Федосеенко ул 57: улица Федосеенко, 57 — все заведения в доме, рейтинг дома № 57 на улице Федосеенко на карте, ближайшее метро, организации, фотографии, отзывы — Нижний Новгород

Содержание

адрес, телефон, режим работы, сайт, как добраться, отзывы

Перейти к контенту ‘; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-8’, blockId: ‘R-A-644425-8’ }) }) } else { document.getElementById(«content-top-gl»).innerHTML = »; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-9’, blockId: ‘R-A-644425-9’ }) }) } ‘; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-4’, blockId: ‘R-A-644425-4’ }) }) } else { document.getElementById(«content1″).innerHTML = »; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-1’, blockId: ‘R-A-644425-1’ }) }) }

Контакты

Адрес: Россия, Нижний Новгород, улица Федосеенко, 57

Телефон: +7 (910) 381-98-49

Режим работы: пн-пт 08:00–17:00

‘; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-10’, blockId: ‘R-A-644425-10’ }) }) } else { document.getElementById(«content-middle-gl»).innerHTML = »; window.yaContextCb.push(()=>{ Ya.Context.AdvManager.render({ renderTo: ‘yandex_rtb_R-A-644425-11’, blockId: ‘R-A-644425-11’ }) }) }

Сайт: https://gidroagro.ru/

GPS координаты: 43.812673, 56.335023

Категория: Проектная организация Нижний Новгород

ГидроАгроСтрой, Нижний Новгород, улица Федосеенко, 57 на карте

Используйте интерактивную карту ниже, чтобы посмотреть, где находится, и как добраться до ГидроАгроСтрой, Нижний Новгород, улица Федосеенко, 57.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:

Мобиус — Нижний Новгород, ул. Федосеенко, 57, отзывы, режим работы

Строительные компании России — Нижегородская область — Нижний Новгород — Трубопроводная арматура, фитинги — Мобиус — Нижний Новгород, ул. Федосеенко, 57

Схема проезда к Мобиус, Нижний Новгород

Если Вы заметили неточность в описании, адресе или телефонах свяжитесь с нами через форму обратной связи. В сообщении указывайте адрес страницы карточки компании на сайте.

Область/край: Нижегородская область

Город: Нижний Новгород

Адрес: 603037, ул. Федосеенко, 57

Директор: Лоскутов Максим Евгеньевич

Телефоны: +7 (831) 275-98-18, +7 (831) 275-98-19, Факс : +7 (831) 75-98-19

Режим работы:

Сайт:

Форма собственности: ООО

Рубрики:
  • Санитарно-техническое оборудование
  • Трубопроводная арматура, фитинги
Дополнительная информация: 

Оставить отзыв о Мобиус — Нижний Новгород, ул. Федосеенко, 57

Похожие строительные организации:

МТС — Нижний Новгород
Адрес: ул. Родионова, 23/ж
Н. Н. Пайп — Нижний Новгород
Адрес: ул. Окская Гавань, 3
Надежда, — Нижний Новгород
Адрес: ул. Казакова маршала, 7/а
НефтеГаз-Технологии — Нижний Новгород
Адрес:
Нижегородская металлургическая компания
Адрес: ул. Коминтерна, 39
Нижегородские трубопроводы
Адрес:
Нижегородский завод испытательного технологического оборудования
Адрес: пер. Спортсменский, 12
Нижегородхимкомплект
Адрес: ул. Костина, 2, оф. 93
НОРК Металл
Адрес: ул. Ванеева, 127
Огниво НН
Адрес: ул. Юбилейный, 8

Организация Мобиус расположена в населённом пункте Нижний Новгород по адресу 603037 ул. Федосеенко, 57. Директор Лоскутов Максим Евгеньевич и сотрудники организации ответят Вам по телефонам: +7 (831) 275-98-18, +7 (831) 275-98-19, Факс : +7 (831) 75-98-19.

Ниже Вы можете прочитать или оставить отзывы, пожаловаться на сотрудников организации.

Важно: отзывы читателей размещаются без предварительного редактирования.
Все отзывы являются частным мнением их авторов.

ВАЛИАНТ, ООО в Нижнем Новгороде, Федосеенко, 57: телефоны, режим работы

Режим работы

пн–пт 08:30–12:30,13:30–17:30

ПонедельникВторник
Среда
ЧетвергПятницаСубботаВоскресенье
08:30–12:30
13:30–17:30
08:30–12:30
13:30–17:30
08:30–12:30
13:30–17:30
08:30–12:30
13:30–17:30
08:30–12:30
13:30–17:30
выходной выходной

Рекомендуем позвонить по номеру +7‒930‒808‒18‒58, чтобы уточнить время работы и как доехать до адреса: Федосеенко, 57.

отелей в Нижнем Новгороде Найдите лучшие предложения – timehubzone․com

Нижний Новгород, Россия

Страна:

Россия

Область, край:

Нижний Новгород

Широта / Долгота:

56° 20 N 44° 0 E

Сведения об отеле
  • Отзывы, рейтинг, цена, изображения и многое другое.

