового жилья зависит в первую очередь от себестоимости и строительных материалов, поэтому появившиеся новостройки редко будут дешевле 100 000 рублей за квадратный метр. Есть нехватка помещений, мы видим очень мало новостроек в Уфе, поэтому спрос останется даже при такой цене », — отмечает руководитель федеральной сети агентств недвижимости« Эксперт »Елена Андреева.

Директор аналитического агентства «План А», строительный эксперт Иван Зорин поделился с «Реальным временем» своим мнением о причинах роста цен:

«Рост цен на жилье обусловлен появившимся заметным удорожанием стройматериалов, в том числе из-за срочного погашения. к глобальному логистическому кризису. Из-за массовых задержек с поставками подорожали также древесина и металлы. Спрос на стройматериалы не снизился, а предложение пострадало из-за массовых перебоев с морскими поставками, что, наконец, отразилось на стоимости квадратного метра.Через некоторое время логистический кризис должен пройти, а значит, цены на стройматериалы должны снизиться.

Елена Андреева считает, что сегодняшняя ставка по ипотеке не имеет решающего влияния, это скорее психологический фактор.

«Сейчас у нас средняя активность на рынке, многие девелоперы со второй половины лета столкнулись со спадом. Кто-то связывает это с общественной поддержкой, но на самом деле новых проектов нет. За предыдущие 1,5 года покупок было слишком много, а сейчас здесь накопился спрос.Скорее всего, весной следующего года активность вырастет, как это обычно бывает. Это стандартный сезонный паттерн, стандартный цикл рынка. Он не может быть постоянно активным. Должны быть периоды отложенного спроса ».

Уфимцы недовольны не только ростом цен на строительном рынке, но и тем, что инфраструктура, окружающая новостройки, зачастую серьезно отстает в развитии. Фото: n102.ru

Цены растут, но качество инфраструктуры под вопросом

При этом уфимцы недовольны не только ростом цен на строительном рынке, но и тем, что инфраструктура окружает новостройки. часто серьезно отстают в развитии: не хватает парковок, школ и детских садов.

Сейчас строятся новостройки, но в детских садах и школах даже в соседних районах нет спорта. Однако площадка, на которой согласно первоначальным планам должна была быть построена школа, все еще пустует. В новом жилом комплексе на улице Шафиева домовладельцы жалуются на отсутствие парковок. В проект входил паркинг, но во время строительства от него отказались. В результате жители опасаются, что после сдачи домов на улице и в соседних дворах может случиться транспортная авария.

Некоторые уфимцы уверены, что сдача домов вызовет настоящий взрыв социальной напряженности в микрорайоне, который городские власти и не пытаются предотвратить.

Жители опасаются, что после сдачи домов на улице и в соседних дворах может случиться транспортная авария. Фото: tretiitrest.ru

Жилье может подешеветь

Однако, несмотря на все проблемы, эксперты по недвижимости считают, что жилье будет дорожать и дальше.Чтобы снизить затраты из-за более дорогих строительных материалов, девелоперы, вероятно, будут заниматься только крупными проектами.

«Чтобы получить хорошую прибыль, девелоперы будут реализовывать именно масштабные проекты, оптимизируя затраты на строительство за счет масштаба. Вряд ли стоит ожидать недорогих местных проектов », — считает руководитель агентства недвижимости Елена Андреева.

Также рынок диктует рост спроса на более дешевые варианты оболочки и ядра.

«Ранее мы предполагали, что рынок будет двигаться в сторону базовой отделки с дизайн-проектами и мебелью.Но сейчас из-за фактора себестоимости получается наоборот — рынок возвращается в состояние оболочки и ядра », — отмечает Елена Андреева.

Отсутствие большого количества новых проектов — один из факторов, способствующих росту цен в долгосрочной перспективе. По мнению эксперта, предстоящая массовая застройка Забельского участка — это еще слишком отдаленная перспектива, чтобы повлиять на динамику цен.

«Пока это только новости. Быстро этого не произойдет.Это перспектива, может быть, не пять, а десять лет, сначала будут созданы сети. Это все равно не в пределах Уфимского полуострова. Это приведет к тому, что квартиры там будут предлагаться по более низкой цене, чем в городе ».

Аналитик по недвижимости Иван Зорин прогноз более оптимистичный. При отсутствии спроса и реальных возможностей покупки квартиры у населения девелоперы будут снижать цены: «Есть еще один немаловажный фактор — это денежная масса населения. В прошлом году у россиян было достаточно свободных денег.Чтобы справиться с высокой инфляцией, многие вложили деньги в покупку квартиры, что повысило спрос и стало драйвером роста цен. Однако сбережения граждан сегодня почти закончились, а цены сейчас на пике. При этом за период активной покупки жилья в последние месяцы предложений на уфимском рынке практически не осталось. В любом случае через 3-4 месяца цены должны снизиться на 5-10%. Это произойдет либо в денежном выражении, либо благодаря большим скидкам от разработчиков ».

Эмиль Зиянгиров

Башкортостан

Левашовское кладбище и Большой террор в Ленинградской области | Науки По Массовое насилие и сопротивление

Дата:

27 февраля, 2009

A- Контекст

Эта часть этого тематического исследования имеет много общего с Бутовским исследованием, поскольку общий контекст Ежовщина такой же.

Ежовщина, или сталинский большой террор, как его называл американский историк Роберт Конквест (Conquest, 1968), имела место в основном между 1937 и 1938 годами и по большей части была организована на основе оперативных приказов НКВД ( Народная комиссия внутренних дел), которую тогда возглавлял нарком внутренних дел Николай Иванович Ежов (биографические сведения см. Янсен Петров, 2002 или Гетти Наумов, 2008).

Политические репрессии против бывших и потенциальных политических противников Сталина уже начались после убийства руководителя ленинградской партийной организации и члена Политбюро С.М. Кирова 1 декабря 1934 г. (по следам первого процесса против Каменева и Зиновьева в 1935 г. и Московских показательных процессов 1936-1938 гг.). Однако Большой террор был гораздо большим, чем просто актом крупномасштабных политических репрессий, и поэтому имел более прямую цель, чем подчинение: это был момент социальной инженерии, в течение которого сталинистская группа намеревалась окончательно изменить советское общество и положить конец положить конец социальному беспорядку, вызванному ранее трансформационным сталинским проектом.Следовательно, после относительного ослабления социальных репрессий в последние несколько лет сталинский режим предпринял широкомасштабную атаку на своих предполагаемых врагов.

Общий вид кладбища с личными вещами родителей погибших

Фотографии: © François-Xavier Nerard:

Эти операции, которые должны были длиться с самого конца июля 1937 года до первых дней ноября 1938 года, были тщательно организованы в течение всего июля высшими советскими властями (Сталиным, Ежовым и его штабом).Основное насилие было организовано десятком оперативных приказов ( приказы ), отданных Ежовым. Первым был приказ 00447, направленный против всех известных врагов режима, которые в прошлом неоднократно подвергались репрессиям: кулаков , и других бывших «противников» (эсеров, офицеров Белой армии, священников). …). Он был дополнен серией приказов о «национальных операциях», нацеленных на приграничные меньшинства из Советского Союза (Мартин, 1998).Это приказы 00439 (о немцах), 00485 (о поляках), 00486 (о женах «врагов народа»), 00593 (о харбинцах и японских шпионах), 00693 (о переселенцах в СССР) и еще пять ( о латышах, финнах, греках, румынах и эстонцах). Следует отметить, что объединение этих операций не является научной реконструкцией постфактум историками, но было очевидно в официальных документах НКВД (Werth, 2006). В основе этой операции была цель, четко обозначенная в приказе 00447, — положить конец «раз и навсегда» присутствию врагов в советском обществе.Следовательно, операция должна была быть максимальной и уничтожить все остатки прежнего общественного строя, преследовавшегося до сих пор.

Методы были очень характерны для сталинского террора и напоминали то, как была организована раскулачивание села. Квоты арестованных составили еще в июле. Жертвы должны были быть разделены на две категории, первая включала «наиболее активные и враждебные элементы». Эти люди должны были быть осуждены тройкой (внесудебный орган в составе регионального главы НКВД, регионального секретаря партии и областного прокурора) и в случае осуждения (но в тексте приказа там почти нет возможности, чтобы их не осудили) должны были сразу расстрелять.Вторая категория касалась «менее активных, но, тем не менее, враждебных элементов». В их числе должны были быть арестованы и отправлены в лагеря на «восемь-десять лет». Тюрьма предусматривалась только для «самых жестких».

Весь июль можно охарактеризовать тем, что Николас Верт назвал «динамикой квот» (Werth, 2006: 20). На заседании Политбюро (Политбюро, высший орган Коммунистической партии) в это время отмечалось, что «бывшие кулаки и преступники, вернувшиеся домой после наказания, были главными зачинщиками антисоветских преступлений», было решено отправить телеграмма региональным властям с просьбой провести перепись этих людей и оценить количество расстрелянных или высланных.Между центром и регионами завязалась точечная игра по квотам. Они записывались много раз, не только 30 июля в приказе 00447. Поэтому региональные руководители НКВД нередко просили (один, два и более!) Увеличения своих квот. Разрешения были даны лично Ежовым, Сталиным или Молотовым (Junge, 2003; Werth, 2006)

Для национальных операций система немного отличалась, так как не было квот, хотя люди по-прежнему были разделены на две категории (одну для расстрела, другую для отправки в лагеря).В конце «инструкции» было записано краткое изложение каждого случая. Каждые десять дней сводки передавались в комиссию из двух человек (называлась двойка ): глава НКВД области и главный прокурор) для вынесения приговоров. В свою очередь, они были подтверждены в Москве Ежовым и Вышинским.

Официально операция закончилась 17 ноября 1938 г. Центральный Комитет партии и правительство (Совнарком) СССР выпустили текст, осуждающий «недостатки и извращения» действий НКВД в 1937-1938 гг. Поэтому запретили «всякие массовые операции» и демонтировали тройки и двойки .Ежов, начальник этих операций (за эти два года он заходил в кремлевский кабинет Сталина 278 раз, проведя там в общей сложности 833 часа 45 минут) был разгромлен к концу 1938 года. Он был вынужден принять назначение наркомом. за водный транспорт в апреле 1938 года и уволился с работы в НКВД 23 ноября 1938 года. Арестован 10 апреля 1939 года, расстрелян 6 февраля 1940 года. Наркома внутренних дел, большинство кадров НКВД тоже подверглись чистке.

Точный конечный результат этих операций установить сложно, но общее количество приговоров оценивается примерно в 1 300 000, из которых 700 000 были приговорены к смертной казни, большинство других были приговорены к десяти годам лагерей (документ переведен на Werth, 2006: 143). Национальные операции были гораздо более жестокими, поскольку три четверти арестованных были приговорены к смертной казни. Для приказа 00447 доля исполненных была «только» одна к двум.

B- Лица, принимающие решения, организаторы и участники

Давно обсуждают, было ли убийство ленинградского партийного босса С.М. Киров, 1 декабря 1934 года положил начало террору в СССР. По крайней мере, в Ленинградской области это бесспорно. Об этом, во-первых, свидетельствует приезд 10 декабря 1934 года главных организаторов террора и назначение нового начальника областного НКВД — Леонида Михайловича Заковского. При Заковском большинство репрессий имели место и имели форму. Через несколько дней, 15 декабря, региональным руководителем партии стал Андрей Александрович Жданов.

Несколько волн репрессий обрушились на Северную столицу в период с 1934 по 1937 год, еще до того, как начались массовые операции. 40 000 человек были депортированы из города во время так называемого «Кировского ручья». Только за операции февраля-марта 1935 г. (инициированные циркуляром от 27 февраля 1935 г.) из города было изгнано более 11 000 «бывших» граждан (о последствиях см. Чуйкина, 2006: 83-84).


Скульптура «Молох Тоталитаризма»

Фотографии: © François-Xavier Nerard:

Что касается самого Большого террора, Заковский получил одну из наивысших квот на выполнение оперативного приказа 00447: 14 000 человек (из них 4 000 должны были быть расстреляны), он также председательствовал в тройке .Представители партии в тройке менялись между первым секретарем Ждановым, а также вторым секретарем П. Смородиным (до августа 1937 г.), а затем Т. Штыковым (с сентября 1938 г.). Прокурором области, также входившим в тройку , на весь период был Борис Позерн. Эти операции были хорошо организованы в Ленинградской области, о чем свидетельствуют недавно опубликованные документы (Разумов, 2002: 618-638). Заковский составил текст, объясняющий основные инструкции своим подчиненным в конкретном оперативном приказе 1 августа 1937 года.Ленинградская область была разделена на 12 оперативных участков в соответствии с конкретными приграничными районами Пксов, Мурманск и Кингисепп.

Для всех этих подразделений назначено лицо, ответственное за производственную деятельность, и назначен дополнительный персонал. Например, 212 человек по городской зоне Ленинграда (в основном студенты военных и милицейских институтов, но также сотрудники НКВД в запасе). Списки арестов должны были составляться на основе информации, предоставленной различными органами безопасности и подтвержденной лично Заковским.Об операции нужно было ежедневно сообщать региональному главе НКВД.

Все этапы процесса были тщательно продуманы: задержанных концентрировали в одном месте для каждого вышеупомянутого подразделения, либо в тюрьмах, либо в «изоляторах предварительного заключения» (ДСЗ). В Ленинграде такими местами были знаменитая «Крестовая тюрьма» на набережной Арсенала и ДПЗ милиции. Кажется, что казни в районе организовывались в разных местах, но в основном происходили в тюрьмах (Разумов, 2006: 5 или Разумов, 2002: 626).Летом 1937 года органы НКВД искали лучшее место для захоронения трупов. Главное секретное кладбище было найдено севернее Ленинграда в Парголовском лесу, недалеко от села Левашово. Это единственное место, существование которого подтверждается письменными источниками, но, вероятно, есть и другие места, например, Преображенское кладбище. Продававшую там цветы женщину арестовали в ноябре 1937 г. и обвинили в «антисоветской пропаганде», когда она рассказывала людям на кладбище о «тайных захоронениях» жертв террора (Разумов, 2002: 604-617).Этот случай будет более подробно проанализирован в разделе D ниже.

Ежовщина в Ленинградской области также предназначалась для людей, уже находящихся в тюрьмах и других местах лишения свободы, как указано в оперативном приказе Заковского 00123 (9 августа 1937 г.). 16 августа 1937 г. Ежов еще раз приказал Заковскому очистить лагеря для военнопленных от уже арестованных, но тем не менее «активных антисоветских элементов» (Junge, 2003: 100-102), в частности, нанеся удар по лагерям для военнопленных на Соловецких островах в г. Белое море (первый из лагерей ГУЛАГа).Ежов дал им квоту в 1200 человек по первой категории. Приказ был выполнен: урочище Сандармох — это место, где были расстреляны первые 1111 заключенных (Шаповал, 2002; Юнге, 2003: 52). Осуществление приказа Заковского от 16 октября 1937 года курировал М. Матвеев. Позже были казнены еще семьсот заключенных.

Заковский был вызван Ежовым в Москву и сразу стал его помощником. Позже его сменил Михаил Литвин, бывший глава секретно-политического отдела НКВД, еще один близкий протеже Ежова, 20 января 1938 года.Литвин оставался на этом посту до ноября 1938 года, почти до самого конца террора, он покончил жизнь самоубийством и был заменен С. Гоглидзе, ближайшим соратником Берии, который продлил и усилил террор. 31 января 1938 г., после встречи региональных руководителей НКВД в Москве, Политбюро санкционировало увеличение квоты расстрела людей на основании приказа 00447. Для Ленинграда это увеличение составило 3000 (т. Е. 75%). 13 апреля 1938 года это число было еще раз увеличено на 1500 в специальном постановлении Политбюро (Junge, 2003: 129), в результате чего общее число достигло 8 500.

C- Жертвы

Трудно дать точную общую цифру жертв Большого террора в Ленинградской области, поскольку были спровоцированы различные репрессивные структуры. Во всем мире 65 223 человека (из которых 31 339 поступили согласно приказу 00447) были арестованы с 1 октября 1936 года по 1 июля 1938 года (Werth, 2006: 143). По данным другого источника, общее количество задержанных в Ленинградской области составляет 73 045 человек (Мозохин, 2006: 333-341).

Завершить мемориал жертвам

Фотографии: © François-Xavier Nerard:

Тем не менее, публикация первых восьми томов «Ленинградского мартиролога» Анатолия Разумова дает более точное представление о жертвах Большого террора (Разумов, 1995-2008).Эти данные были частично проанализированы Мелани Илич (Ilic, 2000) и Денисом Козловым (Козлов, 2002), но заслуживают дальнейшего статистического анализа по мере продолжения публикации. Тем не менее, их выводы во многом подтверждаются последней публикацией статистических данных группы Анатолия Разумова за 1937 год и 19 724 человека (данные шести первых томов доступны на сайте: http: //visz.nlr .ru / search / stat.html). Большая часть анализа, представленного в этом разделе, основана на этих данных.

Большой террор был явным гендерным феноменом, поскольку 95,2% жертв были мужчинами, даже если жены и семьи «врагов народа» были конкретно мишенями оперативного приказа 00486 от 15 августа 1937 года. Большинство из них находились в своих прайм (65,8% были моложе 50 лет, 86,4% моложе 60 лет, а самый старший — 85 лет). Гендерные аспекты и последствия Большого террора по-прежнему требуют тщательного научного внимания и анализа.

О значении национальных операций в регионах на границах СССР и их летальных последствиях можно судить по статистике по национальностям.Ленинградская область была одной из самых кровавых в СССР: 87% арестованных были расстреляны, тогда как в Куйбышевской области эквивалентный процент составлял 48,16% (Петров Рогинский, 1997). Большой террор ознаменовал кульминацию кампании репрессий против национальностей и «вражеских наций», начавшейся в 1934-35 годах (Martin, 1998: 852), и совпал с поворотом советской политики в отношении национальностей. В Ленинградской области процесс начался в марте 1935 г. с депортации в Среднюю Азию и Сибирь финнов (30% финского населения было переселено в 1935-1936 гг.), Эстонцев и латышей (Мартин, 1998: 849).

Ленинградская область была очень многонациональной, поэтому неудивительно, что приказы затронули 65 национальностей. К тому же русские составляли лишь 58,5% всего населения (тогда как к 1939 году, согласно переписи того года, они составляли почти 90% населения). Статистика жертв террора в Ленинградской области, составленная командой А. Разумова (см. Ссылку выше), позволяет нам более точно понять репрессии.Почти 14% жертв были поляками (которые составляли менее 1% населения по переписи 1939 года). Польская операция там была очень важной, о чем свидетельствует отчет Ежова Сталину с описанием операции и уже разобранные «шпионские сети» (Werth, 2006: 122–125). Ленинград был третьим по величине регионом СССР по количеству арестов после Украины и Белоруссии (но Украина была гораздо более густонаселенной). Эстонцы и финны (около 4% каждая) — две другие национальности, которые в подавляющем большинстве представлены среди жертв.Эти выводы подтверждаются тем, что чуть более 50% пострадавших в Ленинградской области родились в городе Ленинграде или его окрестностях. 18% родились за пределами СССР. То, что Мартин называет «советской ксенофобией», т. Е. «Советским страхом перед иностранным влиянием и иностранным заражением» (Martin, 1998: 829), также можно прочесть в том факте, что железнодорожники и транспортники (имевшие связи с зарубежными странами) также были указанные в качестве мишеней, они составляют почти 10% от общего числа жертв.

Цифры, составленные А. Разумовым, также показывают, как Большой террор можно интерпретировать как предприятие социальной инженерии (Werth, 2006: 32). Коммунисты, безусловно, были жертвами террора, поскольку они составляют 13% от общего числа, несмотря на то, что членство в партии в 1939 году для всего СССР составляло менее 1,5% (Ilic, 2000: 1520). Однако основная масса репрессий (84%) была направлена ​​против беспартийных. Несколько «вражеских» групп, упомянутых в декрете 00447, перепредставлены: это касается религиозных деятелей (и особенно женщин), 5,5%, но также и единоличников (независимых крестьян, не присоединившихся к колхозам). ), что составляет 7.1%. Крестьяне в целом составляют 23% от общего числа. Таким образом, маргиналы советского общества сильно пострадали от террора, что подтверждается высоким показателем в 4,6% для людей «без какой-либо конкретной профессии». Эта категория особенно женская (8% женщин), как и категория других неработающих лиц (пенсионеров, домохозяек и иждивенцев), половина этих жертв — женщины.

D- Свидетели

Главной особенностью Большого террора была его абсолютная секретность, почти не было свидетелей произошедших массовых убийств.Особенно это касается расположения захоронений. Уже упоминавшееся дело продавца искусственных цветов Александры Петровны напоминает нам о том, как обеспечивалась и сохранялась секретность (Разумов, 2002: 607-617). Ее расстреляли за то, что она рассказывала людям о ночных захоронениях на одном из ленинградских кладбищ. Работая у входа на кладбище, она узнала об этих захоронениях из разговоров с людьми, отвечавшими за раскопки могил, и сказала следователям, что эти трупы не были обычными преступниками, поскольку их привезли на кладбище примерно в 7-8 часов вечера.М. и похоронили на ночь. НКВД также обвинил и расстрелял священника кладбища за распространение этих «слухов».

? Левашовское кладбище, на котором захоронена большая часть трупов, окружено высоким деревянным забором и находится вдали от важных жилищ и поселений. Более того, секретность должным образом поддерживалась на протяжении всего советского периода. За братскими могилами Левашово ухаживал Ленинградский департамент государственной безопасности, даже после того, как он был официально закрыт КГБ в 1965 году.В 1975-76 годах даже реновировали заборы и въездные ворота (Разумов, 2006, с. 7).