    Россия, Нижний Новгород Ближайшие гостиницы, мотели, хостелы, апартаменты и курорты

    Ирис Отель Нижний Новгород

    Кожевенная ул.14 Нижний Новгород

    Домино Отель Нижний Новгород

    Почаинский Овраг ул.2 Нижний Новгород

    Дом Николы

    ул. Пожарского 18 Нижний Новгород

    Бутик-апартаменты Покровка 9А

    Большая Покровская 9А Нижний Новгород

    Монарх

    улица Ульянова 6 Нижний Новгород

    Квартира по ул. Пискунова, 4

    №3 корп.ул. Пискунова, 4 Нижний Новгород

    Гостиница Троицкая

    Переулок Вахитова 8 Нижний Новгород

    Кремлевская

    Улица Минина 3а Нижний Новгород

    Гостиница Сергиевская

    Улица Сергиевская 12 Нижний Новгород

    Отель «Александровский сад»

    3-й Георгиевский съезд Нижний Новгород

    Гостиница Октябрьская Нижний Новгород

    Верхне-Волжская набережная 9А Нижний Новгород

    Гостиница Парус Нижний Новгород

    ул. Ильинская 45А Нижний Новгород

    Гостиница Дипломат Нижний Новгород

    Улица Большая Печерская 26 Нижний Новгород

    Жук Жак

    Большая Покровская улица 57 Нижний Новгород

    Гостиный Дом

    улица Максима Горького 117 Нижний Новгород

    Ibis Hotel Нижний Новгород

    ул. Максима Горького 115 Приволжский округ Нижний Новгород

    Площадь Горького Квартира

    ул. Максима Горького, 1/80 Нижний Новгород

    Гостиница Воробей Нижний Новгород

    Улица Воровского 3 Нижний Новгород

    Сервис Гостиница Ярмарка

    ул. Должанская, 1А Нижний Новгород

    Гостиница Акварель

    ул. Тимирязева 3-б Нижний Новгород

    Маринс Парк Отель

    ул. Советская 12 Нижний Новгород

    Хостел Станкоинформ

    ул. Кузнечихинская 73 Нижний Новгород

    Гранд Отель Ока

    Проспект Гагарина 27 Нижний Новгород

    Easy Room

    ул. Родионова 165/9 Нижний Новгород

    Николь Бизнес Отель

    Сормовское шоссе, 15А Нижний Новгород

    Гостиница Мечта

    Проспект Гагарина 54 Нижний Новгород

    Дом Магеллана Борисовка

    Улица Ванеева 105 Белгород

    Гостиница Мещера

    ул.56 Нижний Новгород

    Вертолетная площадь

    улица Бринского 6 Нижний Новгород

    Гостиница Порт Тортуга

    Слободы Печоры ул. 375 Нижний Новгород

    Квартира на Большой Покровской 1

    Улица Пискунова №5 Нижний Новгород

    Гостиница Волна

    Проспект Ленина 98 Нижний Новгород

    Гостиница Автозаводская Нижний Новгород

    Молодежный проспект, 6 Нижний Новгород

    Русский Капитал

    улица Минеева 29 Нижний Новгород

    Чайка Дзержинск

    Желнино д. Дзержинск

    Гостиница Парус Лысково

    ул. Нижняя-Набережная 2 Лысково Нижний Новгород

    Гостиница Корнилов Покров

    улица Ленина 94 Покров

    Гостиница Русь Муром

    Улица Московская 87 Муром

    Гранд Отель Шуя

    улица Ленина 2 Шуя

    Сосновый Бор

    Любимова улица, 3 Иваново

    Гостиница Вознесенск

    4-я Меланжевая улица, 2 Иваново

    Гостиница Фортеция Русь

    ул.90 Плес

    Шереметев Парк Отель

    ул. Наумова, 1 Иваново

    Гостиница Союз Иваново

    Проспект Фридриха Энгельса 47Б Иваново

    Гостиница Онегин Иваново

    Подгорная 9 Иваново

    Дис Отель

    ул. Цивильская, 11 Чебоксары

    Волга Премиум Отель

    Ярославская 23 корп.1 Чебоксары

    Гостиница Россия

    ул. Гагарина, 34 Чебоксары

    Гостиница Князь Владимир

    ул.Растопчина 1Д Владимир

    Гостиница Суздаль

    Васильевская улица 27 Суздаль

    Гостевой дом Валентина

    Воротищевский переулок 14 Суздаль

    Гостевой Дом Волшебный Сад

    Переулок Садовый 10Д Суздаль

    Суздаль Комфорт

    улица Ленина 26/1 Суздаль

    Вишневый сад

    ул. Ленина, 10 Суздаль

    Гостиница Сокол Суздаль

    Торговая пл.2А Суздаль

    Алексеевский Дом

    ул. Красноармейская 19 Суздаль

    Гостиница «Пушкарская слобода»

    ул. Ленина, 43 Суздаль Россия Суздаль

    Медвежий Уголь Суздаль

    Северная улица 8Б Суздаль

    Русская Изба

    Улица Гастева 34 Суздаль

    Гостиница Николаевский Посад

    ул. Ленина, 138 Суздаль

    Серебряный век

    Улица Гастева 28 Б Суздаль

    Гостевой дом «Павловское подворье»

    Улица Мичурина 14 Суздаль

    Гостевой Дом Подворье

    Улица Гоголя 14 Суздаль

    Гостиница Кремлевский

    ул.5 Суздаль

    Стромынка Отель Суздаль

    Стромынка ул.2 Суздаль

    Гостиница Покровская в Покровском монастыре

    влдаймирская область Суздаль

    Гостевой дом Лепешиных

    ул. Профсоюзная 11 Суздаль

    Гостиница Светлый Терем

    ул.Толстого 21 Суздаль

    ГТК Ризалит Отель Суздаль

    ул. Коровникт 601260 Суздаль Россия Суздаль

    Гостевой дом Захаровых

    1-я Красноармейская ул.15 Суздаль

    Алексеевская Усадьба

    Покровская улица 2А Суздаль

    Гостевой дом Дом Попова

    ул. Туристическая 1 Суздаль

    Спасская горка Гостиница Суздаль

    ул. Спасская, 62 Суздаль

    Гостиница Суздаль

    ул. Коровники, 45 Суздаль

    Гостиница Владимир

    Б Московская 74 Владимир

    Романов Лес

    50 Лунёв Кострома

    Владимирский дворик

    улица Подбельского 12 Владимир

    Орион Отель Владимир

    2-я Никольская улица, дом 3 Владимир

    Парк-Отель Вознесенская Слобода Владимир

    ул. Вознесенская, 14Б Владимир

    Гостиница «У Золотых Ворот»

    ул. Московская, 15 Владимир

    Амакс Золотое кольцо

    ул. Чайковского, 27 Владимир

    Русская Деревня

    Московская 5А Владимир

    Best Eastern Mirta Hotel

    ул. Федосеенко, 4 Саранск

    Гостиница Вирджиния Йошкар-Ола

    Петромайский переулок, 12 Йошкар-Ола

    Людовико Моро

    Успенская улица 15 Йошкар-Ола

    Гостиница Эврика

    Улица Чехова 73 Йошкар-Ола

    Отель-бутик Stone

    Ул.Первомайская 109 Йошкар-Ола

    Гостиница Чувашия

    Проспект Ленина 2 Чебоксары

    Гостиница Снегурочка

    ул. Лагерная, 38/13 Кострома

    Волга Кострома

    ул. Юношеская, 1 Кострома

    Премьер Отель

    Улица Магистральная 13 Кострома

    АЗИМУТ Отель Кострома

    Магистральная улица 40 Кострома

    Интурист Мотель Кострома

    Улица Магистральная 40 Кострома

    Бизнес-отель Кострома

    1 24 мая Кострома

    Гостиница Золотое Кольцо Кострома

    ул. Нижняя Дебря 104 Кострома

    Гостиница Шелестов

    ул. Коммунаров, 1 Кострома

    Парк Отель SKX

    Красная 4 Саранск

    Гостиница Саранск

    Коммунистическая 35 Саранск

    Астра Парк Отель

    Туношна-Городок 26 1 Туношна

    Гостиница Правобережная

    Поселок Прибрежный 24 Ананино Ульяновск

    отелей в Ибреси Найдите лучшие предложения – timehubzone․com

    Ибреси, Россия

    Страна:

    Россия

    Область, край:

    Чувашия

    Широта / Долгота:

    55° 18 N 47° 2 E

    Информация об отеле
    • Отзывы, рейтинг, цены, изображения и многое другое..
    Контактная информация
    • Номер телефона, адрес электронной почты, адрес веб-сайта, номер факса

    Россия, Ибреси Ближайшие гостиницы, мотели, хостелы, апартаменты и курорт

    Россия Гостиница

    ул. Гагарина, 34 Чебоксары

    Дис Отель

    ул. Цивильская, 11 Чебоксары

    Волга Премиум Отель

    Ярославская 23 корп.1 Чебоксары

    Гостиница Корнилов Покров

    улица Ленина 94 Покров

    Гостиница Сафар

    Улица Односторонняя Гривка 1 Казань

    Гостиничный комплекс «Абажур»

    улица Юности 37 Ульяновск

    Гостиничный комплекс «Виктория»