Большинство исполнителей террора, в свою очередь, были репрессированы после увольнения Ежова в ноябре 1938 года и назначения Берии наркомом внутренних дел. Во время допроса они вспомнили подробности организации террора. Он остается основным источником доказательств этого, даже если эти свидетельства следует использовать с осторожностью.

E- Воспоминания

Повторное открытие сталинских массовых убийств в Советском Союзе тесно связано со взрывом интереса к истории советского общества во время перестройки Михаила Горбачева во второй половине 1980-х годов.В Ленинграде, где мэр Анатолий Собчак был одним из главных деятелей реформ, братские могилы в Левашове были заново открыты усилиями местных активистов во главе с Валентином Муравским. Отказ КГБ раскрыть места массовых захоронений был отменен решением городского Совета Ленинграда 18 июля 1989 г. (Разумов, 2006: 9). Место Левашово было признано «мемориальным кладбищем» (название было весьма знаменательным, так как оно было таким же, как и открытое в 1960-х годах Пискаревское мемориальное кладбище, на котором захоронены жертвы блокады Ленинграда).

Рукописная самодельная тарелка, напоминающая память жертвы

Фотографии: © François-Xavier Nerard:

Левашово стремительно и стихийно стало местом массового увековечения памяти Большого террора. Похоже, что в этом районе были и другие места массовых захоронений, например, в Тосково, проводились некоторые судебно-медицинские исследования, но ни одно другое место не получило такого статуса, как Левашово (Адлер, 2005: 1108).Родственники погибших (даже если не было уверенности в том, что их родители действительно похоронены в Левашово) приходили сюда, чтобы вспомнить своих близких. Люди прикрепляли к деревьям ленточки, приносили фотографии родителей или таблички с их именами и датами. Эти маленькие признаки траура разрастались повсюду на поляне, придавая Левашово особую популярную атмосферу. Это массовое присвоение массовых захоронений сделало Левашово центром памяти о Великом терроре в Ленинградской области.Как это часто бывает в регионах России, эта память представляет собой сеть реальных мест, таких как Левашово или здания НКВД («Большой Дом» или «Большой дом») и книг памяти (уже упомянутых выше). опубликованы как в печати, так и в Интернете, а также опубликованы показания родственников погибших. Когда территория Левашово была официально передана муниципалитету службами безопасности (май 1990 г.), соответствующий департамент приступил к разработке проектов планировки этого объекта.Эти планы не были реализованы из-за обострения экономического и политического кризиса в России в то время.

Опасаясь перспективы монументального мемориализации советского типа и стремясь сохранить «народный облик» места, активисты во главе с Анатолием Разумовым начали возводить памятники национальным меньшинствам в надежде, что их будет сложнее с политической точки зрения. убрать чем мелкие народные признаки горя (интервью с автором, июнь 2008 г.). Так, 8 мая 1992 года был установлен памятник белорусам и литовцам.За ним должны были последовать 15 памятников национальным меньшинствам или конкретным группам (Nérard, 2008: 152). Последний был посвящен итальянским жертвам террора и торжественно открыт послом Италии в Российской Федерации в июле 2007 года. Есть также памятники украинцам, финнам, ингерманландцам, немцам, монахиням монастыря и работникам Ленинградской энергетики. Компания. Единственный памятник, не являющийся общественным, был построен мэрией Ленинграда в 1996 году. Это скульптура Н. Галицкой и В.Гамбарова и называют «Молохом тоталитаризма», но воздвигнут он за пределами кладбища, прямо перед входными воротами. Одна из определяющих характеристик Левашово — сосуществование личных воспоминаний (при входе посетители могут звонить в колокол, чтобы вспомнить своих близких) и общественных воспоминаний.

Центральное место Левашово в памяти Террора признано муниципалитетом Ленинграда (позднее Санкт-Петербург). Оно поддерживало и поддерживает кладбище, оплачивая небольшому персоналу и предлагая родственникам арендованный автобус из центра города до кладбища два раза в год (начало июня и 30 октября, день памяти жертв политических репрессий). .Символический статус Левашово еще больше усилился, когда Лидия Чуковская, известная писательница и диссидентка, получила в 1995 году Государственную премию и передала полученные деньги кладбищу, разрешив на этом месте важные работы.

Почти интимный и личный подход к террору также выбран и развит Анатолием Разумовым и его небольшой командой при издании «Ленинградского мартиролога». Список людей, которых можно найти в таких книгах почти повсюду в России, сопровождается несколькими личными рассказами о людях, чьи имена были опубликованы в Мартирологе.В большинстве случаев это свидетельские показания родственников, но это также и данные из архивов КГБ. Такой индивидуальный подход к террору дополняется личными фотографиями жертв (Разумов, 2006: 638-639, фото 1-88), а не фотографиями из уголовных дел, как это часто бывает в других местах.

F- Общие и юридические толкования фактов

Ограда кладбища

Фотографии: © François-Xavier Nerard:

Как и в случае с Бутово под Москвой, повторное открытие мест массовых убийств и их увековечение способствует интерпретации Большого террора как историками, так и российским обществом.Кропотливая работа по установлению имен и судьбы жертв Большого террора является важной частью этой исторической работы. В результате стало легче назвать виновников террора. Доступные теперь новые статистические данные позволяют нам лучше понять, кто был целью Большого террора. Это позволило нам выйти за рамки разделений, которые долгое время характеризовали историографию (тоталитарная школа с одной стороны, ревизионисты — с другой) централизации процесса и роли Сталина.Глобальная интерпретация Большого террора сейчас вызывает гораздо меньше споров, чем раньше, и чаще выражается в терминах социальной инженерии и сложных взаимодействий различных слоев репрессий, например против элиты или против населения (Werth, 2006). Работа с ранее недоступными архивами дает нам некоторые ключи к более эффективному раскрытию механизмов террора, даже если часть этой работы все еще продолжается.

Левашово — это место личных воспоминаний отдельных людей или групп (этнических и даже профессиональных).Смешение индивидуальной и групповой памяти, которое можно найти в Ленинградской области и в Левашово, заставляет нас усомниться в значении террора. Как и в Бутово, официальная поддержка реальна (оба муниципалитета помогают в создании этих памятных мест), но всегда остается в тени. Даже если у входа на Левашовское кладбище есть небольшой музей, он не претендует на глобальную интерпретацию с точки зрения национальной (советской) истории. Таким образом, остается открытым вопрос о присвоении таких мест всем обществом.Кто едет в Левашово? Кто читает книги памяти? Что будет с такими местами, когда уйдут поколения, имеющие непосредственное отношение к жертвам? Как память о Большом терроре будет передана новым поколениям? Все эти вопросы по-прежнему находятся в центре внимания российского общества.

G- Библиография

Статьи

АДЛЕР, Нэнси, 2005, «Будущее советского прошлого остается непредсказуемым», Исследования Европы и Азии , 57: 1094-1119.

ФЕРРЕТТИ, Мария, 1996, «La mémoire refoulée. La Russie devant le passé stalinien », Annales HSS , 50: 1237-1257

ILIC, Мелани, 2000, «Большой террор в Ленинграде: количественный анализ», Исследования Европы и Азии , 52: 1515-1534.

КОЗЛОВ, Денис, 2002, «Ленинградский мартиролог: статистическая справка о казнях 1937 года в Ленинграде и области», Canadian Slavonic Papers , 44: 175-208.

МАРТИН, Терри, 1998, «Истоки советской этнической чистки», Журнал современной истории , 70: 813-861.

ШАПОВАЛ Юрий, 2002, «Соловецкая трагедия: незамеченная годовщина»], Зеркало недели , 16. Доступно на сайте https://zn.ua/3000/3150/34604/

ВЕРТ, Николас, 2006, «Массовые операции Гранд Терреур в URSS, 1937-1938», Bulletin de l’IHTP , 86: 6-167.

Книги

ЗАВОЕВАНИЕ, Роберт, 1968, Большой террор; Сталинская чистка 30-х годов , Нью-Йорк: Макмиллан.

ЦУЙКИНА, Софья, 2006, Дворянская Память: «бывшие в советском городе» (Ленинград, 1920-30-е годы) , [« Память дворян:« бывшие »люди в советском городе» ( Ленинград , 1920-1930-е гг.) «], Санкт-Петербург: Европейский университет.

ДРАЧ, Иван, КУЛАКОВСКИЙ, Петр, СМИРНОВ, Г.Л., ШАПОВАЛ, Ю. И ЗИНЧЕНКО А.Л., 1997, Остання адрес: до 60-летия соловецкой трагедии [ Последний адрес: к 60-летию Соловецкой трагедии ], Киев: Выд-во Сфера.

GETTY, John Arch, 1985, Истоки больших чисток: пересмотр Советской коммунистической партии, 1933-1938 , Кембридж; Нью-Йорк: Издательство Кембриджского университета.

ЮНГЕ, Марк, БИННЕР, Рольф СТЕПАНОВ, А., 2003, Как террор стал «большим»: секретный приказ №. 00447 и технология его исполнения, Как террор стал« великим »: секретный приказ № 00447 и технология его выполнения »], Москва: АИРО-XX.

МАРТИН, Терри, 2001, Империя позитивных действий: нации и национализм в Советском Союзе, 1923-1939 , Итака: Cornell University Press.

МОЗОХИН, Олег, 2006, Право на репрессии: внесудебные полномочия органов государственной безопасности, 1918–1953 [«Закон о репрессиях: внесудебные полномочия органов государственной безопасности, 1918–1953»] , Москва; Жуковский: Кучково поле.

РАЗУМОВ, Анатолий Я., 1997-2008, Ленинградский мартиролог, 1937-1938 [ The Ленинград Мартиролог, 1937-1938 ], 8 томов, Санкт-Петербург: Российская национальная библиотека.

РАЗУМОВ, Анатолий Я., 2006, Левашовское мемориальное кладбище [ Левашовское мемориальное кладбище ], Санкт-Петербург: Российская национальная библиотека.

WERTH, Nicolas, 2007, La terreur et le désarroi: Staline et son système ,: Perrin.

Главы книги

NERARD, Франсуа-Ксавье, «La mémoire de Boutovo, массовые убийства трогательных годовщин в Советской России», в Бюше Люк и Сегуи Изабель (ред.), 2008, Vers une anthropologie des catastrophes: Actes des 9e journées d’anthropologie de Valbonne , Antibes: Éditions apdca, pp.143-159.

ПЕТРОВ Никита, РОГИНСКИЙ Арсений, «Польская операция НКВД 1937-1938 гг.» В ГУРЬЯНОВ А. (ред.), 1997, Репрессии против Поляков и польских граждан , М .: Звеня, 22–43.

Переведено на английский язык

ПЕТРОВ Никита, РОГИНСКИЙ Арсений, «Польская операция НКВД, 1937-1938 гг.» В Маклулин, Барри МакДЕРМОТ, Кевин (ред.), 2003, Сталинский террор: высокая политика и массовые репрессии в Советском Союзе , Лондон: Макмиллан, стр. 153-172.

Сайты

Сайт памяти жертв сталинского террора в Северо-Западном регионе СССР, поддерживается А. Разумовым, http://visz.nlr.ru/index.html

Сайт общества «Мемориал», http://old.memo.ru/memory/martirol/index.htm]

Сайт Санкт-Петербургского центра научной информации «Мемориал», http: // www.memorial-nic.org/

Будущие перспективы для анализа межиндивидуальной изменчивости в абсорбции, распределении и устранении растительных биологически активных веществ, имеющих отношение к кардиометаболическим конечным точкам

  • 1.

    Коллинз Т., Миккельсен Б., Адамс Дж., Честнов О., Эванс Т., Фейгл А., Nugent R, Pablos-Mendez A, Srivanichakorn S, Webb D (2018) Решение проблемы НИЗ: a объединяющая повестка дня устойчивого развития. Глобальное общественное здравоохранение 13 (9): 1152–1157. https://doi.org/10.1080/17441692.2017.13

    Артикул Google Scholar

  • 2.

    Boutayeb A, Boutayeb S (2005) Бремя неинфекционных болезни в развивающихся странах. Int J Equity Health 4 (1): 2. https://doi.org/10.1186/1475-9276-4-2

    Артикул PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 3.

    Afshin A, Sur PJ, Fay KA, Cornaby L, Ferrara G, Salama JS, Mullany EC, Abate KH, Abbafati C., Abebe Z, Afarideh M, Aggarwal A, Agrawal S, Akinyemiju Т., Алахдаб Ф., Бача У, Бахман В.Ф., Бадали Х., Бадави А., Бенсенор И.М., Бернабе Э., Биаджилин СКК, Бирюков С.Х., Кэхилл Л.Е., Карреро Дж.Дж., Серси К.М., Дандона Л., Дандона Р., Данг А.К., Дегефа М.Г., Эль-Сайед Заки М., Эстегамати А., Эстегамати С., Фанзо Дж., Фаринья CSeS, Фарвид М.С., Фарзадфар Ф., Фейгин В.Л., Фернандес Дж.С., Флор Л.С., Фойгт NA, Forouzanfar MH, Ganji M, Geleijnse JM, Gillum RF, Goulart AC, Grosso G, Guessous I, Hamidi S, Hankey GJ, Harikrishnan S, Hassen HY, Hay SI, Hoang CL, Хорино М., Ислами Ф., Джексон, доктор медицины, Джеймс С.Л., Йоханссон Л., Йонас Дж. Б., Касаэян А., Хадер Ю.С., Халил И.А., Ханг Й.Х., Кимокоти Р.В., Кокубо Й., Кумар Г.А., Лаллукка Т., Лопес А.Д., Лорковски С., Лотуфо П.А., Лозано Р., Малекзаде Р., Марц В., Мейер Т., Мелаку Я., Мендоза В., Менсинк ГБМ, Миша Р., Миллер Т.Р., Мирарефин М., Мохан В., Мокдад А.Х., Мозаффариан Д., Нагель Г., Нагави М., Нгуен К. Т., Никсон М. Р., Онг К. Л., Перейра Д.М., Поустчи Х., Корбани М., Рай Р.К., Разо-Гарсия К., Рем С.Д., Ривера Д.А., Родригес-Рамирес С., Рошандель Дж., Рот Г.А., Санабрия Дж., Санчес-Пимиента Т.Г., Сарториус Б., Шмидхубер Дж., Шютте А.Э., Сепанлу С.Г., Шин М.-Дж., Соренсен Р.Дж., Спрингманн М., Шпонар Л., Торн-Лайман А.Л., Thrift AG, Тувье М., Тран Б.Х., Тироволас С., Укваджа К.Н., Уллах И., Усман О.А., Ваезгасеми М., Васанкари Т.Дж., Воллсет SE, Vos T, Vu GT, Vu LG, Weiderpass E, Werdecker A, Wijeratne T, Willett WC, Wu JH, Xu G, Yonemoto N, Yu C, Murray CJL (2019) Воздействие на здоровье диетических рисков в 195 стран, 1990–2017 гг .: систематический анализ глобального бремени болезней исследование 2017.Ланцет. https://doi.org/10.1016/s0140-6736(19)30041-8

    Артикул Google Scholar

  • 4.

    Satija A, Bhupathiraju SN, Rimm EB, Spiegelman D, Chiuve SE, Borgi L, Willett WC, Manson JE, Sun Q, Hu FB (2016) Модели питания на основе растений и заболеваемость диабетом 2 типа у мужчин и женщин в США: результаты трех проспективных исследований. когортные исследования. PLoS Med 13 (6): e1002039 – e1002039. https://doi.org/10.1371/journal.pmed.1002039

    Артикул PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 5.

    Петерсен К.С., Флок М.Р., Рихтер К.К., Мухерджа Р., Славин Ю.Л., Kris-Etherton PM (2017) Образцы здорового питания для предотвращения кардиометаболизма болезнь: роль продуктов растительного происхождения и продуктов животного происхождения. Курр Дев Нутр 1 (12): cdn.117.001289. https://doi.org/10.3945/cdn.117.001289

    Артикул PubMed Central Google Scholar

  • 6.

    Heidemann C, Schulze MB, Franco OH, van Dam RM, Mantzoros CS, Hu FB (2008) Особенности питания и риск смерти от сердечно-сосудистых заболеваний, рак и все причины в предполагаемой когорте женщин.Тираж 118 (3): 230–237. https://doi.org/10.1161/circulationaha.108.771881

    Артикул PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 7.

    Гибни Э.Р., Миленкович Д., Комбет Е, Русковская Т., Грейлинг А, Гонсалес-Сарриас А, де Роос Б, Томас-Барберан Ф, Моран С, Родригес-Матеос А (2019) Факторы, влияющие на кардиометаболический ответ на (поли) фенолы и фитостеролы: обзор деятельности ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ СТОИМОСТИ. Euro J Nutr.https://doi.org/10.1007/s00394-019-02066-6

    Артикул Google Scholar

  • 8.

    Borel P, Desmarchelier C, Nowicki M, Bott R, Morange S, Lesavre N (2014) Индивидуальная вариабельность биодоступности лютеина у здоровых мужчин: характеристика, вовлеченные генетические варианты и связь с плазмой натощак концентрация лютеина. Am J Clin Nutr 100 (1): 168–175. https://doi.org/10.3945/ajcn.114.085720

    CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 9.

    Ахуджа В, Миура К., Вишну А., Фудзиёси А., Эванс Р., Заид М., Миягава N, Хисамацу Т., Кадота А., Окамура Т., Уэсима Х., Секикава А. (2017) Значительный обратная связь статуса эквол-продуцента с кальцификацией коронарной артерии но не диетические изофлавоны у здоровых японских мужчин. Br J Nutr 117 (2): 260–266. https://doi.org/10.1017/s000711451600458x

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 10.

    Greiwe JS, Schwen RJ, Jackson RL (2011) Новые свидетельства польза для здоровья S-эквола, агониста рецептора эстрогена β.Nutr Rev 69 (8): 432–448. https://doi.org/10.1111/j.1753-4887.2011.00400.x

    Артикул PubMed Google Scholar

  • 11.

    Manach C, Milenkovic D, Van de Wiele T, Rodriguez-Mateos A, de Roos Б., Гарсия-Конеса М. Т., Ландберг Р., Гибни Э. Р., Хейнонен М., Томас-Барберан Ф., Моран C (2017) Обращение к индивидуальным различиям в ответ на потребление биоактивные вещества растительной пищи: к лучшему пониманию их роли в здоровом старение и снижение кардиометаболического риска.Mol Nutr Food Res 61 (6): 1600557. https://doi.org/10.1002/mnfr.201600557

    CAS Статья Google Scholar

  • 12.

    Бон Т., Десмаршелье С., Драгстед ЛО, Нильсен С.С., Шталь В., Рюль Р., Кейджер Дж., Борел П. (2017) Факторы, связанные с хозяином, объясняющие вариабельность биодоступности каротиноидов и концентраций в тканях человека. Mol Nutr Food Res 61 (6): 1600685. https://doi.org/10.1002/mnfr.201600685

    CAS Статья PubMed Central Google Scholar

  • 13.

    Almeida AF, Borge GIA, Piskula M, Tudose A, Tudoreanu L, Valentová K, Williamson G, Santos CN (2018) Биодоступность кверцетина у людей с сосредоточиться на индивидуальных вариациях. Compr Rev Food Sci Food Saf 17 (3): 714–731. https://doi.org/10.1111/1541-4337.12342

    CAS Статья Google Scholar

  • 14.

    Бон Т., Десмаршелье С., Эль С.Н., Кейер Дж., Ван Шотхорст Э., Рюль Р., Borel P (2019) β-каротин в организме человека: метаболическая биоактивация пути — от пищеварения до тканевого распределения и выведения.Proc Nutr Soc 78 (1): 68–87. https://doi.org/10.1017/s0029665118002641

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 15.

    Холдин Э., Эриксен А., Бруниус К., да Силва А., Бронза М, Ханхинева К., Аура AM, Ландберг R (2019) Факторы, объясняющие межличностные изменения в плазме концентрации энтеролактона в организме человека. Mol Nutr Food Res 28: e1801159. https://doi.org/10.1002/mnfr.201801159

    CAS Статья Google Scholar

  • 16.

    Bento-Silva A, Koistinen V, Mena P, Bronze M, Hanhineva K, Sahlström S, Kitryte V, Moco S, Aura A (2019) Факторы, влияющие на потребление, метаболизм и польза для здоровья от фенольных кислот. Понимаем ли мы, изменчивость? Euro J Nutr. https://doi.org/10.1007/s00394-019-01987-6

    Артикул Google Scholar

  • 17.

    Bess EN, Bisanz JE, Spanogiannopoulos P, Ang QY, Bustion A, Китамура С., Альба Д.Л., Волан Д.В., Коливад С.К., Тернбо П.Дж. (2018) Генетическая основа для совместной биоактивации лигнанов растений кишечными бактериями человека консорциум.bioRxiv. https://doi.org/10.1101/357640

    Артикул Google Scholar

  • 18.

    Бенто-Силва А., Койстинен В.М., Мена П., Бронза М.Р., Ханхинева К., Sahlstrøm S, Kitrytė V, Moco S, Aura A-M (2019) Факторы, влияющие на потребление, метаболизм и польза для здоровья от фенольных кислот: понимаем ли мы индивидуальные изменчивость? Eur J Nutr. https://doi.org/10.1007/s00394-019-01987-6

    Артикул PubMed Google Scholar

  • 19.

    Tomás-Barberán FA, González-Sarrías A, García-Villalba R, Núñez-Sánchez MA, Selma MV, García-Conesa MT, Espín JC (2017) Уролитины, спасение «старых» метаболитов, чтобы понять «новую» концепцию: метаботипы как взаимосвязь между фенольным метаболизмом, дисбиозом микробиоты и состоянием здоровья хозяина. Mol Nutr Food Res 61 (1): 1500901. https://doi.org/10.1002/mnfr.201500901

    CAS Статья Google Scholar

  • 20.