    Московское шоссе, 86А Ульяновск

    Гостиница Регина Петровская

    Матюшинское Лесничество Участок 11 Петровский Челябинск

    Астра

    ул. Локомотивная, 99 Ульяновск

    Ryan Johnson Hotel

    улица Урицкого 15 Казань

    Imperial Club Deluxe

    ул. Александровская 60 Ульяновск

    Гостиница Дунай

    ул. Болотникова 9 Казань

    Гостиница Барселона

    Улица Бебеля, 45 Ульяновск

    Гостевой Дом Восток

    Улица Ново-Давликеевская 19 Казань

    Гостиница Волга

    Улица Саид-Галеева 1 Казань

    Гостиница Шушма Казань

    Улица Нариманова 15 Казань

    Гостиница Милена Казань

    ул. Тази Гизатта, 19 Казань

    Гостиница Мираж Казань

    Улица Московская 1А Казань

    Гранд Отель Казань

    Улица Петербург 1 Казань

    Хостел Татьянин День

    ул. Сулеймановой 5 Казань

    Гостиница Колви

    ул. Худякова, 7 М Казань

    Сафьян

    Улица Сафяна 6 Казань

    Гостиница Булак Казань

    ул. Левобулачная 36/1 Казань

    Булак

    49 Право Булачная Казань

    Спа-комплекс Лучано

    ул. Островского, 26 Казань

    Гостиница Фатима Казань

    Улица Карла Маркса 2 Казань

    Кортъярд Марриотт Казанский Кремль

    ул. Карла Маркса, 6 Вахитовский район Казань

    Булгару Хостел Казань

    ул. Университетская д. 4/34 кв.8 Казань

    Арт Отель Казань

    ул. Островского 33 Казань

    Дворец Шаляпина

    Университетская улица 7/80 Казань

    Регина на Баумана

    улица Баумана 47/9 Казань

    Гостиничный Комплекс Татарстан

    Улица Пушкина, 4 Казань

    Левый Берег Ульяновск

    ул Металлистов 2/3 Ульяновск

    Hayall Hotel

    ул. Университетская 16 Казань

    Регина на Петербургской

    ул. Петербургская 11 Казань

    IT-Park Hotel

    ул. Петербургская, д. 52 Казань

    Особняк на Театральной

    ул. Театральная 3 Казань

    Сулейман Палас Отель

    ул. Петербургская 55 Казань

    Гостиница Премиум

    ул. Максима Горького 3 Казань

    Горького 6 Общежитие

    улица Горького 6 Казань

    Best Eastern Novinka Hotel

    ул. Короленко 30 Казань

    Ял Отель Казань

    Оренбургский тракт 20 Казань

    Vhostele

    улица Волкова 54А Казань

    Парк Инн Казань

    Улица Лесгафта 9-11 Казань

    Гостиница Ял на Калинина Казань

    Улица Калинина 69 Казань

    Отель Ильмар Сити Казань

    Улица Карбышева 12А Казань

    Корстон Отель и Молл Казань

    ул. Северная Ершова 1А Казань

    Гостиница Гвардейская

    Улица Гвардейская 35 Казань

    Хостел Зебра

    Проспект Фатыха Амирхана 18А Казань

    Гостиница Регина на Кирпичникова

    Улица Академика Кирпичникова 11 Казань

    Гостиница Регина Казань

    ул. 50 лет Октября, 11 Казань

    Гостиница Гольфстрим

    2-я Азинская ул., 1Г Казань

    Гостиница Вояж Казань

    Журналистов 29А Казань

    Гостиница Парус Лысково

    ул. Нижняя-Набережная 2 Лысково Нижний Новгород

    Кастро

    ул. Интернациональная 1/1 Казань

    Гостиница Транзит

    Шоссе Москва Уфа 812 км Казань

    Людовико Моро

    Успенская улица 15 Йошкар-Ола

    Гостиница Чувашия

    Проспект Ленина 2 Чебоксары

    Отель-бутик Stone

    Ул.Первомайская 109 Йошкар-Ола

    Гостиница Вирджиния Йошкар-Ола

    Петромайский переулок, 12 Йошкар-Ола

    Гостиница Эврика

    Улица Чехова 73 Йошкар-Ола

    Best Eastern Mirta Hotel

    ул. Федосеенко, 4 Саранск

    Гостиница Саранск

    Коммунистическая 35 Саранск

    Парк Отель SKX

    Красная 4 Саранск

    Гостиница Порт Тортуга

    Слободы Печоры ул. 375 Нижний Новгород

    Вертолетная площадь

    улица Бринского 6 Нижний Новгород

    Easy Room

    ул. Родионова 165/9 Нижний Новгород

    Хостел Станкоинформ

    ул. Кузнечихинская 73 Нижний Новгород

    Гостиница Дипломат Нижний Новгород

    Улица Большая Печерская 26 Нижний Новгород

    Гостиница Мечта

    Проспект Гагарина 54 Нижний Новгород

    Гостиница Акварель

    ул. Тимирязева 3-б Нижний Новгород

    Гостиница Октябрьская Нижний Новгород

    Верхне-Волжская набережная 9А Нижний Новгород

    Дом Магеллана Борисовка

    Улица Ванеева 105 Белгород

    Гостиный Дом

    улица Максима Горького 117 Нижний Новгород

    Отель «Александровский сад»

    3-й Георгиевский съезд Нижний Новгород

    Гранд Отель Ока

    Проспект Гагарина 27 Нижний Новгород

    Ibis Hotel Нижний Новгород

    ул. Максима Горького 115 Приволжский округ Нижний Новгород

    Кремлевская

    Улица Минина 3а Нижний Новгород

    Монарх

    улица Ульянова 6 Нижний Новгород

    Площадь Горького Квартира

    ул. Максима Горького, 1/80 Нижний Новгород

    Гостиница Воробей Нижний Новгород

    Улица Воровского 3 Нижний Новгород

    Квартира по ул. Пискунова, 4

    №3 корп.ул. Пискунова, 4 Нижний Новгород

    Бутик-апартаменты Покровка 9А

    Большая Покровская 9А Нижний Новгород

    Жук Жак

    Большая Покровская улица 57 Нижний Новгород

    Дом Николы

    ул. Пожарского 18 Нижний Новгород

    Домино Отель Нижний Новгород

    Почаинский Овраг ул.2 Нижний Новгород

    Ирис Отель Нижний Новгород

    Кожевенная ул.14 Нижний Новгород

    Гостиница Сергиевская

    Улица Сергиевская 12 Нижний Новгород

    Гостиница Парус Нижний Новгород

    ул. Ильинская 45А Нижний Новгород

    Гостиница Троицкая

    Переулок Вахитова 8 Нижний Новгород

    Квартира на Большой Покровской 1

    Улица Пискунова №5 Нижний Новгород

    Маринс Парк Отель

    ул. Советская 12 Нижний Новгород

    Сервис Гостиница Ярмарка

    ул. Должанская, 1А Нижний Новгород

    Гостиница Волна

    Проспект Ленина 98 Нижний Новгород

    Гостиница Автозаводская Нижний Новгород

    Молодежный проспект, 6 Нижний Новгород

    Николь Бизнес Отель

    Сормовское шоссе, 15А Нижний Новгород

    Русский Капитал

    улица Минеева 29 Нижний Новгород

    Гостиница Мещера

    ул.56 Нижний Новгород

    Бутик-Отель Фамилия Ягодное

    Садовая улица 44 Тольятти

    Эмеральд Отель Тольятти

    Воскресенская улица 9 Автозаводский район Тольятти

    Дилеры по продаже электрических соковыжималок-измельчителей

    Регион

    Наименование организации-дилера

    Юридический адрес , телефон

    Павлодар,

    Казахстан

    Регал Лимитед

    Товарищество

    г. Павлодар,

    ул. Академика Чокина, 38/1,

    телефон +7182 34-32-25, 34-19-70

    Королев,

    Московская область,

    Россия

    ООО «ВИСС»