    González-Sarrías A, García-Villalba R, Romo-Vaquero M, Alasalvar C, Örem A, Zafrilla P, Tomás-Barberán FA, Selma MV, Espín JC (2017) Кластеризация согласно метаботипу уролитина объясняет индивидуальную вариабельность в улучшение биомаркеров сердечно-сосудистого риска у людей с избыточной массой тела и ожирением люди, потребляющие гранат: рандомизированное клиническое испытание.Мол Нутр Фуд Рез 61 (5): 1600830. https://doi.org/10.1002/mnfr.201600830

    CAS Статья Google Scholar

  • 21.

    Istas G, Feliciano RP, Weber T, Garcia-Villalba R, Tomas-Barberan F, Heiss C, Rodriguez-Mateos A (2018) Метаболиты уролитина в плазме коррелируют с улучшением функции эндотелия после употребления красной малины: a двойное слепое рандомизированное контролируемое исследование. Arch Biochem Biophys 651: 43–51. https://doi.org/10.1016 / j.abb.2018.05.016

    CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 22.

    Сельма М.В., Гонсалес-Сарриас A, Салас-Сальвадо J, Андрес-Лакуева C, Alasalvar C, Örem A, Tomás-Barberán FA, Espín JC (2018) Микробиота кишечника метаболизм эллагитаннинов граната или грецкого ореха дает два уролитин-метаботипы, которые коррелируют с биомаркерами кардиометаболического риска: сравнение нормального веса, избыточного веса-ожирения и метаболического синдрома.Clin Нутрь 37 (3): 897–905. https://doi.org/10.1016/j.clnu.2017.03.012

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 23.

    Espín JC, Larrosa M, García-Conesa MT, Tomás-Barberán F (2013) Биологическое значение уролитинов, кишечных микробов, происходящих из эллаговой кислоты. метаболиты: доказательства на данный момент. Альтернативная медицина на основе доказательств 2013: 270418. https://doi.org/10.1155/2013/270418

    Артикул PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 24.

    Selma MV, Beltrán D, Luna MC, Romo-Vaquero M, García-Villalba R, Mira A, Espín JC, Tomás-Barberán FA (2017) Изоляция кишечника человека бактерии, способные продуцировать биоактивный метаболит изоуролитин А из эллаговая кислота. Front Microbiol 8: 1521. https://doi.org/10.3389/fmicb.2017.01521

    Артикул PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 25.

    Romo-Vaquero M, Cortés-Martín A, Loria-Kohen V, Ramírez-de-Molina A, Гарсия-Мантрана I, Collado MC, Espín JC, Selma MV (2019) Расшифровка Микробиом кишечника человека метаботипов уролитина: связь с энтеротипами и потенциальные кардиометаболические последствия для здоровья.Mol Nutr Food Res 63 (4): 1800958. https://doi.org/10.1002/mnfr.201800958

    CAS Статья Google Scholar

  • 26.

    Brett GM, Hollands W, Needs PW, Teucher B, Dainty JR, Davis BD, Brodbelt JS, Kroon PA (2009) Поглощение, метаболизм и выведение флаванонов от единичных порций апельсинового сока и фруктов и антропометрических переменные и использование противозачаточных таблеток на экскрецию флаванона. Br J Nutr 101 (5): 664–675. https: // doi.org / 10.1017 / s000711450803081x

    CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 27.

    Vallejo F, Larrosa M, Escudero E, Zafrilla MP, Cerdá B, Boza J, Гарсия-Конеса М.Т., Эспин JC, Томас-Барберан Ф.А. (2010) Концентрация и растворимость флаванонов в апельсиновых напитках влияет на их биодоступность в люди. J. Agric Food Chem. 58 (10): 6516–6524. https://doi.org/10.1021/jf100752j

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 28.

    Aschoff JK, Riedl KM, Cooperstone JL, Högel J, Bosy-Westphal A, Schwartz SJ, Carle R, Schweiggert RM (2016) Выделение цитрусовых с мочой флаваноны и их основные катаболиты после употребления свежих апельсинов и пастеризованный апельсиновый сок: рандомизированное перекрестное исследование. Мол Нутр Фуд Рес 60 (12): 2602–2610. https://doi.org/10.1002/mnfr.201600315

    CAS Статья Google Scholar

  • 29.

    Gavaghan CL, Holmes E, Lenz E, Wilson ID, Nicholson JK (2000) An Метабономический подход на основе ЯМР для исследования биохимических последствий генетические различия штаммов: приложение к мыши C57BL10J и Alpk: apfCD.FEBS Lett 484 (3): 169–174. https://doi.org/10.1016/s0014-5793(00)02147-5

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 30.

    Li M, Wang B, Zhang M, Rantalainen M, Wang S, Zhou H, Zhang Y, Shen Дж, Пан Х, Чжан М, Вэй Х, Чен И, Лу Х, Цзо Дж, Су М, Цю Ю, Цзя В, Сяо Ц, Смит Л. М., Ян С., Холмс Е., Тан Х, Чжао Г., Николсон Дж. К., Ли Л., Чжао Л. (2008) Симбиотические кишечные микробы модулируют метаболические фенотипы человека. Proc Natl Acad Sci США 105 (6): 2117–2122.https://doi.org/10.1073/pnas.0712038105

    Артикул PubMed Google Scholar

  • 31.

    Bolca S, Van de Wiele T, Possemiers S (2013) Метаботипы кишечника управляют влияние пищевых полифенолов на здоровье. Curr Opin Biotechnol 24 (2): 220–225. https://doi.org/10.1016/j.copbio.2012.09.009

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 32.

    Riedl A, Gieger C, Hauner H, Daniel H, Linseisen J (2017) Метаботипирование и его применение в целевом питании: обзор.Br J Nutr 117 (12): 1631–1644. https://doi.org/10.1017/s0007114517001611

    CAS Статья Google Scholar

  • 33.

    Cornelis MC, El-Sohemy A, Kabagambe EK, Campos H (2006) Coffee, Генотип CYP1A2 и риск инфаркта миокарда. JAMA 295 (10): 1135–1141. https://doi.org/10.1001/jama.295.10.1135

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 34.

    Palatini P, Ceolotto G, Ragazzo F, Dorigatti F, Saladini F, Papparella I, Mos L, Zanata G, Santonastaso M (2009) Генотип CYP1A2 модифицирует связь между употреблением кофе и риском гипертонии.J Hypertens 27 (8): 1594–1601. https://doi.org/10.1097/hjh.0b013e32832ba850

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 35.

    Палмнас М., Бруниус К., Торрес Н., Кун И., Тьённеланд А., Риккард Дж., Нильсен Дж., Андрес-Лакуева Дж., Ландберг Р. (2019) Метаботипирование: персонализированное стратегия питания для улучшенной профилактики кардиометаболических заболеваний? Adv Nutr (представлен)

  • 36.

    Ras RT, Hiemstra H, Lin Y, Vermeer MA, Duchateau GSMJE, Trautwein EA (2013) Потребление продуктов, обогащенных растительными стеролами, и их влияние на плазматические растения концентрации стерола — метаанализ рандомизированных контролируемых исследований.Атеросклероз 230 (2): 336–346. https://doi.org/10.1016/j.atherosclerosis.2013.08.012

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 37.

    Koistinen VM, da Silva AB, Abrankó L, Low D, Villalba RG, Barberán FT, Ландберг Р., Саволайнен О., Альварес-Асеро I, де Паскуаль-Тереза ​​С., Ван Поук C, Алмейда C, Петраскова Л., Валентова К., Дюран С., Вичковски В., Савара-Новак Д., Гонсалес-Домингес Р., Льорах Р., Андрес-Лакуева С., Аура А. М., Сеппянен-Лааксо Т., Ханхинева К., Манах К., Бронза М.Р. (2018) Тест межлабораторного охвата на биоактивные соединения пищевых продуктов для растений и их метаболиты методом масс-спектрометрии нецеленаправленная метаболомика.Метаболиты 8 (3): 46. https://doi.org/10.3390/metabo8030046

    CAS Статья PubMed Central Google Scholar

  • 38.

    Tomás-Barberán FA, Espín JC (2019) Влияние структуры питания и обработка взаимодействий (Поли) фенола и кишечной микробиоты и влияние на человека здоровье. Энн Рев Фуд Sci Technol 10 (1): 221–238. https://doi.org/10.1146/annurev-food-032818-121615

    CAS Статья Google Scholar

  • 39.

    Cassidy A, Minihane A-M (2017) Роль метаболизма (и микробиом) при определении клинической эффективности пищевых флавоноидов. Am J Clin Nutr 105 (1): 10–22. https://doi.org/10.3945/ajcn.116.136051

    CAS Статья Google Scholar

  • 40.

    Rodriguez-Mateos A, Rendeiro C, Bergillos-Meca T, Tabatabaee S, Джордж TW, Heiss C, Spencer JPE (2013) Потребление и зависимость черники от времени улучшение функции сосудов, вызванное флавоноидами: рандомизированное, контролируемое, двойное слепое перекрестное исследование вмешательства с механистическим пониманием биологическая активность.Амер Дж. Клин Нутр 98 (5): 1179–1191. https://doi.org/10.3945/ajcn.113.066639

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 41.

    Koistinen VM, da Silva AB, Abranko L, Low D, Villalba RG, Barberan FT, Ландберг Р., Саволайнен О., Альварес-Асеро I, де Паскуаль-Тереза ​​С., Ван Поук C, Алмейда C, Петраскова Л., Валентова К., Дюран С., Вичковски В., Савара-Новак Д., Гонсалес-Домингес Р., Льорах Р., Андрес-Лакуева С., Аура А. М., Сеппанен-Лааксо Т., Ханхинева К., Манах К., Бронза М.Р. (2018) Тест межлабораторного охвата на биоактивные соединения пищевых продуктов для растений и их метаболиты методом масс-спектрометрии нецеленаправленная метаболомика.Метаболиты 8 (3): 46. https://doi.org/10.3390/metabo8030046

    CAS Статья PubMed Central Google Scholar

  • 42.

    PhytoHub. wwwphytohubeu Дата обращения 05.03.2019

  • 43.

    Djoumbou-Feunang Y, Fiamoncini J, Gil-de-la-Fuente A, Greiner R, Manach C, Wishart DS (2019) BioTransformer: комплексный вычислительный инструмент для прогнозирования метаболизма малых молекул и идентификации метаболитов. J Химинформатика 11 (2): 1–25.https://doi.org/10.1186/s13321-018-0324-5

    Артикул Google Scholar

  • 44.

    FoodComEx. wwwfoodcomexorg Дата обращения 05.03.2019

  • 45.

    Stanstrup J, Neumann S, Vrhovsek U (2015) PredRet: предсказание время удерживания путем прямого картирования между несколькими хроматографическими системами. Анальный Chem 87 (18): 9421–9428. https://doi.org/10.1021/acs.analchem.5b02287

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 46.

    Ni G, Moser G, Ripke S, Neale BM, Corvin A, Walters JTR, Farh K-H, Холманс П.А., Ли П., Булик-Салливан Б., Кольер Д.А., Хуанг Х., Перс Т.Х., Агарц I, Агербо Э., Альбус М., Александр М., Амин Ф., Бакану С.А., Бегеманн М., Белливо Р.А., Bene J, Bergen SE, Bevilacqua E, Bigdeli TB, Black DW, Bruggeman R, Buccola NG, Бакнер Р.Л., Байерли В., Кан В., Кай Дж., Кэмпион Д., Кантор Р.М., Карр В.Дж., Каррера Н., Каттс С.В., Чамбер К.Д., Чан RCK, Чен РЫЛ, Чен ЭЙХ, Ченг В., Чунг EFC, Чонг SA, Cloninger CR, Коэн Д., Коэн Н., Кормикан П., Крэддок Н., Кроули Дж. Дж., Кертис Д., Дэвидсон М., Дэвис К. Л., Дегенхардт Ф., Дель Фаверо Дж., Демонтис Д., Дикеос Д., Динан Т., Джурович С., Донохо Дж., Драпо Э, Дуан Дж., Дадбридж Ф., Дурмиши Н., Эйххаммер П., Эрикссон Дж., Эскотт-Прайс В., Эссиу Л., Фанус А.Х., Фаррелл М.С., Фрэнк Дж., Франке Л., Фридман Р., Фраймер Н. Б., Фридл М., Фридман Дж. И., Фромер М., Дженовезе Дж., Георгиева Л., Гиглинг И., Джусти-Родригес П., Годар С., Гольдштейн Д. И., Голимбет В., Гопал С., Граттен Дж., Де Хаан Л., Хаммер С., Хамшер М.Л., Хансен М., Хансен Т., Арутюнян В., Хартманн А.М., Хенскенс Ф.А., Хермс С., Хиршхорн Ю.Н., Хоффманн П., Хофман А., Холлегаард М.В., Хугард Д.М., Икеда М., Хоа И., Юлия А., Кан Р.С., Калайджиева Л., Карачанак-Янкова С., Карьялайнен Дж., Кавана Д., Келлер М.К., Кеннеди Дж. Л., Хрунин А., Ким И., Кловинс Дж., Ноулз Дж. А., Конте Б., Кучинскас В., Кучинскиене З.А., Кузелова-Птацкова Х., Келер А.К., Лоран С., Кеонг JLC, Legge SE, Лерер Б., Ли М., Ли Т., Лян Кей, Либерман Дж., Лимборска С., Лафланд С.М., Любински J, Lönnqvist J, Macek M, Magnusson PKE, Maher BS, Maier W, Mallet J, Marsal S, Mattheisen M, Mattingsda M, McCarley RW, McDonald C, McIntosh AM, Meier S, Meijer CJ, Melegh B, Melle I, Mesholam-Gately RI, Metspalu A, Michie PT, Milani Л., Миланова В., Мокраб Ю., Моррис Д. В., Морс О., Мерфи К. К., Мюррей Р. М., Мьин-Гермейс Я, Мюллер-Мисок Б., Нелис М., Ненадич И., Нертней Д.А., Нештадт Г., Никодемус К.К., Никитина-Заке Л., Нисенбаум Л., Нордин А., О’Каллаган Э., О’Душлейн К., О’Нил FA, Oh S-Y, Olinc A, Olsen L, Van Os J, Pantelis C, Papadimitriou GN, Papio S, Пархоменко Э., Пато М.Т., Паунио Т., Пейович-Милованцевич М., Перкинс Д.О., Пиетилайненл О., Пимм Дж., Поклингтон А. Дж., Пауэлл Дж., Прайс А, Пулвер А. Е., Перселл С.М., Кестед Д., Расмуссен Х. Б., Райхенберг А., Реймерс М. А., Ричардс А. Л., Роффман Дж. Л., Roussos P, Ruderfer DM, Salomaa V, Sanders AR, Schall U, Schubert CR, Schulze Т.Г., Шваб С.Г., Сколник Е.М., Скотт Р.Дж., Сайдман Л.Дж., Ши Дж., Сигурдссон Э., Силагадзе Т., Сильверман Дж. М., Сим К., Сломинский П., Смоллер Дж. У., Со Х. К., Спенсер С.А., Стах Э.А., Стефанссон Х., Стейнберг С., Стогманн Э., Штрауб Р.Э., Стренгман Э., Стромайер Дж., Строуп Т.С., Субраманиам М., Сувисаари Дж., Свракич Д.М., Шаткевич Дж. П., Седерман Э., Тирумалай С., Тончева Д., Тосато С., Вейхола Дж., Уоддингтон Дж., Уолш Д., Ван Д., Ван К., Уэбб Б.Т., Вайзер М., Вильденауэр Д. Б., Уильямс Н. М., Вильямс С., Витт Ш., Wolen AR, Wong EHM, Wormley BK, Xi HS, Zai CC, Zheng X, Zimprich F, Stefansson К., Вишер П.М., Адольфссон Р., Андреассен О.А., Блэквуд ДХР, Брамон Э., Буксбаум Д.Д., Бёрглум А.Д., Цишон С., Дарваси А., Доменичи Э., Эренрайх Х., Эско Т., Гейман П.В., Gill M, Gurling H, Hultman CM, Iwata N, Jablensky AV, Jönsson EG, Kendler KS, Киров Г., Найт Дж., Ленц Т., Левинсон Д.Ф., Ли К.С., Лю Дж., Малхотра А.К., Маккаррол С.А., Маккуиллин А., Моран Дж. Л., Мортенсен П. Б., Моури Б. Дж., Нётен М. М., Офофф Р. А., Оуэн М. Дж., Палоти А, Пато С.Н., Петришен Т.Л., Постума Д., Ритше М., Райли Б.П., Руджеску Д., Шам П.С., Склар П., Сент-Клер Д., Вайнбергер Д.Р., Вендланд-младший, Верге Т., Дейли М.Дж., Салливан П.Ф., О’Донован М.С., Рэй Н.Р., Ли С.Х. (2018) Оценка генетического корреляция через регрессию оценки неравновесия по сцеплению и геномное ограничение максимальная вероятность.Am J Hum Genet 102 (6): 1185–1194. https://doi.org/10.1016/j.ajhg.2018.03.021

    CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 47.

    Аутон А., Брукс Л.Д., Дурбин Р.М., Гаррисон Э.П., Канг Х.М., Корбел Дж.О., Marchini JL, McCarthy S, McVean GA, Abecasis GR (2015) Глобальный справочник по генетическая изменчивость человека. Nature 526 (7571): 68–74. https://doi.org/10.1038/nature15393

    CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 48.

    Чен Дж., Липска Б.К., Халим Н., Ма QD, Мацумото М., Мелхем С., Колачана Б.С., Хайд TM, Герман М.М., Апуд Дж., Иган М.Ф., Клейнман Дж. Э., Вайнбергер Д.Р. (2004) Функциональный анализ генетической изменчивости катехол- O -метилтрансферазы (COMT): влияние на мРНК, белок и фермент активность в посмертном мозге человека. Am J Hum Genet 75 (5): 807–821. https://doi.org/10.1086/425589

    CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 49.

    Inoue-Choi M, Yuan JM, Yang CS, Van Den Berg DJ, Lee MJ, Gao YT, Yu MC (2010) Генетическая ассоциация между генотипом COMT и уровнями в моче полифенолы чая и их метаболиты среди тех, кто ежедневно употребляет зеленый чай. Инт Дж Мол Epidemiol Genet 1 (2): 114–123

    CAS PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 50.

    Миллер Р.Дж., Джексон К.Г., Дадд Т., Мэйс А.Э., Браун А.Л., Лавгроув Дж.А., Minihane AM (2012) Влияние генотипа катехол- O -метилтрансферазы на функцию сосудов и кровь давление после острого приема зеленого чая.Mol Nutr Food Res 56 (6): 966–975. https://doi.org/10.1002/mnfr.201100726

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 51.

    Wu AH, Tseng CC, Van Den Berg D, Yu MC (2003) Потребление чая, COMT генотип и рак груди у американок азиатского происхождения. Может Res 63 (21): 7526–7529

    CAS Google Scholar

  • 52.

    Dostal AM, Samavat H, Espejo L, Arikawa AY, Stendell-Hollis NR, Kurzer MS (2016) Экстракт зеленого чая и генотип катехол- O -метилтрансферазы изменяют инсулин сыворотки натощак и концентрации адипонектина в плазме в рандомизированном контролируемом исследовании избыточной массы тела и женщины с ожирением в постменопаузе.J Nutr 146 (1): 38–45. https://doi.org/10.3945/jn.115.222414

    Артикул PubMed Google Scholar

  • 53.

    Mackenzie PI, Bock KW, Burchell B, Guillemette C, Ikushiro S, Iyanagi T, Miners JO, Owens IS, Nebert DW (2005) Обновление номенклатуры для суперсемейство гена UDP-гликозилтрансферазы (UGT) млекопитающих. Pharmacogenet Genomics 15 (10): 677–685

    CAS Статья Google Scholar

  • 54.

    Basten GP, ​​Bao Y, Williamson G (2002) Сульфорафан и его конъюгат глутатиона, но не нитрил сульфорафана, индуцируют UDP-глюкуронозил трансфераза (UGT1A1) и глутатионтрансфераза (GSTA1) в культивируемых клетках. Канцерогенез 23 (8): 1399–1404

    CAS Статья Google Scholar

  • 55.

    Чанг Дж. Л., Биглер Дж., Шварц Ю., Ли СС, Ли Л., Кинг И. Б., Поттер Дж. Д., Lampe JW (2007) Полиморфизм UGT1A1 связан с билирубином в сыворотке крови. концентрации в рандомизированном контролируемом испытании кормления фруктами и овощами.J Нутрь 137 (4): 890–897. https://doi.org/10.1093/jn/137.4.890

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 56.

    McLaren W, Gil L, Hunt SE, Riat HS, Ritchie GRS, Thormann A, Flicek P, Cunningham F (2016) Предиктор эффекта ансамбля вариантов. Геном Биол 17 (1): 122. https://doi.org/10.1186/s13059-016-0974-4

    CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 57.

    Possemiers S, Bolca S, Grootaert C, Heyerick A, Decroos K, Dhooge W, Де Кёкелейре D, Rabot S, Verstraete W, Van de Wiele T (2006) пренилфлавоноид изоксантогумол из хмеля ( Humulus lupulus L.) активируется в мощный фитоэстроген 8-пренилнарингенин in vitro и в кишечнике человека. J Nutr 136 (7): 1862–1867. https://doi.org/10.1093/jn/136.7.1862

    CAS Статья Google Scholar

  • 58.

    Studenik S, Vogel M, Diekert G (2012) Характеристика O -деметилазы Desulfitobacterium hafniense DCB-2.J Bacteriol 194 (13): 3317–3326. https://doi.org/10.1128/jb.00146-12

    CAS Статья PubMed PubMed Central Google Scholar

  • 59.