    г. Королев, ул. Северная, д. 14,
    телефон +7 495 513-66-13

    Санкт-Петербург,

    Россия

    Представитель

    Офисы

    ООО «ВИСС-Петербург»


    , ул. Предпортовая, д. 6 Телефон +7 812 322-99-64, 322-99-95

    Белгород,

    Россия

    ООО «ВИСС-Белгород»,

    , Михайловское шоссе, д. 23

    Н. Новгород,

    Россия

    ВИСС-Н.ООО Новгород,

    , Московское шоссе, 300

    Телефон +7 8312 74-95-90, 74-95-89

    Москва,

    Россия

    ООО «Флагмантехно»

    г. Москва, Олонецкий пр., д. 4/2, офис 18,

    Телефон +7 495 980-69-69

    Воронеж,

    Россия

    ООО «Электробыт».

    г. Воронеж,


    , ул. Невского, д. 1А Телефон +7 4732 53-78-55

    Н. Новгород,

    Россия

    ООО «Техмаркет»

    г. Н. Новгород,

    ул. Федосеенко, 57,

    Телефон +7 831 275-97-97

    Курск,

    Россия

    Индивидуальный предприниматель

    Марыкин Д.В.

    г. Курск, ул. Магистральная, д. 17,
    Телефон +7 4792 32-10-10

    +257

    Челябинск,

    Россия

    Индивидуальный предприниматель

    Симаков О.В.

    г. Челябинск

    , ул. Орджоникидзе, 54А

    Телефон +7 3512 37-47-35

    Пенза,

    Россия

    Индивидуальный предприниматель

    Парфенов Н.В.

    г. Пенза,

    ул. Перспективная, 3,

    Телефон +7 8412 38-13-38

    Ростов-на-Дону,

    Россия

    Белтехторг ООО

    г. Ростов-на-Дону,


    , пр. 40 лет Победы, 117 Телефон +7 8632 69-38-10

    Харьков,

    Украина

    КТ рядовой

    Предприятие

    село Безлюдовка,

    ул. Песчаная, 7.,

    Телефон +380-542-787-413

    Рига,

    Латвия

    Белорусский Бизнес

    ООО Центр

    г. Рига, ул. Централтиргус, 5,

    Телефон +371-674-204-98

    Вильнюс,

    Литва

    ВитАгра

    г. Вильнюс,

    ул. Мейстру, 12,

    Телефон +370-5232-33-99

    Мобильный телефон +370-699-988-52

    Днестровская ул., Харьков — телефонный справочник

    Телефонный справочник, отсортированный по названиям улиц — это телефонный справочник, в котором показан список названий улиц в текущем городе. Если вы выберете одно название улицы, вы увидите список лиц, проживающих на этой улице.Если вы выберете одного из перечисленных людей, вы увидите полную информацию об этом человеке (например, номер телефона, имя и адрес). Иногда бывает очень полезно узнать телефоны своих соседей или людей, живущих недалеко от вас.

    Директор: Украина → Харьков по пользовательским параметрампросмотр по номерам телефоновпросмотр по улицам и домампросмотр по фамилиям → Днестровская ул.

    Харьков, Днестровская ул.: показаны лица 1—30 из 30 (0,01 сек)

    Телефон Фамилия, имя Адрес
    954513 Поляков Иб Днестровская ул., корп. 13
    939010 Чирва Аа Днестровская ул., корп. 14
    6 Федосеенко ИП Днестровская ул., корп. 18
    954241 Коваль Ма Днестровская ул., корп. 20
    954518 Шкуратов В.А. Днестровская ул., корп. 22
    6 Петров Ай Днестровская ул., корп. 24
    954641 Лысокобылка ТВ Днестровская ул., корп. 25/1
    936114 Кошеварова Нг Днестровская ул., корп. 27/1
    2 Крымова Вп Днестровская ул., корп. 27/1
    954498 Воробьев Ив Днестровская ул., корп. 30
    8 Ковган Са Днестровская ул., корп. 32
    943174 Малышева Ls Днестровская ул., корп. 33

    8

    Солошенко Эл Днестровская ул., корп. 34
    940201 Фисин Lf Днестровская ул., корп. 35
    2 Жижера Ам Днестровская ул., корп. 37/63
    936231 Симонова Кф Днестровская ул., корп. 38
    936331 Рудник Gt Днестровская ул., корп. 40
    940301 Самсонюк Ми Днестровская ул., корп. 44

    2

    Олейник Ай Днестровская ул., корп. 46
    4 Кисляк Nz Днестровская ул., корп. 56
    954903 Проценко Аг Днестровская ул., корп. 58
    954349 Ведина Ов Днестровская ул., корп. 60
    936823 Сафонов Юв Днестровская ул., корп. 66
    954442 Юнакова Т.Н. Днестровская ул., корп. 70
    946015 Байдак г-н Днестровская ул., корп. 72
    939386 Голуб на Днестровская ул., корп. 74
    946115 Белевец Ан Днестровская ул., корп. 76
    6 Котелевский Ик Днестровская ул., корп. 78
    954443 Костюк На Днестровская ул., корп. 80
    954284 Мороз Сф Днестровская ул., корп. 84

    Другие телефонные справочники Харькова :

    Те же телефонные справочники других городов Украины :

    Упаковочные материалы Бумага и картон в России

    

    Упаковочные материалы Бумага и картон в России
    • Абразивининструментснаб

      Адрес: Ул.Вождей Революции, д.4, 603054 Нижний Новгород Россия
      Телефон: +7 83 12 25 88 81

    • Амкор Ренч Новгород ООО

      Адрес: Рабочая ул. 15, 173008 Великий Новгород Россия
      Телефон: +7 816264 31 77

    • Анкора

      Адрес: просп. Большой, 55, 199178 Санкт-Петербург, Россия
      Телефон: +7 81 27 18 55 60

    • Аполинария

      Адрес: Ул. Карла Маркса, д. 86, 352905 Армавир Россия
      Телефон: +7 86 13 75 08 83

    • Арпако

      Адрес: Ул.Петровка, д. 32/1-3, стр. 2, 127006 Москва Россия
      Телефон: +7 49 57 82 90 60

    • Аспак

      Адрес: Дмитровское шоссе, д.37, кор.1, кв.334, 127550 Москва, Россия
      Телефон: +7 49 59 76 94 75

    • Астерикс

      Адрес: Ул. Марата, 14, Офис 26, 1

      Санкт-Петербург, Россия

      Телефон: +7 81 21 03 55 65

    • Авира

      Адрес: Ул. Жарова 10 К 307, 153000 Иваново Россия
      Телефон: +7 49 32 32 63 21

    • Азг Дом Упаковки

      Адрес: ул. Августовская, д. 1, 143360 Апрелевка Россия
      Телефон: +7 49 63 41 52 68

    • Базис И К

      Адрес: ул. Марата, 56-58/29, литер А, 1

      Санкт-Петербург, Россия
      Телефон: +7 81 23 40 99 82

    • Бик ПАО

      Адрес: Новолитовская ул., 15., 194100 Санкт-Петербург Россия
      Телефон: +7 812295 17 85

    • Бокс-пицца

      Адрес: Волоколамское ш., 65а, 127282 Москва Российская Федерация Россия
      Телефон: +7 92 68 15 13 45

    • Брянск Упак

      Адрес: Ул Бурова, д 20, 241035 Брянск Россия
      Телефон: +7 48 32 68 63 77

    • Бумснаб

      Адрес: Ул.Федосеенко, 6, 603950 Нижний Новгород Россия
      Телефон: +7 83 12 25 66 81

    • Картонная фабрика

      Адрес: Ул.Сторожевая, 2, 305004 Курск Россия
      Номер телефона: +7 47122281 69

    • Чегем

      Адрес: Ул Набережная, 10, 361400 Чегем Россия
      Номер телефона: +7 86 63 09 19 69

    • Черноморкартон

      Адрес: Ул. Красная, д. 180, 350020 Краснодар Россия
      Телефон: +7 86 12 31 69 19

    • Компания Ассоль ООО

      Адрес: ул. Свердлова, 67, 399610 Лебедянь, Россия
      Номер телефона: +7 47466522 96

    • Компания Профлекс ООО

      Адрес: 123007 Москва, Россия,
      , Хоровшевское шоссе, 38 Номер телефона: +7 495232 56 00

    • Континентальинвест ООО

      Адрес: ул. Селезневская, 11а, 101485, Москва, Россия,
      Телефон: +7 495973 31 04

    • Дигорская Фабрика Гофрокартона Тары

      Адрес: Ул Абаева, 13, 363410 Дигора Россия
      Телефон: +7 86 73 39 11 73

    • Донпак

      Адрес: Ул.Советская, д.1, 142200 Серпухов Россия
      Телефон: +7 49 67 79 01 95

    • Донской Производственный Комбинат

      Адрес: Ул. Мира, д. 37, 356132 с. Московское Россия
      Телефон: +7 86 54 56 52 97

    • Донстрой

      Адрес: Ул.Чехова,165,кв.10, 347935 Таганрог Россия
      Телефон: +7 86 34 46 48 43

    • Дрофа Принт

      Адрес: Ул.Гурьянова,Д.83, кор. 1, 109383 Москва Россия
      Телефон: +7 49 53 53 57 57

    • Экодар Л

      Адрес: Ул.Профсоюзная, д.84/32, 117485 Москва Россия
      Телефон: +7 49 53 33 80 33

    • Электронприбор Комплект

      Адрес: Ул. Новая, д. 55, 3

    Рязань, Россия
    Телефон: +7 49 12 21 04 93

  • Эль Пако

    Адрес: 127473, Москва, Россия,
    , 3-й Самотечный пер., д.11, стр.1, комн. 705 Телефон: +7 49 57 18 71 74

  • Эргос Общество С Ограниченной Ответственностью

    Адрес: пр. Кораблестроителей Д 41 кв 3, 603139 Нижний Новгород Россия
    Телефон: +7 83 12 29 57 52