    Зиберт А., Шуберт Т., Энгельманн Т., Студеник С., Дикерт Г. (2005) Veratrol- O -деметилаза acetobacterium dehalogenans: АТФ-зависимое восстановление корриноидного белка. Arch Microbiol 183 (6): 378–384. https://doi.org/10.1007/s00203-005-0001-8

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • 60.

    Чен Дж-Х, Дэн Ц-И, Чжан И-Т, Лю З-М, Ван П-З, Лю С.-Л, Цянь В., Yang D-H (2016) Клонирование, экспрессия и характеристика четырехкомпонентной O -деметилазы из кишечника человека бактерия eubacterium limosum ZL-II. Appl Microbiol Biotechnol 100 (21): 9111–9124. https://doi.org/10.1007/s00253-016-7626-1

    CAS Статья PubMed Google Scholar

  • Публикации — Paskova Research Group

    Книги

    Нитриды с неполярными поверхностями: рост, свойства и устройства
    Wiley-VCH, Berlin, 2008, Ed.Паскова Т.
    (ISBM: 978-3-527-40768-2)

    Вакуумная наука и технология — нитриды глазами технологии
    Research Signpost, 2002, Eds. Т. Паскова и Б. Монемар
    (ISBN: 81-7736-198-8)

    Главы книги и обзоры

    15. М. Сломски, Л. Лю, Дж. Мут и Т. Паскова, Технология выращивания массивных подложек и шаблонов GaN, AlN, Глава книги В: Wengang Bi, (ed.), Справочник по полупроводниковым материалам и устройствам на основе GaN, Тейлор и Фрэнсис, 2017 г., глава 5, стр.139-163.

    14. О. Романюк, П. Йиричек, Т. Паскова, И. Бартос, , Полярность поверхностей GaN с полярными {0001} и полуполярными {10-11}, {10-21}, {11-22} ориентации: исследование рентгеновской фотоэлектронной дифракции, Обзорная статья В: J. Redwing, T. Paskova, Z. Lences and R.-J. Се (ред.), Journal Materials Research, Focus Issue on Nitrides and Oxynitride Materials 30 (2015), 2881-2892.

    13. Б.Л. Пирс, С. Уилкинс, Т. Паскова, А. Иванишевич, Обзор функционализации поверхности нитрида галлия in-situ с помощью химии химического стакана, Обзорная статья В: J. Redwing, T. Paskova, Z. Ленсес и Р.-Дж. Се (ред.), Journal Materials Research, Focus Issue on Nitrides and Oxynitride Materials 30 (2015), 2859-2870.

    12. М. Бикерманн и Т. Паскова, Рост паропереноса широкозонных материалов , Глава книги В: T.Нишинага и П. Рудольф (ред.), Справочник по выращиванию кристаллов — Vol. II: Объемный рост кристаллов, (Амстердам: Elsevier 2015), стр. 621–69.

    11. Б. Фейгельсон и Т. Паскова, Выращивание объемных кристаллов GaN, Глава книги В: П. Бхаттачарья, Р. Форнари и Х. Камимура (ред.), Комплексная полупроводниковая наука и технология, том 3 (Амстердам: Elsevier 2011) с.232-281.

    10. Т. Паскова, Д. Хансер и Кейт Эванс, GaN-подложки для III-нитридных устройств, Обзорная статья для специального выпуска об устройствах на основе GaN и ZnO в Proc.IEEE 97 (2010) стр.1324.

    9. Т. Паскова и Кейт Эванс, GaN-подложки — прогресс, состояние и перспективы, Обзорная статья для специального выпуска по твердотельному освещению в IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 15 (2009) p.1041.

    8. Т. Паскова, Развитие и перспективы нитридных материалов и устройств с неполярными поверхностями, Тематическая статья в Phys. Стат. Sol. (б) 245 (2008) с.1011-1025.

    7. Т. Паскова, Нитридные материалы и устройства с неполярными поверхностями: разработка и перспективы, Глава книги: Т.Паскова (ред.), «Нитриды с неполярными поверхностями: рост, свойства и устройства», (Wiley-VCH, 2008), стр.3-29.

    6. В. Даракчиева, Т. Паскова, М. Шуберт, Optical p хонон в a-плоскости GaN при анизотропной деформации, Глава книги: Т. Паскова (ред.), «Нитриды с неполярными поверхностями: рост, свойства и устройства », (Wiley-VCH, 2008), с.219-253.

    5. С. Фигге, К. Круз, Т. Паскова и Д. Хоммель, Эпитаксиальные технологии для коротковолновых оптоэлектронных устройств, Глава книги: G.Мулер, Ж.-Дж. Метуа, П. Рудольф (ред.), «Рост кристаллов — от основ до технологии», (Elsevier, 2004), стр. 295-318.

    4. Т. Паскова, Е. Валчева, Б. Монемар, Толстые пленки GaN, выращенные на сапфире: дефекты в сильно несовпадающих системах, Обзорная статья в Defect and Diffusion Forum 200-202 (2002) с.1-28.

    3. Т. Паскова и Б. Монемар, Рост толстых слоев GaN с помощью гидридной парофазной эпитаксии Глава книги: О. Манасре (ред.), «III-Нитридные полупроводники: рост» (Taylor & Francis Group, NY , 2003), стр.175-236.

    2. Т. Паскова и Б. Монемар, Рост III-нитридов: прошлое, настоящее и будущее, Глава книги: Т. Паскова и Б. Монемар (ред.), «Нитриды с точки зрения технологии», ( Указатель исследований, 2002), стр. 1-16.

    1. Т. Паскова и Б. Монемар, Квазиподложки HVPE-GaN для структур нитридных устройств, Глава книги: Б. Гил (ред.), «Низкоразмерные нитридные полупроводники», (Oxford University Press, 2002) , с.79-104.

    Журнальные статьи

    2020:

    263.Н. Блюменшейн, К. Кадлец, О. Романюк, Дж. Мут, Т. Паскова и Ф. Кадлец, Диэлектрические и проводящие свойства непреднамеренно легированного оловом Ga 2 O 3 изучены методом терагерцовой спектроскопии, Журнал прикладной физики 127 (2020) 165702.

    262. D.Q. Тран, Н. Блюменшейн, А. Мок, П. Суккаев, Х. Чжан, Дж.Ф. Мут, Т. Паскова, П.П. Пасков, В. Даракчиева, Теплопроводность тонких слоев со сверхширокой запрещенной зоной: AlGaN с высоким содержанием алюминия и b-Ga 2 O 3 , Physica B 579 (2020) 411810.

    2019:

    261. Н. Блюменшейн, Н. А. Мозер, Э. Р. Хеллер, Н. Миллер, А. Дж. Грин, А. Попп, А. Креспо, К. Лиди, М. Линдквист, Т. Муле, Э. Меркадо, М. Сингх, Дж. В. Помрой , М. Кубалл, Г. Вагнер, Т. Паскова, Дж. Ф. Мут, К. Д. Чабак и Г. Х. Джессен, Самонагревающиеся характеристики полевых МОП-транзисторов с Ga 2 O 3 Тонкоканальные МОП-транзисторы с помощью импульсной IV и рамановской нанотермографии, IEEE Сделка на электронных устройствах 67 (2019) 204-211.

    260. С. Глеко, О. Романюк, И. Гордеев, К. Кульдова, Т. Паскова, А. Иванишевич, Изменение свойств поверхности влажной химической обработкой Al x Ga 1-x N с градиентный алюминиевый состав, САУ Омега 4 (2019) 11760-11769.

    259. Блюменшейн, Т. Паскова и Дж. Мут, Влияние давления роста на Ga 2 O 3 Тонкие пленки для фотодетекторов глубокого УФ-излучения, Physica Status Solidi A 216 (2019) 1

    8.

    258. Т. Адамс, Н. Р. Винуэза, О. Романюк, И. Гордеев, Т. Паскова, А. Иванишевич, Наноструктурированный GaOOH, модифицированный реактивными водорастворимыми красителями желтого, красного и синего цветов, AIP Advances 9 ( 2019) 025005.

    257. Дж. Снайдер, Х. Дэвис, Н. Г. Берг, Б. Пирс, О. Романюк, П. Йиричек, Т. Паскова, А. Иванишевич, Пассивация полуполярного (10-1-1) GaN различными органическими соединениями. Адсорбаты, Письма по материалам 236 (2019) 201.

    2018:

    256.Блюменшейн, М. Сломски, П. П. Пасков, Ф. Каесс, М. Х. Брекенридж, Дж. Ф. Мут и Т. Паскова, Теплопроводность объемного и тонкопленочного β-Ga2O3, измеренная методом 3ω, Proc. SPIE OPTO Vol. 10533 (2018) 105332Г-1

    2017:

    255. P.P. Пасков, М. Сломски, Дж. Лич, Дж. Мут и Т. Паскова, Влияние легирования Si на теплопроводность массивного GaN при повышенных температурах — теория и эксперимент, AIP Advances 7 (9) (2017) 0

    .

    255 .. М. Сломский, Н. Блюменштейн, П.П. Пасков, Дж. Мут и Т. Паскова, Анизотропная теплопроводность bGa2O3 при повышенных температурах: влияние легирования Sn и Fe, Журнал прикладной физики 121 (2017) 235104

    254. И. Бартош, О. Романюк, Т. Паскова, П. Йиржичек, Изгиб электронных зон и чувствительность поверхности: рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия поверхностей GaN, Surface Science 664 (2017) 241-245

    253.Н.Г. Берг, Т. Паскова и А. Иванишевич, Настройка биосовместимости нитрида алюминия, Письма по материалам 189 (2017) 1-4

    252. М. Сломски, П.П. Пасков, Дж. Лич, Дж. Мут и Т. Паскова, Теплопроводность объемного GaN, выращенного методом HVPE — эффект легирования Si, Phys. Стат. Sol. (б) 254 (2017) 1600713

    2016:

    251. О Романюк, И. Бартош, Дж. Браул, П. Де Мьерри, Т. Паскова, П. Йиржичек, Определение полярности квантовых точек GaN методом рентгеновской фотоэлектронной дифракции, Applied Surface Science 389 (2016) 1156-1160

    250.И. Бартош, О. Романюк, Я. Гудкова, П. П. Пасков, Т. Паскова, П. Йиржичек, Изгиб электронных зон полярных, полуполярных и неполярных поверхностей GaN, Журнал прикладной физики 119 (2016) 105303.

    2015:

    249. С. Уилкинс, М. Дж. Сломски, Т. Паскова, Дж. Л. Вейхер и А. Иванишевич, Модулированная оптическая чувствительность с помощью наноструктурированного нитрида галлия , Прил. Phys. Lett. 106 (2015) 151602.

    248.С. Уилкинс, Т. Паскова, Л. К. Рейнольдс и А. Иванишевич, Сравнение стабильности функционализированных GaN и GaP , ChemPhysChem. 327 (2015) в печати.

    247. О. Романюк, П. Йиричек, И. Бартош, С. Фернандес-Гарридо, Л. Гилхаар, О. Брандт и Т. Паскова, Неразрушающая оценка полярности ансамблей нанопроволок GaN с использованием низко- электронная дифракция и рентгеновская фотоэлектронная дифракция, Appl. Phys.Lett. 106 (2015) 021602.

    246. С. Уилкинс, Т. Паскова и А. Иванишевич, Модифицированный химический состав поверхности, потенциал и оптические свойства полярного нитрида галлия через длинноцепочечные фосфоновые кислоты , Прил. Прибой. Sci. 327 (2015) 498-503.

    2014:

    245. О. Романюк, П. Йиричек, Т. Паскова и И. Бартош, Определение полярности полуполярных нитридов: рентгеновское фотоэлектронное исследование поверхностей GaN {10-11} и GaN {20-21}. Дж.Прил. Phys. 116 (2014) 104909.

    244. Н. Берг, М. В. Нолан, Т. Паскова и А. Иванишевич, Характеристика поверхности нитрида галлия, модифицированного пептидами, до и после воздействия ионизирующего излучения в растворах , Langmuir 30 (2014) 15477–15485.

    243. Ф. Лю, Л. Хуанг, Д. Шрайбер, С. Кучибатла, С. Тевутхасан, Э.А. Пребл, Т. Паскова, К. Р. Эванс, Р. Ф. Дэвис и Л. М. Портер, Анализ состава и границы раздела многоквантовых ям InGaN / GaN на подложках из GaN с использованием атомно-зондовой томографии , J.Vac. Sci. Technol. В 32 (2014) 051209.

    242. С.А. Измаил, М. Сломски, Х. Луо, М. Уайт, А. Хант, Н. Мандзи, Дж. Ф. Мут, Р. Несбит, Т. Паскова, В. Страка и Дж. Шварц, Теплопроводность и диэлектрик. свойства электрического изолятора на основе TiO2 для использования с магнитами на основе высокотемпературных сверхпроводников, Наука и технологии в области сверхпроводников 27 (2014) 0

    .

    241. С. Уилкинс, М. Гриноу, К. Ареллано, Т. Паскова и А.Иванишевич, Функционализация нитрида галлия производными фосфорной кислоты in-situ во время травления , Ленгмюр 30 (2014) 2038-2046.

    240. С. Уилкинс, Т. Паскова и А. Иванишевич, Модуляция оптических свойств неполярного GaN посредством функционализации in-situ фосфорной кислотой с цистеамином , Прил. Прибой. Sci. 295 (2014) 207-213.

    239. Ф. Лю, Л. Хуанг, Р. Камаладаса, Ю.Пикард, Е.А. Пребл, Т. Паскова, К.Р. Эванс, Р.Ф. Дэвис и Л.М. Портер, Сайты-специфические сравнения V-дефектов и пронизывающих дислокаций в мультиквантовых ямах InGaN / GaN, выращенных на подложках SiC и GaN , Дж Рост кристаллов 387 (2014) 16-22.

    238. Л. Бейн, С. Джуэтт, А. Мукунд, С. Бедайр, Т. Паскова и А. Иванишевич, Молекулярные взаимодействия на поверхности In x Ga 1-x N поверхностей , МЭМС и нанотехнологии 5 (2014) 109-114.

    2013:

    237. AT Roberts, A. Mohanta, HO Everitt, J. Leach, D. Van Den Broeck, AM Hosalli, T. Paskova and S. Bedair, Спектроскопическое исследование взаимодействия между асимметричными множественными квантовыми ямами InGaN / GaN выращены на неполярных подложках GaN в a-плоскости , Applied Physics Letters 103 (2013) 181106.

    236. Н. Киллат, М. Монтес Баджо, Т. Паскова , К. Р. Эванс, Дж. Лич, X.Ли, Ю. Озгюр, Х. Моркоч, К.Д. Чабак, А. Креспо, Дж. К. Гиллеспи, Р. Фитч, М. Косслер, Д. Е. Уокер, М. Трехо, Г. Д. Виа, Дж. Д. Блевинс и М. Кубалл, Надежность высоких электронов AlGaN / GaN Транзисторы подвижности на объемной подложке из GaN с низкой плотностью дислокаций: влияние краев ступенек поверхности , Applied Physics Letters 103 (2013) 1

    .

    235. О. Романюк, П. Йиричек, Т. Паскова, И. Белошапка и И. Бартош, Определение полярности GaN методом фотоэлектронной дифракции , Applied Physics Letters 103 (2013) 0.

    234. Л. Бейн, С. Джуэтт, А. Мукунд, С. Бедэр, Т. Паскова и А. Иванишевич, Биомолекулярные градиенты через полупроводниковые градиенты: характеристика адсорбции аминокислот на In x Ga 1-x N поверхностей , ACS Applied Materials & Interfaces 5 (2013) 7236-7243.

    233. С. Уилкинс, Т. Паскова и А. Иванишевич, Влияние травления фосфорной кислотой с цистеамином на образование поверхностного оксида GaN , Journal Applied Physics 114 (2013) 064907.

    232. А.Ф. Сторм, Д.А. Дин, Д.С.Катцер, Д.Дж. Meyer, S.C.Binari, T. Gougousi, T. Paskova, E.A. Preble, K.R. Эванс, Л. Чжоу и Д.Дж. Smith, Гетероструктуры AlN / GaN с ультратонким барьером, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии с помощью высокочастотной плазмы на отдельно стоящих подложках GaN , J. Crystal Growth 380 (2013) 14-17.

    231. П. Фрайтаг, Н. Непал, Т. Паскова, С.М. Bedair and N.A. El-Masry, Multifacet semipolar education, управляя глубиной канавки посредством эпитаксии на боковой стенке, J.Рост кристаллов 367 (2013) 88-93.

    230. Д.Дж. Мейер, Д.А. Дин, А. Д. Ф. Сторм, М. Г. Анкона, Д. С. Кацер, Р. Басс, Б. П. Дауни, С. К. Бинари, Т. Гугоузи, Т. Паскова, Э.А. Пребл и К. Evans, Sub-Micron AlN / GaN HEMTs с высокой скоростью электронов на отдельно стоящих подложках из GaN, IEEE Electron Device Letters 34 (2013) 199-201.

    229. О. Романюк, П. Йиричек, П. Мутомбо, Т. Паскова и И. Бартош, Анализ поверхности отдельно стоящих подложек GaN с полярной, неполярной и полуполярной ориентацией кристаллов, Proc.SPIE OPTO Vol. 8625 (2013) с.86252И-9.

    228. С. Окур, К. Ярашюнас, С. А. Хафиз, Й. Лич, Т. Паскова, В. Аврутин, Х. Моркоч и Ю. Озгюр, Динамика рекомбинации в неполярном m-плоскости GaN, исследованная методами фотолюминесценции с временным и поляризационным разрешением, Proc. SPIE OPTO Vol. 8625 (2013) с.86252Д-8.

    227. Д. Макнамара, М. А. Фуссекис, А. А. Баски, Х. Ли, В. Аврутин, Х. Моркоч, Дж. Х. Лич, Т. Паскова, К. Удвари, Э. Пребл и М.А. Решчиков, Электрические и оптические свойства объемного GaN, исследованные с помощью зонда Кельвина и фотолюминесценции, Phys. Стат. Sol. (c) 10 (2013) 536-539.

    2012:

    226. C.J.M. Stark, T. Detchprohm, L. Zhao, T. Paskova, E. Preble и C. Wetzel, Террасные светодиоды GaInN / GaN с рыбьей чешуей и улучшенным светоизлучением, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 232106.

    225. P. Ščajev, K. Jarašiūnas, Ü.Озгюр, Х. Моркоч, Дж. Лич и Т. Паскова, Анизотропия поглощения свободных носителей и коэффициент диффузии в m-плоскости GaN, Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 022112.

    224. П. Гладков, Э. Хулициус, Т. Паскова, Э. А. Пребл и К. Эванс, Спектроскопия оптического поглощения и возбуждения фотолюминесценции ниже запрещенной зоны при комнатной температуре в объемном GaN: Fe с низкой плотностью дефектов, Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 031908.

    223. Дж. Дашдорж, М.Э. Званут, Ж.Г. Харрисон, К. Удвари и Т. Паскова, Перенос заряда в полуизолирующем GaN, легированном Fe, J. Appl. Phys. 112 (2012) 013712.

    222. М. Чапайна, Н. Киллат, Дж. Моереке, Т. Паскова, К. Р. Эванс, Дж. Лич, X. Ли, Ю. Озгюр, Х. Моркоч, К. Д. Чабак, А. Креспо, Дж. К. Гиллеспи, Р. Фитч, М. Косслер, Д. Э. Уокер, М. Трехо, Г. Д. Виа, Дж. Д. Блевинс и М. Кубалл, Неаррениусовская деградация AlGaN / GaN HEMT, выращенных на массивных подложках GaN, Письма об электронных устройствах IEEE 33 (2012) 1126-1128.

    221. Н. Киллат, М. Монтес, Дж. В. Померой, Т. Паскова, К. Р. Эванс, Дж. Лич, X. Ли, Ю. Озгюр, Х. Моркоч, К.Д. Чабак, А. Креспо, Дж. К. Гиллеспи, Р. Фитч, М. Косслер, Д. Э. Уокер, М. Трехо, Г. Д. Виа, Дж. Д. Блевинс и М. Кубалл, Термические свойства AlGaN / GaN HEMTs на подложки из массивного GaN, Письма об электронных устройствах IEEE 33 (2012) 366-368.

    220. Д.Ф. Сторм, Д.Дж. Мейер, Д.С.Кацер, С.К. Бинари, Т.Паскова, Е.А. Пребл, К. Эванс, Л.Чжоу и Д. Дж. Смит, Гомоэпитаксиальные N-полярные слои GaN и HEMT-структуры, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии ВЧ-плазмы, J. Vac. Sci. Technol. В 30 (2012) 02Б113.

    219. П. Фрайтаг, А.М. Хосалли, Дж. П. Самберг, П. К. Колтер, Т. Паскова, Н. А. Эль-Масри и С. Bedair, Разрастание GaN на нанопроволоках GaN, полученных травлением без маски, J. Crystal Growth 352 (2012) 203-208.

    218. Л. Хуанг, Ф. Лю, Дж. Чжу, Р. Камаладаса, Э.A. Preble, T. Paskova, K. Evans, L. Porter, YN Picard и RF Davis, Микроструктура эпитаксиальных пленок GaN, выращенных на химически полированных подложках GaN (0001), J. Crystal Growth 347 (2012) 88 -94.

    217. G. Liu, J. Zhang, X.-H. Ли, Дж. С. Хуанг, Т. Паскова, К. Р. Эванс, Х. Чжао и Н. Тансу, Эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений и характеристики сплавов AlInN с согласованной решеткой на шаблонах GaN / сапфир и отдельно стоящих подложках GaN, J.Рост кристаллов 340 (2012) 66-73.

    216. E. Meissner, S. Schweigard, J. Friedrich, T. Paskova, K. Udwary, G. Leibiger и F. Habel, C Атодолюминесцентная визуализация для определения плотности дислокаций в HVPE GaN с различным легированием, Дж. Кристалл Рост 340 (2012) 78-82.

    215. Романюк О.П. Jiricek, T. Paskova, Количественный анализ дифракции низкоэнергетических электронов реконструкции GaN (000-1) (1 x 1), Surf.Sci. 606 (2012) 740-743.

    214. К. Эдмундс, Л. Танг, Д. Ли, М. Сервантес, Г. Гарднер, Т. Паскова, М. Дж. Манфра и О. Малис, Поглощение в ближнем инфракрасном диапазоне в AlInN / GaN с решеткой и напряженном AlGaN / Гетероструктуры GaN, выращенные методом МЛЭ на подложках из низкодефектного GaN, Journal Electronic Materials 41 (2012) 881-886.

    213. К.Ю. Лай, Т. Паскова, В. Уиллер, Дж. Гренко, М.А. Джонсон, К. Удвари, Э.А. Пребл и К. Evans, Сравнение квантовых ям InGaN / GaN, выращенных на подложке GaN m-плоскости и сапфире c-плоскости, Phys.Стат. Sol. (а) 209 (2012) 559-564.

    212. О. Романюк, П. Йиричек и Т. Паскова, Атомная структура и оптические свойства полярной поверхности GaN (000-1), Journal of Physics: Conference Series 398 (2012) 012013.

    211. К. Ярашюнас, П. Щаев, С. Наргелас, Р. Алексеюнас, Й. Лич, Т. Паскова, С. Окур, Ю. Озгюр и Х. Моркоч, Процессы рекомбинации и диффузии в полярном и неполярном объемном GaN, исследованные методами фотолюминесценции с временным разрешением и нелинейно-оптическими методами, Proc.SPIE Vol. 8262 (2012), Документ 8262-15.

    2011:

    210. Романюк О.П. Jiricek, J. Zemek, S. Tougaard и T. Paskova, Функции диэлектрического отклика монокристаллических и неупорядоченных поверхностей (000-1), (10-13) GaN, исследованные с помощью спектроскопии потерь энергии отраженных электронов, J. Appl. Phys. 110 (2011) 043507

    209. Я. Я. Мареш, П. Хубик, Я. Криштофик, Л. Прушакова, Ш. Uxa, T. Paskova и K. Evans, Радиальный поток электронов с ограниченным пространственным зарядом в полуизолирующем GaN: Fe, J.Прил. Phys. 110 (2011) 013723

    208. DO Dumcenco, S. Levcenco, YS Huang, CL Reynolds, Jr., JG Reynolds, KK Tiong, T. Paskova and K. Evans, Характеристика отдельно стоящего полуизолирующего полуизолирующего GaN, легированного Fe, методами фотолюминесценции и спектроскопии электромодуляции. J. Appl. Phys. 109 (2011) 123508

    207. Я. Ван, Х. Сю, С. Алур, И, Шарма, Ф. Тонг, П. Гартланд, Т. Иссакс-Смит, К. Ахи, Дж. Уильямс, М. Парк, Г.Уилер, М. Джонсон, А.А. Аллерман, А. Хансер, Т. Паскова, Е. А. Пребл и К. Р. Эванс, Электрические характеристики вертикальных выпрямителей на основе GaN, изготовленных на массивной пластине GaN, Phys. Sol. (c) 8 (2011) 2430-2432.

    206. Б. Монемар, П. Пасков, Г. Позина, К. Хеммингссон, П. Бергман, Д. Линдгрен, Л. Самуэльсон, Х. Ни, Х. Моркоч, Т. Паскова, З. Би и Дж. Олссон , Фотолюминесценция легированного магнием m-плоскости GaN, выращенного методом MOCVD на объемных подложках GaN, Phys.Sol. (а) 208 (2011) 1532.

    205. SM Eichfeld, D. Won, K. Trumbull, M. Labella, X. Weng, J. Robinson, D. Snyder, JM Redwing, E. Preble, T. Paskova and K. Evans, Двухтемпературный процесс для уменьшения межфазного заряда отрастания в HEMT AlGaN / GaN, выращенных на подложках GaN, Phys Stat. Sol. (c) 8 (2011) 2053-2055.

    204. X. Li, X. Ni, H. Y. Liu, F. Zhang, S. Liu, J. Lee, V. Avrutin, Ü. Озгюр, Т. Паскова, Г. Малхолланд, К.Р. Эванс и Х. Моркоч, О снижении потери эффективности в полярных c -плоскостных и неполярных м -плоских светоизлучающих диодах InGaN, Phys. Стат. Sol. (c) 8 (2011) 1560-1563.

    203. Ю. Ван, С. Алур, Ю. Шарма, Ф. Тонг, Р. Тапа, П. Гартланд, Т. Иссакс-Смит, К. Ахи, Дж. Уильямс, М. Парк, М. Джонсон, Т. Паскова, Е.А. Пребл, К. Эванс, Диоды Шоттки со сверхмалой утечкой и сильным пробоем, изготовленные на отдельно стоящей подложке из GaN, Semicond.Sci. & Technol. 26 (2011) 022002.

    202. J.H. Лич, Н. Бисвас, Т. Паскова, Е.А. Пребл, К. Эванс, М. Ву, X. Ni, X. Ли, Ü Озгюр и Х. Моркоч, Влияние обрезки субстрата на структуры HFET AlGaN / GaN на объемных подложках GaN, Proc. SPIE Vol. 7939 (2011) 7939XX-1.

    201. B. Monemar, PP Paskov, GR Pozina, C. Hemmingsson, P. Bergman, D. Lindgren, L. Samuelson, X. Ni, H. Morkoç, T. Paskova, Z. Bi and J. Ohlsson, Фотолюминесценция легированного магнием m-плоскости GaN, выращенного на объемных шаблонах GaN, Proc.SPIE Vol. 7939 (2011) 7

    -1.

    2010:

    200. M. Zhu, S. You, T. Detchprohm, T. Paskova, E. Preble, D. Hanser, C. Wetzel, Механизмы релаксации наклонных пар дислокаций в гомоэпитаксиальных зеленых светоизлучающих диодах GaInN / GaN, Phys . Ред. B 81 (2010) 125325.

    199. X. Ni, X. Li, J. Lee, S. Liu, V. Avrutin, Ü. Озгюр, Х. Моркоч, А. Матулионис, Т. Паскова, Г. Малхолланд и К. Р. Эванс, InGaN-лестничный инжектор электронов для уменьшения переполнения электронов в светодиодах InGaN, Appl.Phys. Lett. 97 (2010) 031110.

    198. T. Detchprohm, M. Zhu, Y. Li, L. Zhao, S. Yu, C. Wetzel, E. Preble, T. Paskova and D. Hanser, Стабильные по длине волны голубые и зеленые светодиоды на не- полярные m-плоскости массивные подложки GaN, заявл. Phys. Lett. 96 (2010) 051101.

    197. J.H. Лич, Ч. Чжу, М. Ву, X. Ni, X. Li, J. Xie, U. Ozgur, H. Morkoç, J. Liberis, E. Sermuksnis, A. Matulionis, T. Paskova, EA Preble and K Эванс, Влияние времени жизни горячих фононов на скорость электронов в InAlN / AlN / GaN HFET на объемных подложках GaN, Appl.Phys. Lett. 96 (2010) 133505.

    196. J.H. Лич, М. Ву, X. Ni, X. Li, J. Xie, Ü. Озгюр, Х. Моркоч, Т. Паскова, Э. Пребл, К. Эванс и Ч. Lu, Скорость носителя в HFET InAlN / AlN / GaN на объемных подложках GaN, легированных Fe, Appl. Phys. Lett. 96 102109 (2010).

    195. S. You, T. Detchprohm, M. Zhu, W. Hou, E.A. Пребл, Д. Хансер, Т. Паскова и К. Ветцель, Сильнополяризованный зеленый светоизлучающий диод на оси m GaInN / GaN, Прил.Phys. Экспресс, 3 (2010) 102103.

    194. X. Ni, X. Li, J. Lee, H. Y. Liu, V. Avrutin, Ü. Озгюр, Х. Моркоч, Матулионис, Т. Паскова, Г. Малхолланд и К. Evans, Влияние баллистических и квазибаллистических электронов на падение КПД светодиодов InGaN, Phys. Стат. Sol. (РРЛ) 4 (2010) 194.

    193. М. Ву, Дж. H. Leach, X. Ni, X. Li, J. Xie, S. Doğan, Ü. Озгюр, Х. Моркоч, Т. Паскова, Э. Пребл, К. Эванс и К.З. Лу, InAlN / GaN гетероструктурные полевые транзисторы на полуизолирующих подложках из GaN, легированных Fe, Vac Sci. Technol. В 28 (2010) 908

    192. К.Ю. Лай, Т. Паскова, В. Уиллер, Дж. Гренко, М.А. Джонсон, К. Удвари, Э.А. Пребл и К. Эванс, Влияние неправильной резки подложки GaN в m-плоскости на рост квантовой ямы InGaN / GaN, J. Выращивание кристаллов 312 902 (2010).

    191. J.L. Weyher, B. ucznik, I. Grzegory, J. Smalc-Koziorowska и T.Паскова, Выявление протяженных дефектов в GaN, выращенном HVPE, Рост кристаллов 312 (2010) 2611-2615.

    190. П. Гладков, Ю. Хумличек, Э. Гулицис, Т. Шимечек, Т. Паскова и К. Эванс, Влияние легирования Fe на оптические свойства самоподдерживающегося полуизолирующего HVPE GaN: Fe, Рост кристаллов, 312 (2010) 1205.

    189. Д.Ф. Сторм, Д.С.Катцер, Д.А. Дин, Р. Басс, Д.Дж. Мейер, С.С. Бинари, Т. Паскова, Е.А. Пребл и К.Р. Эванс, Влияние близости буферных слоев GaN, легированных бериллием, на электронные свойства эпитаксиальной гетероструктуры AlGaN / GaN, Sol. Государственная электроника 54 (2010) 1470-73.

    188. Ф. Кадлец, Ч. Кадлец, Т. Паскова и К.Р. Эванс, Влияние легирования Fe на терагерцовую проводимость монокристаллов GaN, J. Phys. D: Прил. Phys. 43 145401 (2010).

    187. N.T. Сын, К. Хеммингссон, Н. Моришита, Т. Охшима, Т.Паскова, К. Эванс, А. Усуи, Дж. Исоя, Б. Монемар и Э. Янзен, Радиационные дефекты в GaN, Physica Scripta T141 (2010) 014015.

    186. Х. Сюй, С. Алур, Ю. Ван, А.-Дж. Cheng, K. Kang, Y. Sharma, M. Park, C. Ahyi, J. Williams, C. Gu, A. Hanser, T. Paskova, EA Preble, KR Evans and Y. Zhou, Рамановский анализ на месте объемных выпрямителей Шоттки на основе GaN в процессе эксплуатации, J. of Electronic Materials 39 (2010) 2237-2242.

    185.Дж. А. Гренко, К. Л. Рейнольдс-младший, Д. У. Barlage, M.A.L. Johnson, S.E. Лаппи, К.В. Эберт, Э.А. Пребл, Т. Паскова и К. Эванс, Физические свойства гетероструктур AlGaN / GaN HFET, выращенных на вицинальных подложках, J. Электронных материалов 39 (2010) 504

    184. J.A. Гренко, К.В. Эберт, К. Рейнольдс-младший, Г.Дж. Душер, Д. Барлаге и М.А.Л. Джонсон, С. Лаппи, Э.А. Пребл, Т. Паскова и К. Эванс, Оптимизация гомоэпитаксиально выращенных гетероструктур AlGaN / GaN, Phys.Стат. Sol. (а) 207 (2010) 2292.

    183. B. Monemar, PP Paskov, G. Pozina, C. Hemmingsson, JP Bergman, H. Amano, I. Akasaki, S. Figge, D. Hommel, T. Paskova и A. Usui, Mg-родственные акцепторы in GaN, Phys. Стат. Sol. (в) 7 (2010) 1850.

    182. M. Zhu, S. You, T. Detchprohm, T. Paskova, E. A. Preble, D. Hanser, C. Wetzel, Различные дислокации несоответствия в зеленых и желтых светоизлучающих диодах GaInN / GaN, Phys.Sol. (а) 207 (2010) 1305-1308.

    181. T. Detchprohm, M. Zhu, S. Yu, Y. Li, L. Zhao, E.A. Пребл, Т. Паскова, Д. Хансер и К. Ветцель, Голубые и зеленые светоизлучающие диоды на неполярной m-плоскости массивной подложке GaN, Phys. Стат. Sol. (в) 7 (2010) 2190.

    180. Дж. Ли, Х. Ни, М. Ву, Х. Ли, Р. Шимада, У. Озгюр, А. Баски, Х. Моркоч, Т. Паскова, Г. Малхолланд и К. Эванс, Внутренний квант эффективность m-плоскости InGaN на Si и GaN, Proc.SPIE Vol. 7602 (2010) 76021Н-1 / Н-6.

    179. X. Li, X. Ni, J. Lee, M. Wu, Ü. Озгюр, Х. Моркок, Т. Паскова, Г. Малхолланд и К. Эванс, Сохранение эффективности при высоких уровнях инжекции тока в светодиодах InGaN с m-плоскостью Proc. SPIE Vol. 7602 (2010) 76021Р-1 / Р-6.

    178. J. Lee, X. Li, X. Ni, Ü. Озгур, А. Баски, Х. Моркоч, Т. Паскова, Г. Малхолланд и К. Эванс, О перетекании носителей в светоизлучающих диодах InGaN c- и m-плоскости, Proc.SPIE Vol. 7602 (2010) 760224-1 / -7.

    177. X. Ni, X. Li, J. Lee, H. Y. Liu, N. Изюмская, В. Аврутин, Ю. Озгюр, Х. Моркоч, Т. Паскова, Г. Малхолланд и К. Эванс, Об излучении света в гетероструктурах на основе GaN при высокой инжекции, Mater. Res, Soc. Symp. Proc. Vol. 1202 (2010) 1202-I02-06.

    2009:

    176. Б. Монемар, П. П. Пасков, Г. Позина, К. Хеммингссон, Дж. П. Бергман, Т. Кавашима, Х. Амано, И.Akasaki, T. Paskova, S. Figge, D. Hommel и A. Usui, Доказательства наличия двух акцепторов, связанных с Mg, в GaN, Phys. Rev. Lett. 102 (2009) 235501.

    175. N.T. Сын, К. Хеммингссон, Т. Паскова, К. Эванс, А. Usui, N. Morishita, T. Ohshima, J. Isoya, B. Monemar и E. Janzén, Идентификация дефекта пары вакансия-кислород галлия в GaN, Phys. Ред. B 80 (2009) 153202.

    174. J. Lee, X. Li, X. Ni, Ü. Озгюр, Х. Моркоч, Т.Паскова, Г. Малхолланд, К. Evans, О переносе носителей в светоизлучающих диодах InGaN в c- и m-плоскости, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 201113.

    173. X. Li, X. Ni, J. Lee, M. Wu, Ü. Озгюр, Х. Моркоч, Т. Паскова, Г. Малхолланд и К. Evans, Сохранение эффективности при высоких уровнях инжекции тока в светодиодах InGaN с m-плоскостью, Прил. Phys. Lett. 95 (2009) 121107.

    172. X. Ni, J. Lee, M. Wu, X. Li, R. Shimada, Ü.Озгюр, А.А. Баски, Х. Моркоч, Т. Паскова, Г. Малхолланд и К.Р. Эванс, Внутренняя квантовая эффективность c-плоскости InGaN и m-плоскости InGaN на Si и GaN, Прил. Phys. Lett. 95 (2009) 101106.

    171. К.Ю. Лай, Т. Паскова, В. Уиллер, Дж. Гренко, М.А. Джонсон, Д. Барлаге, К. Удвари, Э.А. Пребл и К. Evans, Исследование катодолюминесценции, зависящей от тока возбуждения квантовых ям InGaN / GaN, выращенных на подложках GaN в m-плоскости и c-плоскости, Дж.Прил. Phys. 106 (2009) 113104.

    170. K. Y. Lai, M. A. L. Johnson, T. Paskova, A. D. Hanser, K. Udwary, E. A. Preble и K. R. Evans, Катодолюминесцентная оценка подповерхностных повреждений подложки GaN после полировки, Phys. Стат. Sol. (c) 6 (2009) S325.

    169. П. П. Пасков, Б. Монемар, Т. Паскова, Е. А. Пребл, А. Д. Хансер и К. Р. Эванс , Оптические характеристики объемных подложек GaN с плоскостями c -, a — и m, Phys.Стат. Sol. (c) 6 (2009) S763.

    168. Дж. А. Гренко, К. В. Эберт, К. Л. Рейнольдс-младший, М. А. Л. Джонсон, А. Д. Хансер, Э. А. Пребл, Т. Паскова и К. Р. Эванс , Модуляция подвижности в гомоэпитаксиально выращенных гетероструктурах AlGaN / GaN, Phys. Стат. Sol. (c) 6 (2009) S1037.

    167. Т. Паскова, Е.А. Preble, A.D. Hanser, K.R. Эванс, Р. Крегер, П.П. Пасков, А. Ченг, М. Парк, Дж. А. Гренко и М. Джонсон , Полярные и неполярные Подложки HVPE GaN: влияние легирования на структурные, электрические и оптические характеристики, Phys.Стат. Sol. (c) 6 (2009) S344.

    2008:

    166. Т. Детчпром, М. Чжу, Ю. Ли, К. Ветцель, Д. Хансер, Э. Пребл, Л. Лю, Т. Паскова и К. Evans, Улучшенные характеристики зеленых светодиодов на массивных подложках из GaN с a-плоскостью, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 241109.

    165. Д. Хансер, Э. Пребл, Л. Лю, Т. Паскова и К.Р. Evans, Изготовление и определение характеристик нативных неполярных подложек GaN, J.Рост кристаллов 310 (2008) 3953.

    164. K.Y. Лай, В. Уиллер, Дж. Гренко, М.А. Джонсон, А.Д. Хансер, Э.А. Preble, L. Liu, T. Paskova, K.R. Evans, Увеличение объемных неполярных подложек GaN путем повторного роста HVPE, Phys. Стат. Sol. (в) 5 (2008) 1886.

    163. Т. Паскова, А. Хансер, Э. Пребл, К. Эванс, Р. Крегер, Ф. Туомисто, Р. Керстинг, Р. Алкорн, С. Эшли, К. Пейджел, Э. Валчева, П.П. Пасков, Б. Монемар, Распределение дефектов и эмиссии в массивном GaN, выращенном в полярном и неполярном направлениях: сравнительный анализ, Proc.SPIE Vol. 6894, Материалы и устройства из нитрида галлия, Ред. C.W. Litton, J.I. Чи, Я. Наниши и Х. Моркок (2008) с. 68940Д-1.

    162. P.P. Пасков, Б. Монемар, Т. Паскова, С. Камияма, Х. Амано и И. Акасаки, Фотолюминесцентное исследование приповерхностных сверхрешеток GaN / AlN, Proc. SPIE Vol. 6894, Материалы и устройства из нитрида галлия, Ред. C.W. Litton, J.I. Чи, Я. Наниши и Х. Моркок (2008) с. 68940Г-1.

    161. R. Kroeger, T. Paskova, Роль анизотропии для свойств дефектов в a-плоскости GaN, Proc.SPIE Vol. 6894, Материалы и устройства из нитрида галлия, Ред. C.W. Litton, J.I. Чи, Я. Наниши и Х. Моркок (2008) с. 689403-1.

    2007:

    160. Ф. Туомисто, Т. Паскова, Р. Крегер, С. Фигге, Д. Хоммель и Б. Монемар, Распределение дефектов в гетероэпитаксиальном a-плоскости HVPE GaN, выращенном на шаблоне MOVPE GaN, Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 121915.

    159. Р. Крегер, Т. Паскова, С. Фигге, Д. Хоммель, А. Розенауэр и Б. Монемар, Межфазная структура GaN в a-плоскости, выращенного на сапфире с r-плоскостью , Appl.Phys. Lett. 90 (2007) 081918.

    158. Т. Паскова, Л. Беккер, Т. Бёттчер, Д. Хоммель, П.П. Пасков, Б. Монемар, Влияние толщины сапфировой подложки на остаточную деформацию и изгиб пленок GaN, выращенных методом гидридной эпитаксии из паровой фазы, J. Appl. Phys. 102 (2007) 123507.

    157. В. Даракчиева, М. Шуберт, Т. Паскова, П.П. Пасков, Х. Арвин, Б. Монемар, М. Хёкен, С. Фигге, Д. Хоммель, Б. Хаскелл, П. Фини и С. Накамура, GaN-фононы при анизотропной деформации: потенциалы деформации фононов, Phys.Ред. B 75 (2007) 1.

    156. Ф. Туомисто, Т. Паскова, С. Фигге, Д. Хоммель и Б. Монемар, Распределение вакансионных дефектов в гетероэпитаксиальном a-плоскости GaN, выращенном с помощью HVPE, J. Crystal Growth 300 (2007) 251.

    155. В. Даракчиева, Т. Паскова, М. Шуберт, П.П. Пасков, Х. Арвин, Б. Монемар, Д. Хоммель, М. Хойкен, Дж. Офф, Б.А. Хаскелл, П. Фини, Дж. Спек и С. Накамура, Влияние анизотропной деформации на фононы в a-плоскости и c-плоскости слоях GaN, J.Рост кристаллов 300 (2007) 233.

    154. Крёгер Р., Паскова Т. и Розенауэр А. , Взаимодействие нарушений прихватки s в a-плоскости GaN вюрцита на сапфире r-плоскости, Microscopy and Microanalysis (2007).