  • Ермилов

    Адрес: Ул.Свободы, д.71, кор.2, 125481 Москва Россия
    Телефон: +7 49 54 90 88 89

  • Эс Си Эй Пекеджинг Кубань

    Адрес: Ул. Гибридная 2 Краснодарский край, 353760 Тимошевск Россия
    Телефон: +7 86130261 93

  • Фабрика Бумажно Технических Изделий

    Адрес: Ул. Подгорная, д.12, 153491 Иваново Россия
    Телефон: +7 49 32 41 77 48

  • Фабрика картон Моздока

    Адрес: Промышленная, 19, 363750 Моздок, Россия
    Телефон: +7 86 73 62 71 06

  • Фабрика Художественной Упаковки

    Адрес: Ул Куйбышева, 26а, 600026 Владимир Россия
    Телефон: +7 49 22 23 54 59

  • Фабрика Никол Пак

    Адрес: Промплощадка, д 2 Б, Офис 1, 140200 Воскресенск Россия
    Телефон: +7 49 64 44 88 00

  • Феникс Лм ООО

    Адрес: Лазоревый проезд, 1, 129327 Москва, Россия
    Телефон: +7 495180 12 85

  • Фета

    Адрес: Ул.Якорная, д. 7, 195027 Санкт-Петербург Россия
    Телефон: +7 812224 03 23

  • Фирма Атлант I Ко

    Адрес: П Зеленый, Всегингео Дом, 142452 Старая Купавна, Россия
    Телефон: +7 49 65 21 46 30

  • Фирма Киб

    Адрес: Ул.Свободы, д.75, 394030 Воронеж, Россия
    Телефон: +7 47 32 39 32 13

  • Фирма Лекс

    Адрес: Ул Панфилова, д 4, пом 2, 141407 Химки Россия
    Телефон: +7 49 57 97 68 26

  • Фирма Переработка S

    Адрес: С Татариново, Ул Ленина, д 9, 142846 Ступинский район Россия
    Телефон: +7 49 69 66 61 09

  • Фирма Веста

    Адрес: улица Красный Октябрь, д.5а, 249833 Кондрово Россия
    Номер телефона: +7 48 43 42 22 73

  • Фирма Сигма

    Адрес: пр. Научный, д 20, стр 2, 3, 117246 Москва Россия
    Телефон: +7 49 53 35 08 09

  • Флексознак

    Адрес: Ленинградский пр., 35, 125284 Москва, Россия
    Телефон: +7 49 56 14 62 88

  • Фрел

    Адрес: Ул.Липецкая, д.7, кор.1, 115598 Москва Россия
    Телефон: +7 49 59 23 42 19

  • Галактика

    Адрес: Ул.Электродная, 11, 111141 Москва Россия
    Телефон: +7 49 53 06 63 58

  • Гамма Пресс

    Адрес: Пер Студенческий, д.30, 170000 Тверь Россия
    Номер телефона: +7 48 22 48 15 76

  • Геопак

    Адрес: пр. Испытателей, д.14, 141292 Красноармейск Россия
    Телефон: +7 49 65 84 16 95

  • Гофрон

    Адрес: Ул. Клубная, 16, 142900 Кашира Россия
    Телефон: +7 49 66 92 08 54

  • Гофропринт

    Адрес: Пр.Вернадского, д. 113, пом. 4, 117415 Москва Россия
    Телефон: +7 49 57 45 09 51

Политика конфиденциальности | Условия использования | Свяжитесь с нами | © 2017 Copyright EuroListings.Com | 0,01250

89722

Российская больница оштрафована за сокрытие пациента с коронавирусом

Российская больница была оштрафована за сокрытие более 1000 пациентов с коронавирусом ранее этой осенью, а региональные чиновники здравоохранения обвиняют национальные власти в недоразумении.

Суд в городе Уфе в понедельник приговорил Куватовскую республиканскую клиническую больницу к штрафу в размере 200 тысяч рублей (2600 долларов США), признав ее виновной в сокрытии информации о примерно 1414 больных коронавирусом в сентябре.

В Республике Башкортостан, административным центром которой является Уфа, с начала пандемии зарегистрировано 13 446 случаев заболевания Covid-19 и 76 летальных исходов.

Непредоставление больницей информации органу по надзору за безопасностью потребителей Роспотребнадзору, который осуществляет надзор за национальным реагированием на COVID-19, привело к «несдерживаемому» распространению заболевания, цитирует суд государственное информационное агентство РИА Новости.

Адвокаты больницы заявили, что обжалуют это решение.

По аналогичному обвинению в августе был оштрафован врач-эпидемиолог Куватовской больницы, сообщает государственное информационное агентство ТАСС. Больница была закрыта на двухнедельный карантин, а ее главный врач уволен после того, как в апреле у одного из пациентов посмертно был обнаружен Covid-19.

Управление здравоохранения Башкортостана обвинило Роспотребнадзор в том, что он не предоставил больнице безопасный канал для обмена личной информацией пациентов с COVID-19, сообщил во вторник новостной сайт РБК.

«Никакого сокрытия не было», — заявили в администрации.

«Все данные отправлены в Роспотребнадзор, но не в надлежащем виде. Им высылали общие суммы, а Роспотребнадзор требовал персональные данные пациентов», — добавили в ведомстве.

Власти говорят, что число случаев заражения коронавирусом в России почти утроилось с 6,1 до 17,1 на 100 000 человек. Общее число заболевших превысило 2,1 миллиона человек, при этом за последние недели было зафиксировано рекордное количество инфекций и смертей.