    153. Т. Паскова, Л. Беккер, Т. Ботчер, Д. Хоммель, П.П. Пасков, Б. Монемар, Изгиб в свободно стоящих пленках HVPE GaN: происхождение и возможности восстановления , Phys. Стат. Sol. (в) 4 (2007) 2256.

    152.Т. Паскова, Р. Крегер, Д. Хоммель, П.П. Пасков, В. Даракчиева, Б. Монемар, Э. Пребл, А. Хансер, Н. М. Вильямс, М. Тотур, Неполярный объемный GaN в a- и m-плоскости, вырезанный из булей: структурные и оптические характеристики, Phys. Стат. Sol. (в) 4 (2007) 2536.

    151. R. Kroeger, T. Paskova, A. Rosenauer, D. Hommel, B. Monemar, B. Haskell, P. Fini, J. Speck, S. Nakamura, S : разломы и дислокации лавирования в a-плоскости. Пленки GaN: происхождение, эволюция и взаимодействие, Phys.Стат. Sol. (в) 4 (2007) 2564.

    150. Г. Позина, Б. Монемар, П. П. Пасков, К. Хеммингссон, Л. Халтман, Х. Амано, И. Акасаки, Т. Паскова, С. Фигге, Д. Хоммель и А. Усуи, Метастабильность УФ-люминесценция в слоях GaN, легированных Mg, выращенных методом MOVPE на квазиобъемных шаблонах GaN, Physica B 401-402 (2007) 302.

    149. Т. Паскова, П.П. Пасков, В. Даракчиева, Р. Крегер, Д. Хоммель, Б. Монемар, Э. Пребл, А. Хансер, Н. М. Вильямс и М. Тотур, Бездеформационный объемный GaN с низкой плотностью дефектов и неполярной ориентацией, Матем. .Res. Soc. Symp. Proc. 955E (2007) I3.4.

    148. Р. Крегер, А. Розенауэр, Т. Паскова, Д. Хоммель, Б. Монемар, Б. Хаскелл, П. Фини, Дж. Спек и С. Накамура, О механизмах дислокаций и образования дефектов упаковки в a-плоскости GaN, выращенные методом HVPE , Proc. конференции AIP Conf. Proc. 893 (2007) 269.

    2006:

    147. Т. Паскова, Р. Крегер, С. Фигге, Д. Хоммель, В. Даракчиева, Б. Монемар, Э. Пребл, А. Хансер, Н.M. Williams и M. Totur, Высококачественный объемный GaN в a-плоскости, вырезанный из булей, по сравнению с гетероэпитаксиально выращенными толстыми пленками на сапфире с r-плоскостью с помощью HVPE, Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 051914.

    146. Т. Паскова, Д. Хоммель, П.П. Пасков, В. Даракчиева, Б. Монемар, М. Бочковски, Т. Суски, И. Гжегори, Ф. Туомисто, К. Сааринен, Н. Ашкенов и М. Шуберт, Влияние высокотемпературного отжига на остаточную деформацию и изгиб свободно стоящих пленок GaN, выращенных методом гидридной парофазной эпитаксии, Appl.Phys. Lett. 88 (2006) 141909.

    145. К. Родер, С. Эйнфельд, С. Фигге, Т. Паскова, Д. Хоммель, П.П. Пасков, Б. Монемар, У. Бен, Б. Хаскелл, П. Фини и С. Накамура, Напряжение и изгиб пластины a-плоскости слоев GaN на сапфировых подложках с r-плоскостью, J. Appl. Phys. 100 (2006) 103511.

    144. Ф. Туомисто, К. Сааринен, Т. Паскова, Б. Монемар, М. Бочковски и Т. Суски, Термическая стабильность вросших вакансионных дефектов в GaN, выращенных методом гидридной парофазной эпитаксии , J.Прил. Phys. 99 (2006) 066105.

    143. P.P. Пасков, Т. Паскова, Б. Монемар, С. Фигге, Д. Хоммель, Б. Хаскелл, П. Фини, Дж. Спек и С. Накамура, Оптические свойства неполярных a-плоских слоев GaN, Сверхрешетки и микроэлектроника 40 (2006) 253.

    142. B. Monemar, P.P. Пасков, Я.П.Бергман, А.А. Торопов, Т. Шубина, С. Фигге, Т. Паскова, Д. Хоммель, А. Усуи, М. Ивая, С. Камияма, Х. Амано и И. Акасаки, Оптические сигнатуры примесей в GaN, Материаловедение в Обработка полупроводников 9 (2006) 168.

    141. В. Даракчиева, Б. Монемар Т. Паскова, С. Эйнфельдт, Д. Хоммель, С. Лурдудосс, Фононы в напряженных сверхрешетках AlGaN / GaN , Phys. Стат. Sol. (в) 4 (2007) 170.

    140. Б. Арнаудов, Т. Паскова, С. Евтимова, Б. Монемар, Х. Лу и В. Дж. Шафф, Концентрация электронов и профили подвижности в слоях InN, выращенных методом МПЭ, Phys. Стат. Sol. (а) 203 (2006) 1681.

    139. К. Родер, С. Эйнфельд, С. Фигге, Д. Хоммель, Т.Паскова, Б. Монемар, Б.А. Хаскелл, П. Фини, Дж. Спек и С. Накамура, Деформация в a-плоскостях слоев GaN, выращенных на сапфировых подложках с r-плоскостью, Phys. Стат. Sol. (а) 203 (2006) 1672.

    138. B. Monemar, P.P. Пасков, Дж. П. Бергман, Т. Паскова, С. Фигге, Дж. Деннемарк и Д. Хоммель, Доминирующий мелкий акцептор с энергией 0,225 эВ в GaN , Phys. Стат. Sol. (б) 243 (2006) 1604.

    137. В. Даракчиева, Т. Паскова, П.П. Пасков, Х. Арвин, М.Шуберт, Б. Монемар, С. Фигге, Д. Хоммель, Б. Хаскелл, П. Фини и С. Накамура, Оценка характеристик фононной моды с помощью инфракрасной спектроскопической эллипсометрии на a-плоскости GaN, Phys. Стат. Sol. (б) 243 (2006) 1594.

    136. Ф. Туомисто, С. Хаутакангас, И. Макконен, В. Ранки, М. Дж. Пуска, К. Сааринен, М. Бочковски, Т. Суски, Т. Паскова, Б. Монемар, X. Сю и Д. К. Взгляд, Диссоциация комплексов V Ga -O N в HVPE GaN под действием высокого давления и высокотемпературного отжига, Phys.Стат. Sol. (б) 243 (2006) 1436.

    135. Т. Паскова, В. Даракчиева, П.П. Пасков, Б. Монемар, М. Буковски, Т. Суски, Н. Ашкенов, М. Шуберт и Д. Хоммель, Изгиб свободно стоящих пленок HVPE GaN: эффекты лазерного подъема, полировки и отжига под высоким давлением. Phys. Стат. Sol. (c) 3 (2006) 1475.

    134. P.P. Пасков, Р. Скифано, Т. Малинаускас, Т. Паскова, Дж. П. Бергман, Б. Монемар, С. Фигге, Д. Хоммель, Б. Хаскелл, П. Фини, С. Накамура , Фотолюминесценция a-плоскости GaN: сравнение между слоями, выращенными MOCVD и HVPE, Phys.Стат. Sol. (в) 3 (2006) 1499.

    133. B. Monemar, P.P. Пасков, Дж. П. Бергман, Т. Паскова, К. Хеммингссон, Т. Малинаускас, К. Ярасюнас, П. Гибарт и Б. Бомонт, Спектроскопия с временным разрешением экситонов, связанных на мелких нейтральных донорах в HVPE GaN, Physica B 376- 377 (2006) 482

    132. P.P. Пасков, Р. Скифано, Т. Паскова, Т. Малинаускас, Дж. П. Бергман, Б. Монемар, С. Фигге и Д. Хоммель , Эмиссии, связанные со структурными дефектами в неполярном a-плоскости GaN , Physica B 376-377 ( 2006) 473.

    131. Т. Паскова, Р. Крегер, П.П. Пасков, С. Фигге, Д. Хоммель, Б. Монемар, Б. Хаскелл, П. Фини, Дж. Спек и С. Накамура, Микроскопические эмиссионные свойства неполярного GaN, выращенного с помощью HVPE, Proc. SPIE Vol. 6121, Материалы и устройства из нитрида галлия, Ред. Литтон К. Гроуд, Х. Маркок и А. Мадукар (2006) стр. 48-54.

    2005:

    130. В.Н. Строчов, Т. Шмитт, Ж.-Э. Рубенсон, П. Блаха, Т. Паскова, П.О. Nilsson, Эффекты зонной структуры в резонансном неупругом рассеянии рентгеновских лучей на K-крае азота на GaN, Phys.Ред. B 72 (2005) 085221.

    129. В. Даракчиева, Е. Валчева, П.П. Пасков, М. Шуберт, Т. Паскова, Б. Монемар, Х. Амано и И. Акасаки, Поведение фононных мод в напряженных сверхрешетках AlN / GaN , Phys. Ред. B 71 (2005) 115329.

    128. Т. Паскова, Б. Арнаудов, П.П. Пасков, Е.М. Голдис, С. Хаутакангас, К. Сааринен, У. Содервалл и Б. Монемар, Усиление эмиссии донорно-акцепторной пары в GaN, выращенном с помощью масс-транспорта, J. Appl. Phys. 98 (2005) 033508.

    127. В. Даракчиева, Т. Паскова, П.П. Пасков, Б. Монемар, Н. Ашкенов и М. Шуберт, Структурные характеристики и параметры решетки автономных квазиподложок GaN, выращенных методом HVPE, J. Appl. Phys. 97 (2005) 013517.

    126. P.P. Пасков, Р. Скифано, Т. Паскова, Б. Монемар, С. Фигге и Д. Хоммель, Эмиссионные свойства a-плоскости GaN, выращенного методом химического осаждения из газовой фазы металорганических соединений , J. Appl. Phys. 98 (2005) 0

    .

    125. Т. Паскова, Т. Суски, М., Бочковски, П.П. Пасков, В. Даракчиева, Б. Монемар, Ф. Туомисто, К. Сааринен, Н. Ашкенов, М. Шуберт, К. Родер и Д. Хоммель, Отжиг под высоким давлением автономных пленок HVPE GaN: перераспределение дефектов и штамм, Мат. Res. Soc. Symp. Proc. 831 (2005) E8.18.

    124. Б. Монемар, Т. Паскова, К. Хеммигстон, Х. Ларссон, П.П. Пасков, И. Иванов, А. Касич, Рост толстых слоев GaN методом гидридной парофазной эпитаксии, J.Исследование обработки керамики 6 (2005) 153.

    123. Т. Паскова, В. Даракчиева, П.П. Пасков, Я. Берч, Э. Вальчева, П.О.А. Перссон, Б. Арнаудов, С. Тунгасмита и Б. Монемар, Свойства неполярных пленок GaN в a-плоскости, выращенных методом HVPE с буферами AlN, J. Crystal Growth 281 (2005) 55.

    122. С. Фигге, Т. Бёттчер, Дж. Деннемарк, Р. Крегер, Т. Паскова, Б. Монемар и Д. Хоммель, Оптоэлектронные устройства на массивном GaN, J. Выращивание кристаллов 281 (2005) 101 .

    121. Т. Паскова, В. Даракчиева, П.П. Пасков, Я. Берч, Э. Вальчева, П.О.А. Перссон, Б. Арнаудов, С. Тунгасмита и Б. Монемар, Неполярный a-плоский HVPE GaN: рост и анизотропные свойства в плоскости, Phys. Стат. Sol. (в) 2 (2005) 2027.

    120. P.P. Пасков, Ю.П. Бергман, В.Даракчиева, Т.Паскова, П.О. Holtz, B. Monemar, S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano и I. Akasaki, Эмиссионные свойства сверхрешеток GaN / AlN, выращенных методом MOCVD, Phys.Стат. Sol. (в) 2 (2005) 2345.

    119. Б. Арнаудов, Т. Паскова, П.П. Пасков, Б. Магнуссон, Б. Монемар, Х. Лу и В. Дж. Шафф, О природе ближней краевой люминесценции эпитаксиальных слоев InN, AIP Conf. Proc. 772 (2005), ред. Дж. Менендес и Ч. Ван де Валле, стр.285.

    118. Т. Паскова, Б. Арнаудов, П.П. Пасков, Е.М. Голдис, К. Сааринен, У. Содервалл и Б. Монемар, Доминирующее поведение излучения донорно-акцепторной пары в масс-транспортном GaN, AIP Conf.Proc. 772 (2005), ред. Дж. Менендес и Ч. Ван де Валль, стр.261.

    2004:

    117. P.P. Пасков, Т.Паскова, П.О. Хольц и Б. Монемар, Исследование поляризованной фотолюминесценции свободных и связанных экситонов в свободно стоящем GaN, Phys. Ред. B 70 (2004) 035210.

    116. В. Даракчиева, Дж. Берч, М. Шуберт, Т. Паскова, С. Тунгасмита, А. Касич, Р. Вагнер и Б. Монемар, Деформационные структурные и колебательные свойства тонких эпитаксиальных пленок AlN, Phys.Ред. B 70 (2004) 045411.

    115. Б. Арнаудов, Т. Паскова, П.П. Пасков, Б. Магнуссон, Э. Валчева, Б. Монемар, Х. Лу, В. Шафф, Х. Амано и И. Акасаки, Энергетическое положение спектров излучения у края полосы эпитаксиальных слоев InN с различными уровнями легирования , Phys. Ред. B 69 (2004) 115216.

    114. O. Gelhausen, M.R. Phillips, E.M. Goldys, T. Paskova, B. Monemar, M. Strassburg и A. Hoffmann, Диссоциация комплексов H-связанных дефектов в GaN, легированном Mg, Phys.Ред. B 69 (2004) 125210.

    113. В. Даракчиева, П.П. Пасков, Э. Валчева, Т. Паскова, М. Шуберт, Б. Монемар, Х. Лу и В. Шафф, Деформационные потенциалы фононных мод E1 (TO) и E2 InN, Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 3636.

    112. В.Н. Строчов, Т. Шмитт, Ж.-Э. Рубенсон, П. Блаха, Т. Паскова, П.О. Nilsson, Эффекты зонной структуры в резонансном неупругом рассеянии рентгеновских лучей на K-крае азота на GaN, Phys. Стат. Sol.(б) 421 (2004) 27.

    111. Т. Паскова, П.П. Пасков, Э.М. Голдис, В. Даракчиева, У. Седерваль, М. Годлевски, М. Зелински, Э. Валчева, К. Карлстрём, К. Вахаб и Б. Монемар, Характеристика масс-транспортного GaN, выращенного методом гидридной эпитаксии из паровой фазы , J. Crystal Growth 273 (2004) 118.

    110. В. Даракчиева, П.П. Пасков, Э. Валчева, Т. Паскова, Б. Монемар, М. Абрашев, М. Шуберт, Х. Лу и В. Шафф, Инфракрасная эллипсометрия и Рамановские исследования гексагональных пленок InN: корреляция между деформацией и колебательными свойствами, Микроэлектроника и Сверхрешетки 36 (2004) 573.

    109. Б. Арнаудов, Т. Паскова, П.П. Пасков, Б. Магнуссон, Е. Валчева, Б. Монемар, Х. Лу, У. Дж. Шафф, Х. Амано и И. Акасаки , Свободно связанная радиационная рекомбинация в эпитаксиальных слоях InN с высокой проводимостью, Микроэлектроника и сверхрешетки 36 (2004) 563.

    108. Р. Леон, Дж. Надо, К. Эванс, Т. Паскова и Б. Монемар, Эффекты электронного облучения на нанокристаллические квантовые точки, используемые в приложениях биологического зондирования, EEE Transactions on Nuclear Science, 51 (2004) ) 3186.

    107. Т. Паскова, П.П. Пасков, Е. Валчева, В. Даракчиева, Дж. Берч, А. Касич, Б. Арнаудов, С. Тунгасмита и Б. Монемар, Полярный и неполярный GaN, выращенный методом HVPE: предпочтительные подложки для излучающих устройств на основе нитрида, Phys . Стат. Sol. (а) 201 (2004) 2265.

    106. B. Monemar, P.P. Пасков, Х. Харидизаде, Я.П. Бергман, Э. Валчева, В. Даракчиева, Б. Арнаудов, Т. Паскова, П.О. Хольц, Г. Позина, С. Камияма, М. Ивая, Х. Амано и И. Акасаки, Оптические исследования квантовых ям и сверхрешеток AlGaN / GaN, Phys.Стат. Sol. (а) 201 (2004) 2251.

    105. Т. Паскова, Е. Валчева, В. Даракчиева, П.П. Пасков, Б. Арнаудов, Б. Монемар, Дж. Берч, М. Хойкен, Р.Ф. Дэвис и П. Гибарт, Рост, разделение и свойства GaN, выращенного HVPE с использованием другой схемы зародышеобразования, IPAP Conference Series 4 (2004) 14.

    104. Паскова Т., Вальчева Э., Пирогова П.П. Пасков, Б. Монемар, А. Роковски, Р.Ф. Дэвис, Б. Бомонт и П. Гибарт, HVPE-GaN: сравнение эмиссионных свойств и микроструктур пленок, выращенных на различных латерально заращенных шаблонах, Diamond and Related Materials 13 (2004) 1125.

    103. Т. Паскова, Е. Валчева, В. Даракчиева, Е. Валчева, П.П. Пасков, Б. Монемар, Т. Бёттчер, К. Родер и Д. Хоммель, Толстые пленки HVPE-GaN для квазиподложок: деформация и изгиб пластин, J. Electronic Materials 33 (2004) 389.

    102. P.P. Пасков, Т.Паскова, П.О. Хольц и Б. Монемар, Поляризованная фотолюминесценция экситон-поляритонов в отдельно стоящем GaN, Phys. Стат. Sol. (а) 201 (2004) 678.

    101.П.П. Пасков, Т.Паскова, П.О. Хольц и Б. Монемар, Поляризационно-зависимая спектроскопия ближней запрещенной зоны излучения в отдельно стоящем GaN, Матем. Res. Soc. Symp. Proc. 798 (2004) Y.6.1.

    100. О. Гельхаузен, М. Р. Филлипс, Е. М. Голдис, Т. Паскова, Б. Монемар, А. Хоффманн и М. Страсбург, Образование и диссоциация дефектных центров, связанных с водородом, в GaN, легированном магнием, Матем. Res. Soc. Symp. Proc. 798 (2004) Y.5.20.

    99. С.Родер, Т. Бёттчер, Д. Хоммель, Т. Паскова и Б. Монемар , Кривизна и деформация толстого HVPE-GaN для квазиподложок, Матем. Res. Soc. Symp. Proc. 798 (2004) Y2.11.

    98. В. Даракчиева, П.П. Пасков, М. Шуберт, Т. Паскова, А. Касич, Э. Валчева, Б. Монемар, Х. Амано, И. Акасаки, Эволюция деформаций и фононы в сверхрешетках AlN / GaN, Матем. Res. Soc. Symp. Proc. 798 (2004) Y5.60.

    97. Б. Арнаудов, Т.Паскова, П. Пасков и Б. Монемар, InGaN — новая возможность для оптоэлектронных устройств в широком спектральном диапазоне, Proc. ИК «Электроника 2004», 21-22 мая 2004 г., София, Болгария, с.27.

    2003:

    96. Б. Арнаудов, Т. Паскова, С. Евтимова, Е. Валчева, Б. Монемар и М. Хёкен, Анализ данных на многослойной модели на основе эффекта Холла полупроводниковых структур со ступенчато измененной проводимостью , Phys. Ред. B 67 (2003) 45314.

    95.В. Даракчиева, П.П. Пасков, Т. Паскова, Э. Валчева, Б. Монемар, М. Хойкен, Параметры решетки слоев GaN, выращенных на сапфире в плоскости a: влияние анизотропии деформации в плоскости, Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 703.

    94. Е. Валчева, Т. Паскова и Б. Монемар, Нанотрубки и их связь с режимами роста в толстых слоях GaN, выращенных на сапфире методом гидридной эпитаксии из паровой фазы, J. Выращивание кристаллов 255 (2003) 19.

    93.Т. Паскова, В. Даракчиева, Е. Валчева, П.П. Пасков, Б. Монемар и М. Хеукен, Эпитаксиальные отношения в плоскости между пленкой GaN и сапфиром в a-плоскости: сравнение HVPE и MOVPE , J. Crystal Growth 257 (2003) 1.

    92. M.G. Ткачман, Т.В.Шубина, В. Жмерик, С.В. Иванов, П. Копьев, Т. Паскова и Б. Монемар, Фононная экситонная люминесценция в слоях GaN, выращенных с помощью МПЭ и хлорид-гидридного VPE, Semiconductors 37 (2003) 532.

    91. Б. Арнаудов, Т. Паскова, О. Валассиадес, С. Евтимова, П.П. Пасков, Б. Монемар и М. Хеукен, Локализация электронов, индуцированная магнитным полем в множественных квантовых ямах InGaN-GaN, Прил. Phys. Lett. 83 (2003) 2590.

    90. В. Даракчиева, Т. Паскова, П.П. Пасков, Н. Ашкенов, М. Шуберт и Б. Монемар, Остаточная деформация в отдельно стоящих и повторно выращенных гомоэпитаксиальных слоях HVPE-GaN, Phys. Стат. Sol. (а) 195 (2003) 516.

    89. С. Евтимова, Б. Арнаудов, Т. Паскова, Б. Монемар и М. Хойкен, Влияние концентрации носителей на микротвердость слоев GaN, Журнал материаловедения — Материалы в электронике 14 (2003). ) 771.

    88. В. Даракчиева, П.П. Пасков, Т. Паскова, М. Шуберт, Б. Монемар, Х. Амано и И. Акасаки, Оптические свойства сверхрешеток AlN / GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии металлоорганических соединений, Phys. Стат. Sol. (в) 0 (2003) 2614.

    87. Валчева Э., Паскова Т., Монемар Б. Росковски и Р.Ф. Дэвис, Распределение дефектов и эмиссии в толстых слоях HVPE-GaN, выращенных на шаблонах Pendeo, Phys. Стат. Sol. (в) 0 (2003) 2424.

    86. Б. Арнаудов, Т. Паскова, О. Валассиадес, С. Евтимова, Б. Монемар и М. Хойкен, Магнитное замораживание электронов в множественных квантовых ямах InGaN-GaN, Phys. Стат. Sol. (в) 0 (2003) 2635.

    85. Т. Паскова, В.Даракчиева, Е.Вальчева, П.П. Пасков, Б. Монемар и М. Хеукен, Рост GaN на a-плоском сапфире: эпитаксиальные соотношения в плоскости и параметры решетки, Phys. Стат. Sol. (б) 240 (2003) 318.

    84. Е. Валчева, Т. Паскова, Г. Раднози, Л. Халтман, Б. Монемар, Х. Амано и И. Акасаки, Ростовые дефекты в сверхрешетках AlN / GaN с разными периодами , Physica B: Condensed Иметь значение. 340-342 (2003) 1129.

    83. В.Даракчиева, М. Шуберт, Дж. Берч, А. Касич, С. Тунгасмита, Т. Паскова и Б. Монемар, Обобщенное инфракрасное эллипсометрическое исследование тонких эпитаксиальных слоев AlN со сложным деформационным поведением, Physica B: Condensed Matter. 340-342 (2003) 416.

    82. В. Даракчиева, П.П. Пасков, Т. Паскова, Дж. Берч, С. Тунгасмита, Б. Монемар, Колебательные свойства напряженных пленок AlN на сапфире , Proc. 26-й Международной конференции по физике полупроводников; 29 июля — авг.c: линия с сильной пи-поляризацией вблизи экситона A, Phys. Ред. B 65 (2002) 75212.

    80. Валчева Е., Паскова Т., П.О.А. Перссон, Л. Халтман и Б. Монемар, Образование дефектов несоответствия в толстых слоях GaN, выращенных на сапфире методом гидридной эпитаксии из паровой фазы, Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1550.

    79. В. Даракчиева, П.П. Пасков, Т. Паскова, Дж. Берч, С. Тунгасмита и Б. Монемар, Деформационные потенциалы моды E 1 (LO) в AlN, Appl.Phys. Lett. 80 (2002) 2302.

    78. Р. Леон, Дж. Ибанез, С. Марцинкявичюс, Дж. Зигерт, Т. Паскова, Б. Монемар, С. Чапарро, К. Наварро, С. Р. Джонсон и Ю. -Х. Чжан, Дефектные состояния в квантовых точках InAlAs, излучающих красный цвет, Phys. Ред. B 66 (2002) 85331.

    77. B. Monemar, P.P. Пасков, Дж. П. Бергман, Г. Позина, Т. Паскова, С. Камияма, Х. Амано и И. Акасаки, Фотолюминесценция экситонов в In (x) Ga (1-x) N / In (y) Ga (1- y) N Множественные квантовые ямы, Phys.Стат. Sol. (а) 190 (2002) 161.

    76. Шубина Т.В., Шубина А.А. Торопов, С.В. Иванов, Я.П.Бергман, Т.Паскова, П.О. Хольц и Б. Монемар, Особенности экситон-поляритонов в GaN при различных поляризациях, исследованные методом микрофотолюминесцентной спектроскопии, Phys. Стат. Sol. (а) 190 (2002) 205.

    75. P.P. Пасков, Т.Паскова, П.О. Хольц и Б. Монемар, Анизотропия излучения свободного экситона в GaN, выращенном на а-плоском сапфире, Phys.Стат. Sol. (а) 190 (2002) 75.

    74. Даракчиева В., Берч Дж., П.П. Пасков, С. Тунгасмита, Т. Паскова и Б. Монемар, Эволюция деформации в высокотемпературных буферных слоях AlN для роста HVPE-GaN, Phys. Стат. Sol. (а) 190 (2002) 59.

    73. Т. Паскова, В. Даракчиева, П.П. Пасков, У. Седерваль и Б. Монемар, Свойства автономных пленок HVPE-GaN, связанные с ростом и разделением, J. Crystal Growth 246 (2002) 207.

    72. Е. Валчева, Т. Паскова, Б. Монемар, Протяженные дефекты в пленках GaN, выращенных с высокой скоростью роста, J. of Physics: Condensed Matter 14 (2002) 13269.

    71. Т. Паскова, П.П. Пасков, В. Даракчиева, Е.М. Голдис, У. Седервалл, Е. Валчева, Б. Арнаудов, Б. Монемар, Отдельные квазиподложки HVPE-GaN: распределение примесей и деформаций, Phys. Стат. Sol. (в) 0 (2002) 209.

    70. Б. Арнаудов, Т. Паскова, С.Евтимова, М. Хойкен и Б. Монемар, Анализ данных эффекта Холла структур GaN n + n, Phys. Стат. Sol. (б) 234 (2002) 872.

    69. Валчева Е., Паскова Т., П.О.А. Перссон и Б. Монемар, Нанотрубки в толстых пленках GaN, выращенных с высокой скоростью роста, Phys. Стат. Sol. (а) 194 (2002) 532.

    68. P.P. Пасков, В. Даракчиева, Т. Паскова, П.О. Хольц и Б. Монемар, Анизотропия деформации в плоскости в GaN, выращенном на сапфире в плоскости А, Phys.Стат. Sol. (а) 234 (2002) 892.

    67. B. Monemar, P.P. Пасков, Т.Паскова, Я.П. Бергман, Г.Позина, В.М. Чен, П. Хай, И. А. Буянова, Х. Амано и И. Акасаки, Оптическая характеристика III-нитридов, Mater. Sci. И машиностроение 93 (2002) 112.

    2001:

    66. Позина, Н. В. Эдвардс, Дж. П. Бергман, Т. Паскова, Б. Монемар, М. Д. Бремзер и Р. Ф. Дэвис, Спектроскопия с временным разрешением напряженных гетероструктур GaN / AlN / 6H-SiC, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы металлоорганических соединений , Appl.Phys. Lett. 78 (2001) 1062.

    65. Б. Арнаудов, Т. Паскова, Е. М. Голдис, С. Евтимова, А. Генри, Б. Монемар , Моделирование полосы рекомбинации свободных электронов в спектрах излучения высокопроводящего n-GaN, Phys. Ред. B 64 (2001) 45213

    64. Паскова Т., Голдис Э. Пасков, К. Вахаб, Л. Вильзен, М. деЙонг и Б. Монемар, Рост массопереноса и оптические эмиссионные свойства HVPE-GaN , Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 4130.

    63. P.P. Пасков, Т.Паскова, П.О. Хольц, Б. Монемар, Спин-обменное расщепление экситонов в GaN , Phys. Ред. B 64 (2001) 115201.

    62. Валчева Е., Паскова Т., Берч Дж., Тунгасмита С., П.О.А. Персона, Л. Халтман и Б. Монемар, Устранение неоднородностей в толстых пленках GaN с использованием металлоорганических химически осажденных из паровой фазы темплатов GaN , J. Appl. Phys. 90 (2001) 6011.

    61. Голдис Э.М., Годлевски М., Т.Паскова, Г. Позина и Б. Монемар, Характеристика красного излучения при эпитаксии из паровой фазы номинально нелегированного гидрида GaN, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6 (2001) ст.1.

    60. В. Ратников, Р. Кютт, Т. Шубина, Т. Паскова и Б. Монемар, Определение компонентов микроискажений и их применение для структурной характеристики эпитаксиальных слоев HVPE GaN, J. Phys. D: Прил. Phys. 34 (2001) А30.

    59.Паскова Т. Пасков, В. Даракчиева, С. Тунгасмита, Дж. Берч и Б. Монемар, Снижение плотности дефектов в HVPE-GaN и связанные с ними оптические спектры , Phys. Стат. Sol. (а) 183 (2001) 197.

    58. Т. Паскова, П.П. Пасков, Э.М. Голдис, В. Даракчиева, У. Седерваль, М. Годлевски, М. Зелински, Э. Валчева, К. Карлстрём, К. Вахаб и Б. Монемар, Рост массопереноса и свойства гидридной эпитаксии из паровой фазы GaN, Phys. Стат. Sol.(а) 188 (2001) 447.

    57. B. Monemar, P.P. Пасков, Г. Позина, Т. Паскова, Дж. П. Бергман, М. Ивайя, С. Нитта, Х. Амано и И. Акасаки, Оптические характеристики структур InGaN / GaN МКЯ без внутрифазного сагрегации, Phys. Стат. Sol. (б) 228 (2001) 157.

    56. B. Monemar, W.M. Чен, П. Пасков, Т. Паскова, Г. Позина, Дж. П. Бергман, Связанный экситон с энергией 3,466 эВ в GaN, Phys. Стат. Sol. (б) 228 (2001) 489.

    55. Шубина Т.В., Паскова Т.А., Торопов, А.Лебедев, С.В. Иванов, Б. Монемар, Микрофотолюминесцентная спектроскопия экситон-поляритонов в GaN с волновым вектором k, нормальным к оси c, Phys. Стат. Sol. (б) 228 (2001) 481.

    54. P.P. Пасков, Т.Паскова, П.О. Хольц, Б. Монемар, Внутренняя структура свободных экситонов в GaN, Phys. Стат. Sol. (б) 228 (2001) 467.

    53. A. Trassoudaine, E. Aujol, R.Кадорет, Т. Паскова, Б. Монемар, Новый механизм роста GaN с помощью HVPE , Матем. Res. Soc. Symp. Proc. 639 (2001) п.G3.2.

    52. Шубина Т.В., Шубина М.Г. Ткачман, А.А. Торопов, А. Карлик, С.В. Иванов, П. Копьев, Т. Паскова и Б. Монемар, Различие между сколами на краю и на поверхности эпитаксиальных слоев GaN (0001), исследованных с помощью пространственно разрешенной фотолюминесценции и отражательной способности, Proc. 9-го Международного симпозиума по физике и технологиям наноструктур, 18-22 июня 2001 г., г.Санкт-Петербург, Россия, с.149.

    51. В. Ратников, Р. Кютт, Т. Шубина, Т. Паскова, Е. Валчева и Б. Монемар, Рентгеновское исследование дислокационной структуры толстого HVPE-GaN с использованием измерений тензора микродискажений, Proc. ИЦ по выращиванию и исследованию кристаллов, 6-8 октября 2000 г., Москва, Россия, Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 10 (2001) с.101.

    2000:

    50. Валчева Е., Паскова Т., Тунгасмита С., П.О.Е. Человек, Дж. Берч, Э. Сведберг, Л. Халтман и Б. Монемар, Интерфейсная структура HVPE GaN, выращенного с использованием высокотемпературного реактивного распыленного буфера AlN, Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1860.

    49. Т. Паскова, Е. Валчева, Дж. Берч, С. Тунгасмита, П.О.А. Перссон, Р. Беккард, М. Хойкен и Б. Монемар, Влияние легирования кремнием металлоорганических шаблонов химического осаждения из паровой фазы — GaN на расположение дефектов в слоях гидридной эпитаксии из паровой фазы — наросшие слои GaN , J.Прил. Phys. 88 (2000) 5729.

    48. В. Ратников, Р. Кютт, Т. Шубина, Т. Паскова, Е. Валчева и Б. Монемар, Рентгеноструктурное исследование дислокаций Брэгга и Лауэ в толстых пленках GaN из парогидридной эпитаксии, Дж. Прил. Phys. 88 (2000) 6252

    47. Валчева Е., Паскова Т., Абрашев, П.О.Е. Перссон, П. Пасков, E.M. Goldys, R. Beccard, M. Heuken и B. Monemar, Влияние шаблонов MOCVD-GaN на пространственные неоднородности распределения деформации и легирования в гидридной паровой фазе GaN, Mater.Sci. И машиностроение B82 (2001) 35.

    46. Т. Паскова, Е. Валчева, Дж. Берч, С. Тунгасмита, П.О.А. Перссон, П. Пасков, С. Евтимова, М. Абрашев и Б. Монемар , Релаксация дефектов и напряжений в пленках HVPE-GaN с использованием высокотемпературных напыленных буферов AlN, J. Crystal Growth 230 (2001) 381.

    45. Т. Паскова, П.П. Пасков, Дж. Берч, Е. Валчева, М. Абрашев, С. Тунгасмита и Б. Монемар, Повторный рост HVPE на отдельно стоящих квазиподложках GaN, IPAP Conference Series 1, CS1 (2000), с.19.

    44. Шубина Т., А.А. Торопов, В. Ратников, Р. Кютт, С.В. Иванов, Т. Паскова, Е. Валчева и Б. Монемар , Поляризованная фотолюминесцентная спектроскопия HVPE GaN с различными дислокационными структурами , IPAP Conference Series CS1 (2000) с.595.

    43. Паскова Т., Тунгасмита С., Валчева Е., Сведберг, Б. Арнаудов, С. Евтимова, П.О.А. Перссон, А. Генри, Р. Беккард, М. Хёкен и Б. Монемар, Гомоэпитаксиальный рост GaN в паровой фазе гидрида на «темплатах», выращенных методом MOVPE, , Матем.Res. Soc. Symp. Proc. 595 (2000) p.W3.14., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5С1 (2000) W3.14.

    42. E.M. Goldys, T. Paskova, J. Sheely, W. Schaff и L.F. Eastman, Катодолюминесцентное исследование нитридных транзисторных структур — характеристика естественного оксида, Proc. конференции 2000 г. по оптоэлектронным и микроэлектронным материалам и устройствам, ред. Л.Д. Брукман, Б.Ф. Ашер, Дж. Д. Килли, 6-8 декабря 2000 г., Мельбурн, Австралия, стр.133.

    41.Т. Паскова, Е. Валчева, С. Евтимова, С. Тунгасмита, Дж. Берч, П.О.А. Перссон и Б. Монемар, Влияние высокотемпературного буфера AlN на структурные и электрические свойства пленок HVPE-GaN, Proc. 11 -й Международной конференции по физике конденсированных сред, 4-8 сентября 2000 г., Варна, Болгария, стр. 356.

    40. Д. Флореску, Ф. Х. Поллак, Т. Паскова, Е. Валчева, Б. Монемар , Влияние дислокаций / границ зерен на теплопроводность GaN / сапфира, выращенного методом гидридной парофазной эпитаксии (0001), Proc.из 27 -го IS по составным полупроводникам, 2-5 октября 2000 г., Hyatt Monterey, CA, p.467.

    1999:

    39. Т. Паскова, Е.М. Голдис и Б. Монемар, Рост гидридной эпитаксии из паровой фазы и определение характеристик катодолюминесценции толстых пленок GaN, J. Выращивание кристаллов 203 (1999) 1.

    38. Валчева Е., Паскова Т., Иванов, Р. Якимова, К. Вахаб, С. Сэвидж, Н. Норделл, К.И. Харрис, B, имплантация в 6H-SiC: восстановление повреждений решетки и активация имплантата при высокотемпературном отжиге, J.Vac. Sci. & Technol.B 17 (1999) 1040.

    37. Арнаудов Б., Паскова Т., Голдис Е.М., Якимова Р., Евтимова С.И. Иванов, А. Генри и Б. Монемар, Вклад рекомбинации свободных электронов в спектры люминесценции толстых пленок GaN, выращенных методом гидридной эпитаксии из паровой фазы, J. Appl. Phys. 85 (1999) 7888.

    36. Позина Г., Бергман Дж., Паскова Т., Монемар Б., Динамика связанных экситонов в GaN, выращенном методом гидридной эпитаксии из паровой фазы, Appl.Phys. Lett. 75 (1999) 4124.

    35. Паскова Т., Голдыс Э.М., Якимова Р., Э. Сведберг, А. Генри и Б. Монемар, Влияние скорости роста на структуру толстых слоев GaN, выращенных методом HVPE, J. Crystal Growth 208 (1999) 18.

    34. Т. Паскова, Е.Б. Сведберг, А. Генри, И. Иванов, Р. Якимова и Б. Монемар, Толстые слои GaN, выращенные на сапфировых подложках с a-плоскостью методом гидридной эпитаксии из паровой фазы , Physica Scripta T79 (1999) 67.

    33. Т. Паскова, Дж. Берч, С. Тунгасмита, Р. Беккард, М. Хойкен, П. Рунессон, Э. М. Голдис и Б. Монемар, Толстые гидридные эпитаксиальные слои из паровой фазы GaN, выращенные на сапфире с различными буферами, Phys. Стат. Sol. (а) 176 (1999) 415.

    32. Позина Г., Бергман Дж., Паскова Т., Монемар Б., Динамика связанных экситонов в эпитаксиальных слоях GaN, выращенных методом гидридной парофазной эпитаксии, Phys. Стат. Sol. (б) 216 (1999) 45.

    31.Паскова Т. Сведберг, Л. Мадсен, Р. Якимова, И.Г. Иванов, А. Генри, Б. Монемар, Доменная структура толстых слоев GaN, выращенных методом гидридной эпитаксии из паровой фазы, Матем. Res. Soc. Symp. Proc. 537 (1999) p.G3.16., MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4С1 (1999) G3.16.

    30. Б. Монемар, Дж. П. Бергман, Г. Позина, И.А. Буянова, В. Чен, Маунт Вагнер и Т. Паскова, Дефекты в нитриде галлия, Proc. ИВ 3 -го по материаловедению (IWOMS’99), ноябрь.2-4, 1999, Ханой, Вьетнам, стр.28.

    1998:

    29. Голдис Э. Иванов, Б. Арнаудов, Б. Монемар, Прямое наблюдение крупномасштабных неоднородностей в гидридной газовой эпитаксии нитрида галлия, выращенного методом катодолюминесценции, Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 3583.

    28. Димитрова В., Манова Д., Паскова Т., Ц. Узунов, Н. Иванов и Д. Дечев, Тонкие пленки нитрита алюминия, нанесенные методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе, Вакуум 51 (1998) 161.

    27. Паскова Т., Вальчева Е., Иванов, Р. Якимова, К. Вахаб, С. Сэвидж, Н. Норделл, К.И. Harris, Кристаллическое поведение 6H-SiC при имплантации B изучено методом комбинационного рассеяния света, Матем. Sci. Форум 264-268 (1998) с.741.

    26. Валчева Е., Паскова Т., Иванов, Р. Якимова, К. Вахаб, С. Сэвидж, Н. Норделл, К.И. Harris, Электрическая активация имплантата B из 6H-SiC, Мат. Sci. Форум 264-268 (1998) с.705.

    25.Е. Валчева, Т. Паскова, Е.П. Трифонова, Р. Якимова, Влияние морфологии поверхности GaAs: Sb, выращенного методом MOVPE, на электрические характеристики диодов Шоттки, Annul. L’Univ. София «ул. Охридского» 88 (1998) 119.

    24. Валчева Е., Паскова Т., Иванов, Р. Якимова, B-Имплантированный 6H-SiC: определение структурных и электрических свойств, Proc. 17 -го болгарско-греческого симпозиума по физике полупроводников и твердого тела, 7-9 июня 1997 г., София, Болгария, «Физика полупроводников и технология’17» (Heron press, 1998, София), с.64.

    1997:

    23. А. Каканакова-Георгиева, Т. Паскова, Р. Якимова, К. Халлин, Е. Трифонова, М. Сурчев и Э. Янзен, Структурные свойства эпитаксиальных слоев 6H-SiC, выращенных двумя разными способами, Mater. Sci. И машиностроение B46 (1997) 345.

    22. Е. Валчева, Т. Паскова, О. Кордина, Р. Якимова и Е. Янзен, Влияние размеров на совершенство структуры в многослойных структурах Si / SiC, NATO ASI Series 42 , ed.М. Балкански. (Kluwer Academic Publisher, Dordrech, 1997), стр.59.

    21. Т. Паскова, Е. Валчева, О. Кордина, М. Сурчев, Р. Якимова и Э. Янзен, CVD выращенные многослойные структуры на основе Si / SiC, Proc. 9-го ISCMP «Будущие направления в науке и технологии тонких пленок», 9-13 сентября 1996 г., Варна, Болгария, (ред. Дж. М. Маршал, Н. Киров, А. Ваврек, Дж. М. Мод, World Scientific, Сингапур, 1997 г. ), с.377.

    1996:

    20. Т.Паскова, Е. Валчева и Р. Якимова, GaAs, легированный сурьмой: роль изоэлектронной легирующей примеси в эволюции дефектов, J. Vac. Sci. & Technol. В 14 (1996) 1729.

    19. Е. Валчева, Т. Паскова, Р. Якимова, GaAs, легированный сурьмой: модель доминирующего механизма переноса тока, J. Vac. Sci. & Technol. В 14 (1996) 3582.

    18. Л. Хитова, Е.П. Трифонова, Т. Паскова, Р. Якимова , Структурные дефекты в GaAs после измерения микротвердости, Proc.ИЦ «Электроника’96», 10-11 октября 1996 г., Ботевград, Болгария, с.34 (на болгарском языке).

    1995:

    17. Р. Якимова, Т. Паскова, Е.П. Трифонова, О морфологии слоев GaAs, легированных сурьмой, выращенных методом MOVPE, Thin Solid Films 265 (1995) 123.

    16. E.P. Трифонова, Т. Паскова, Р. Якимова, А. Хаджийски, Л. Хитова, Профили микротвердости по глубине в слоях MOVPE GaAs, легированного Sb, Proc. 16-го греко-болгарского симпозиума по физике полупроводников, окт.16-20, 1995, Салоники, Греция, с.69.

    1994:

    15. Р. Якимова, Б. Арнаудов, С. Евтимова, Т. Паскова, Электротранспорт в металлоорганическом эпитаксиальном GaAs, легированном Sb, выращенном в умеренно богатых As, J. Appl. Phys. 76 (1994) 3566.