Схема синтеза и характеристики тиолированного графена

Реферат

Получение производных графена либо для изменения его физических и химических свойств, либо для решения проблемы легкого синтеза нанографенов является предметом значительного внимания в сообществе исследователей наноматериалов.В этой статье мы предлагаем простой и масштабируемый метод синтеза тиолированного графена посредством двухэтапной жидкофазной обработки оксида графена (GO). При использовании стержневых методов показано введение до 5,1 ат.% тиолов с одновременным повышением отношения С/О до 16,8. На смятие графенового слоя при тиолировании без его перфорации указывают микроскопические и рамановские исследования. Выявлено, что проводимость тиолированного графена управляется прыжковым механизмом Мотта со значениями поверхностного сопротивления, равными 2.15 кОм/кв и зависит от окружающей среды. Приведены предварительные результаты по хемирезистивному действию этих пленок при воздействии паров этанола в смеси с сухим и влажным воздухом. Наконец, анализируются значение работы выхода и структура валентной зоны тиолированного графена. В совокупности разработанный метод и результаты морфологии и физики тиолированного графена определяют дальнейшее применение этого производного в накопителях энергии, сенсорных устройствах и интеллектуальных материалах.

Ключевые слова: 2D материалы, графен, функционализация, производные графена, тиолы, валентная зона, моттовская проводимость, газовый сенсор

1.Введение

Интенсивные исследования превращения оксида графена (ОГ) в первозданные графеновые слои выявили неизбежное введение дефектов и непреднамеренной функционализации, сопровождающие такой процесс, что часто сводит на нет все приложенные усилия [1,2]. Помимо сосредоточения внимания на других подходах к синтезу графена, это также привело к рождению концепции создания отклонений в химии и структуре графена, предназначенных и используемых для управления его свойствами желаемым образом.Будучи гигантской полиароматической молекулой с рядом различных кислородсодержащих групп, способных вступать в реакции замещения, GO идеально подходит для такой цели, превращаясь из мусорного аналога графена в универсальную платформу для синтеза структур на основе графена. В результате за последние годы резко выросло семейство химически модифицированных графенов (ХМГ), ковалентно функционализированных различными группами, содержащими халькогены или пниктогены [2,3,4]. Химическая дериватизация оказалась простым способом создания электронной структуры, переноса заряда, оптического поглощения и реакции материала на внешние воздействия [4,5,6].Было обнаружено, что флюорографен и графан являются широкозонными полупроводниками со значениями сопротивления выше ГОм и шириной запрещенной зоны около 3–3,5 эВ [7,8], тогда как аминирование повышает проводимость восстановленного GO из-за n-легирования из введенных первичных аминов, наряду с локальным снижением значения работы выхода с 4,6 до 4,2 эВ [9]. В зависимости от концентрации и плотности карбонильных или карбоксильных групп для карбонилированных и карбоксилированных производных графена обнаружено изменение проводимости в диапазоне от нескольких сотен Ом до МОм с существенной модификацией валентной зоны [10,11, 12,13].

Кроме того, широко изучается нековалентная модификация графеновых слоев с многоядерными ароматическими кольцами посредством π–π-взаимодействий или ковалентного связывания посредством так называемой «щелчковой» химии. Грин и др. исследовали модификацию графена производными пирена простым смешением их водных суспензий с дополнительной обработкой ультразвуком. Показано, что производные пирена закрепляются на поверхности графена за счет π–π-взаимодействий и дополнительно существенно изменяют смачивающие свойства графеновых слоев за счет наличия полярных функциональных групп, что позволяет предотвратить агрегацию графена в различных растворителях [14].Хорошо зарекомендовавшим себя и высокоэффективным методом модификации графена является его функционализация солями арилдиазония, позволяющая ковалентно присоединять простые алкильные и арильные функциональные группы, а также сложные надмолекулярные структуры, такие как циклодекстрины, краун-эфиры и различные дендримерные структуры [3]. ,4,14,15]. Благодаря индуктивным и мезомерным эффектам присоединенных многоядерных ароматических колец, несущих функциональные группы, концентрация носителей заряда, значение работы выхода, а также спектры поглощения и флуоресценции могут контролируемо варьироваться с помощью такой стратегии дериватизации [4,15,16].Учитывая эти результаты, CMG рассматриваются как предпочтительные материалы для применения в устройствах автоэлектронной эмиссии, фотонных устройствах, таких как насыщающиеся поглотители или оптические ограничивающие материалы, а также в сенсорных устройствах и блоках для разработки интеллектуальных материалов [17,18,19].

Функционализация графена серосодержащими функциональными группами, такими как тиолы или сульфаты, также привлекла большое внимание. Было обнаружено, что введение тиоловых групп контролирует зарождение и кинетическую стабилизацию наночастиц Pt на графене, а также на углеродных нанотрубках (УНТ), что способствует перспективному применению этих наноуглеродных материалов в качестве электродов платина-на-углероде для топливных элементов [20, 21].Благодаря сочетанию проводящей природы и электрохимической реакционной способности тиолов тиолированный графен увеличивает скорость гетерогенного переноса электронов, что является перспективным в безметаллических гибридных электрокатализаторах для восстановления кислорода [22]. В свою очередь, Каннаппан и соавт. продемонстрировали, что тиолированный графен является усовершенствованным электродным материалом