    14. Р. Якимова, Т. Паскова, С. Евтимова, Б. Арнаудов, Влияние изоэлектронного легирования сурьмой на электрические свойства MOVPE-GaAs, Annul. L’Univ. София «Св.Кл.Охридского » 86 (1994) 35.

    13. Т. Паскова, Е. Валчева, Р. Якимова и И. Иванов, Корреляция между структурными и электрическими свойствами изоэлектронно легированного GaAs: Sb, выращенного методом MOVPE, Приложение к Balkan Physics Letters 2 (pt.1) 1994, 375 с.

    12. Валчева Е., Паскова Т., Якимова Р. Электрические свойства контактов Шоттки на основе тонких пленок GaAs: Sb, выращенных методом MOVPE, Тр. 8-го ISCMP «Электронная, оптоэлектронная и магнитная наука и технология тонких пленок», сентябрь.18-23, 1994, Варна, Болгария, с.612.

    1993:

    11. Т. Паскова, Р. Якимова, Е. Валчева, К. Германова, Характеристика GaAs, выращенного методом MOVPE, методом C-V анализа, Appl. Phys. А 56 (1993) 69.

    10. Р. Якимова, Т. Паскова, И. Иванов, К. Германова, М. Пеев, Исследование комбинационного рассеяния света GaAs, выращенного методом МОГФЭ, Semicond. Sci. & Technol. 8 (1993) 179.

    9. Р. Якимова, Т. Паскова, И.Иванов, Качество слоя GaAs, легированного сурьмой, выращенного методом MOVPE, J. Crystal Growth 129 (1993) 143.

    8. Якимова Р., Паскова Т., Хардалов К., Поведение EL5-подобного дефекта при легировании Sb в MOVPE-GaAs, J. Appl. Phys. 74 (1993) 6170.

    7. Т. Паскова, Р. Якимова, Влияние легирования Sb на ансамбль точечных дефектов в MOVPE-GaAs, Solid State Commun. 87 (1993) 1125.

    6. Якимова Р., Б.Арнаудов, С. Евтимова, Т. Паскова, Вакансионное рассеяние электронов в MOVPE GaAs: Sb, Proc. 14-го греко-болгарского симпозиума по физике полупроводников, 4-8 октября 1993 г., Салоники, Греция, с.171.

    1992:

    5. Р. Якимова, Т. Паскова, Д. Гогова, А. Вуцова, МОФЭ слоев GaAs для электронных устройств, Свойства и подготовка кристаллов 32-34 (1992) 526.

    4. Якимова Р., Паскова Т., Л.Васильев, Оптическая спектроскопия слоев GaAs, выращенных МОВПЭ, Key Engineering Materials 65 (1992) 35.

    1988:

    3. Апостолов А., Якимова Р., Паскова Т., Металлоорганическая газофазная эпитаксия полупроводниковых материалов, Proc. 1 st Международный семинар по современным эпитаксиальным технологиям, 1-3 ноября 1988 г., Пловдив, Болгария, стр. 5.

    1987:

    2. Недев К., Стойнев И., Т.Паскова, Биологическая модификация полупроводниковых приборов, Тр. 4-го НК по автоматическому и научному приборостроению, 14-19 сентября 1987 г., Варна, Болгария, стр.233.

    1986:

    1. М. Борисов, К. Германова, К. Хардалов, Т. Тошева (Паскова), Анализ поверхностных слоев пространственного заряда в полуизолирующем GaAs, содержащем глубокие уровни, Appl. Phys. А 40 (1986) 219.

    Сохранить

    Сохранить

    Сохранить

    Сохранить

    КАТАЛОГ ФРЕШМЕНОВ | Новости

    Ниже приводится список первокурсников Гарвардского колледжа, в который входит около тридцати студентов, ранее зарегистрированных в классе 1916 года.Хотя список является максимально полным и точным, это не окончательная и официальная регистрация, которая появится в Каталоге университета.

    Abbott, G.E., Russell 21.

    Abernethy, T. J., Grays 35.

    Adams, A. W., Jr., 71 Chandler St., Boston.

    Адамс, Б. К., Уэстморли 122.

    Адольф, Э. Ф., Холиок 4.

    Артон, Ф. П., 32 Гулд-стрит, Стоунхэм.

    Олден, А. К., Грейс 48.

    Олдис, А. Г., Рэндольф 25.

    Aldridge, GW, Jr., Westmorly 31.

    Allen, RH, Grays 16.

    Ames, CE, Randolph 38.

    Ames, HE, 50 Highland Ave.

    Ames, O., Jr., Рэндольф 17.

    Амори, Ф.И., младший, Рэндольф 14.

    Андерсон, А.С., 102 авеню Содружества, Конкорд Джанкшен.

    Андерсон, Х. С., 20 Эллери Стрит

    Эндрюс, К. Х., Риджли 74.

    Эпплтон, У. К., младший, Рассел 11.

    Аренд, Ф. Ф. ван ден, Холиок 5.

    Эшфорд, У. Р., Гарвардский союз, 10.

    Эшли, Р. Э., Дана 24.

    Аткинсон, Дж. Б., 164 Э. Фостер-стрит, Мелроуз.

    Этвуд, Дж., Велд 54.

    Ауэрбоч, Т. Х., Вернон-стрит, 50, Бруклин.

    Остин, Дж. У., Холиок 18.

    Бэбкок, Р. У., 467 Бродвей.

    Залог, М. П., ул. Сагаморе 60, Дорчестер.

    Бейли, Т. Л., Уэр 14.

    Бейкер, Э. О., Дана 47.

    Бейкер, Ф. К., Вестморли 4.

    Бейкер, Г.F., 72 Fayerweather St.

    Baker, Joshua, Jr., Claverly 49.

    Baldwin, R., 37 Bow St.

    Baldwin, S., 3d, Brentford 54.

    Ballard, S., Russell 3.

    Batty, P., 11 Lena Park, Dorchester.

    Бэнкрофт, А. Р., 12 Вэр-стрит,

    Баркер, В. Т., 56 Маунт-Оберн-стрит,

    Баскин, К. М., 136 Пайн-стрит,

    Бейтс, Э. Э., 106 Брукс-стрит, У. Медфорд.

    Бил, Дж. Т., 2d, Weld 26.

    Бин, Э. Х., Гарвардский союз 7.

    Беннисон, Х. Б., 50 Кенилворт-стрит, Роксбери.

    Bechtel, HR, Hampden 20.

    Bedard, PA, Russell 35.

    Bell, HH, Holyoke 18.

    Benedict, GW, Jr., Randolph 59.

    Benjamin, RM, Matthews 21.

    Bennett, HS, 64 Dunster St.

    Benshimol, E., 64 Mt. Auburn St.

    Berman, L., 19 Washington St., Dorchester.

    Берман, М., 74 Холворти-стрит, Роксбери.

    Берман, С., Нормандия, 1, Роксбери.

    Бернард, Э., 19 Гастон-стрит, Роксбери.

    Bettman, AM, Westmorly 142.

    Bevier, LH, Holyoke 29.

    Bird, MH, Randolph 8.

    Blaine, GB, Hampden 49.

    Blanchard, WS, Ridgely 31.

    Bliss, HM , Claverly 26.

    Bliss, WM, Westmorly 144.

    Bloomberg, AI, 70 Franklin Ave., Chelsea.

    Bloomberg, H., 166 Howard St., Dorchester.

    Bogle, E. P., Ware 23.

    Boles, W.J., Fairfax 29.

    Bothfeld, H. S., Randolph 2.

    Boyd, H. S., 66 Nevada St., Newtonville.

    Bradley, J.E., 16 Leonard Ave.

    Brandwene, M., 10 Sumner Rd.

    Brett, L.E., 8 Magnolia St., Malden.

    Брюэр, Дж. У., Дана 37.

    Брикли, А. Дж., 10 Мистик Стрит, Чарлстаун.

    Бриггс, Г. Р., младший, Фэрфакс, 22.

    Брайт, Х. О., Дана 47.

    Брукс, У. О., 75 Сидар-стрит, У. Сомервилл.

    Браун, Дж.S., Jr., 60 Mt. Auburn St.

    Brown, J. W., 48 Beacon St., Бостон.

    Brown, RC, 61 Oxford St.

    Brown, RR, Westmorly 146.

    Brown, VH, Claverly 53.

    Brown, WJ, 31 Holyoke St.

    Bruce, LA, Jr., 9 Selden St ., Дорчестер.

    Брюс, Р., 195 Уоррен авеню, Бостон.

    Бадлонг, Л. Г., Холиок, 17.

    Буэлл, М. С., Велд 16.

    Буллард, Г. У., Клеверли, 31.

    Буллард, Л. Е., Перкинс, 52.

    Bullock, WL, Matthews 56.

    Bulwinkle, GE, 40 Kirkland St.

    Burbridge, NE, Dana 31.

    Burnham, G., 3d, Russell 18.

    Burnham, JB, Brentford 42.

    Батлер, С.М., Холиок 21.

    Кэбот, ЧР, Конкорд.

    Кэбот, Ф. Х., младший, Рэндольф 16.

    Кэбот, Х. Б., младший, Уэстморли 46.

    Кэли, Х. Р., Мэтьюз 35.

    Каллахан, П. Дж., 123 Кушинг-авеню, Дорчестер.

    Кэмерон, А.A., Westmorly 1.

    Campbell, DS, 68 Mt. Auburn St.

    Campbell, D., 33 Holyoke St.

    Campbell, RD, Weld 34.

    Canaday, WD, 20 Holyoke St.

    Canan, LH, Dana 44.

    Caner, GC, Randolph 17.

    Carret, PL, 10 Bellevue Ave., Cambridge.

    Картер, Х. П., Мэтьюз, 58.

    Картер, Дж. М., младший, Уэстморли, 141.

    Кейс, А. Э., 54 Гарвард-авеню, Бруклин.

    Cauley, E. T., Attrelwold St., 21, Дорчестер.

    Чедвик, Н., Рассел 11.

    Чандлер, Н. Б., 28 Холиок-стрит,

    Чао, В. Дж., Дивинити 6.

    Чарак, В. С., 1238 Содружество Авеню, Бостон.

    Chestnut, RW, 81 Oxford St.

    Childs, ES, Brentford 22.

    Childs, PM, Claverly 38.

    Chittenden, LP, Dana 27.

    Clark, AC, 56 Mt. Auburn St.

    Clark, ES, Randolph 52.

    Clark, TA, Apley 41.

    Clark, T., Randolph 3.

    Cobb, G. W., Jr., 28 Holyoke St.

    Coffey, J. D., Gannett 5.

    Cohen, M. A., 63 Allen St., Boston.

    Коллинз, Б. С., 120 Маунт-Оберн-стрит, Уотертаун.

    Conn., WH, Grays 11.

    Cook, RS, Ridgely 61.

    Cook, RM, Randolph 35.

    Coolidge, A., Randolph 23.

    Coolidge, CA, Jr., Randolph 57.

    Кулидж, Дж., Уэлд 14.

    Купер, А., —

    Коупленд, ФХ, Perkins 26.

    Conig, J. D., 705 Cambridge St., Brighton.

    Courteen, HB, Randolph 53.

    Coxe, TF, Ridgely 55.

    Cram, RN, Dana 26.

    Crane, RZ, Grays 34.

    Crichton, JD, 110 Trowbridge St.

    Crighton, AE, 54 Dunster St.

    Crocker, GH, Jr., Randolph 14.

    Crowley, CF, 82 Dana St.

    Crowley, JL, 53 Hillside St., Roxbury.

    Culburt, K. P., 5 Linden St.

    Каммингс, Л. К., младший, 17, Рассел.

    Каммингс, В. Г., Рэндольф 8.

    Каннингем, М., Клеверли 52.

    Кертис, Ф. Х., 63 Бэй Стейт Роуд. Бостон.

    Дейли, О. Г., Данстер 23.

    Данахи, Л. П., 467 Бродвей.

    Дарлинг, Б., Уэстморли 6. Дарлинг, НП, 26 Holyoke St.

    Danow, LG, 41 Prentiss St.

    Davidson, EC, 31 Holyoke St.

    Davidson, ELC, 1556 Cambridge St.

    Дэвис, BWH., 54 Northfield St.

    Davis, H.H., Claverly 33.

    Davison, R.H., 168 Walnut Ave., Roxbury.

    Day, LB, Randolph 32.

    Dayton, HL, 18 St. Paul St.

    Dean, FB, Dana 28.

    De Coster, OW, Weld 47.

    Derbyshire, WH, Jr., Randolph 37.

    Derr, TS, Russell 19.

    Derry, CM, 12 Trowbridge St.

    Dewart, FH Dana 31.

    Doane, RF, 14 Mifflin Place.

    Додд, М., Ridgely 51.

    Dodge, R. L., Weld 52.

    Dole, H. S., 91 Glen Road, Jamaica Plain.

    Донован, Х. Н., ул. Офир, 16, Ямайка-Плейн.

    Dort, FW, Russell 25.

    Douglas, EA, 56 Mt. Auburn St.

    Douglas, C., Weld 21.

    Downing, SB, Claverly 51.

    Driver, RM, Weston, Mass.

    Duggan, EW, Dana 39.

    Dumas, GD, Matthews 24.

    Dunbar, AK, 90 Spring Lane, Canton.

    Дункан, Д., Claverly 55.

    Dunn, AK, Ridgely 26.

    Dyer, MP, Russell 6.

    Eaton, CF, Westmorly 146.

    Eckfeldt, TH, Jr., 20 Holyoke St.

    Eglee, CH, Jr., Hampden 1.

    Eliot, CB, Church St., Weston.

    Elliott, PH, 27 Holyoke St.

    Ellison, EH, Jr., Randolph 2.

    Ellsworth, EP, Hotel Buckminster, Bos-

    Ellsworth, EM, Westmorly 141.

    Eltinch, LC, 7 Ashton Место.

    Ely., WS, Randolph 59.

    Emery, JA, Holyoke 4.

    Emmons, GB, Jr., Russell Annex 37.

    Everitt, LB, Weld 22.

    Fahrney, PC, Perkins 80.

    Фарнсворт, ЧР, Мэтьюз 35.

    Фини, Дж. У., Перкинс 77.

    Фернберг, HM, Джефферсон авеню 27, Челси.

    Фелдер, Н. Л., Уолтер Гастингс 59.

    Фелл, Н., Апли-Корт, 51.

    Финкель, Х. С., 100 Сивер-стрит, Роксбери.

    Фишер, Д., 102 Malden St., Эверетт.

    Фишер, Т. К., 29 Холиок-стрит

    Фитц, Л. Л., 37 Рокленд-стрит, Мелроуз.

    Fleming, W., 58 Mt. Auburn St.

    Flu, E. B., 10a Rockaway St., Lynn.

    Ford, W. V. J., 777 E. Fourth St., Boston.

    Foss, AS, Russell 11.

    Foster, FB, Claverly 50.

    Foster, JF, Jr., Weld 48.

    Foster, MFH, Ware 25.

    Foster, RM, 1746 Cambridge St.

    Фрагопулос, А.A., Боярышник 141, Челси.

    Франзен Р. Х., Холиок 10.

    Фридман, К. С., 50 Паркер-стрит, Челси.

    Freedman, E. P., 409 Essex St., Salem.

    Freedman, H., 411 Essex St., Salem.

    Fremont-Smith, F., Jr., 31 Holyoke St.

    French, JM, Holyoke 23.

    Fry, RT, 52 Mt. Auburn St.

    Fuller, RB, Randolph 70.

    Gale, JE, 2d, Claverly 21.

    Galligan, E., 3 Rockland St.

    Gardner, A.L., Jr., Dana 23.

    Gardner, SN, Weld 25.

    Garland, JA, Claverly 17.

    Garritt, WG, Jr., 31 Bow St.

    Gates, HE, 97 Avon Hill St

    Газзам, Дж., Младший, Риджли 42.

    Гедман, Нью-Мексико, Грейс 32.

    Герати, член парламента, Рэндольф 24.

    Гузумки, MHC, 99 Клифф авеню, Уинтроп.

    Гибб, Э. Х., Дана 31.

    Гилдер, Х., 78 Маунт-Оберн-Стрит,

    Гилл, Х. К., Перкинс 73.

    Гилман, Дж.Р., 91 Бродвей, Эверетт.

    Гинзбург, Б. Дж., 3 Флюенс-стрит, Лоуренс.

    Gleason, H. W., 6 Waverly St., Roxbury.

    Глисон, W. T. E., 1433 Columbus Ave., Бостон.

    Goldsbury, J., 57 Bartlett St., Charlestown.

    Голдтуэйт, Дж. А., Рассел 24.

    Голдтуэйт, К., 208 Клифтон-стрит, Малден.

    Gonysuts, H.G., улица Норфолк 37, Дорчестер.

    Goodhue, M. M., Westmorly 45.

    Goodnow, E. P., Russell 19.

    Green, J.Г., Крейтон-стрит, 53, Роксбери.

    Gresser, W., 56 Boylston St.

    Grover, LP, Grays 30.

    Guild, FG, Harvard Union 9.

    Guild, HR, Claverly 43.

    Guild, HR, Jr., 28 Holyoke

    Gunraj, WT, College House 51.

    Guren, M., Gannett 3.

    Haertlein, A., Perkins 81.

    Haeusler, HM, 7 Blake St.

    Hale, RH, Russell 33

    Haley, EP, 43 St. Paul St., Brookline.

    Гамильтон, W.F., Holyoke 28.

    Hamcorn, C. D., 1557 Blue Hill Ave., Mattapan.

    Харлоу, Дж. С., мл., 1657 Mass. Ave.

    Харрис, Дж. К., Рассел 21.

    Харт, Г. Ф., Грейс 31.

    Харт, Р., Клеверли, 35.

    Хартсхорн, Г. Д., Рэндольф 63

    Хартвелл, GWB, 24 Берроуз-стрит, Ямайка-Плейн.

    Харви, Р. Л., 48 Кресент-стрит

    Хазерик, Х. У., Клаверли 39.

    Гастингс, А. Х., Брентфорд 56.

    Хед, ЛР., H. A., 1623 Dorchester Ave., Дорчестер.

    Hebb, G. B., 20 Cross St., Roslindale.

    Хендерсон, Х., Холиок 34.

    Херрингтон, К. М., Уэстморли, 144.

    Хевер, У. Дж., Велд 24.

    Хьюетт, Р. С., 53 Спринг-Лейн, Кантон.

    Hickey, W. L., 776 E. 4th St., So. Бостон.

    Higginson, C., Westmorly 46.

    Hillery, J. C., 58 Eustis St.

    Hillyer, R. S., 5 Linden St.

    Hinds, A. S., Matthews 4.

    Hitchcock, R.H., Dana 21.

    Hobbs, MC, Claverly 37.

    Hobbs, RL, 44 Martin St.

    Hodges, CH, Jr., Russell 25.

    Hoffman, D., 218 Bremen St., Boston .

    Холли, У. У., младший, 141 Хайленд Стрит, Роксбери.

    Холман, Дж. Л., Холиок, 19.

    Хортон, В. М., 9 Уиндермир Парк, Арлингтон.

    Howe, P.C.S, Randolph 57.

    Hoyt, J. K., Jr., Matthews 51.

    Hubbell, J. W., Claverly 34.

    Hughes, G.H., Grays 42.

    Humphrey, CE, 134 Elm St.

    Hunneman, RD, 37 Bow St.

    Hutchtns, H., Randolph 58.

    Hutchinson, WK, Jr., 330 Mass. Ave.

    Ингаллс, Ф.А., младший, Рэндол 31.

    Ингрэхэм, П.В., Дана 31.

    Ирвин, RSK, Мэтьюз

    Айвс, С.Б., Клаверли 25.

    Джексон, К.Ф., Холиок-стрит, 27,

    , Джексон, PN , Apley 53.

    Jenney, WT, Russell 6.

    Jensen, ALG, Grays 2

    Johnson, E.E., Ridgely 53.

    Johnson, RB, Grays 13.

    Johnstone, JO, 345 Brookline St.

    Jones, G., Dana 33.

    Jones, KW, __

    Jones, SG, Perkins, 77.

    Joy, TP, 106 Milton St., Dorchester.

    Джадд, Д. Э., 624 Уоррен-стрит, Роксбери.

    Kuller, A. L., 79 Brunswick St., Roxbury.

    Kaplan, H., 291 Windsor St.

    Kavanaugh, L.T., Jr., Claverly 42.

    Keck, A.C., Matthews 51.

    Kelley, J.J., Ньюпорт-стрит, 17, Дорчестер.

    Келли, Р. К., Дана 42.

    Келли, С. Дж. А., 65 Биннер-стрит, Бостон.

    Kelley, WD, Jr., 33 Holyoke St.

    Kendrick, TE, Perkins 26.

    Kenefick, DJ, Jr., __

    Kenna, RK, Westmorly 3.

    Kenney, DL, 8 Ellery St

    Кенни, 3846 Вашингтон-стрит, Бостон.

    Kenney, W. W., Weston.

    Kenny, N. W., Hampden 1.

    Kent, H. A., 32 Windermere Road, Dorchester.

    Kent, JS, Jr., Brentford 31.

    Kerr, HL, 342 Harvard St.

    Kimball, AH, Jr., __

    King, HS, 54 Concord Ave.

    Kipp, CP, 69 Perham Стрит, Вест-Роксбери.

    Киркпатрик О.Г., Рэндольф С.

    Киров В.Г., Бостон, ул. Хеменуэй, 132.

    Kissel, G.H., Randolph 7.

    Kline, J. E., 182 Prospect St.

    Kloeber, R., 18 Prescott St.

    Konikon, W. M., 175 Bryant St., Malden

    Korolick, G.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *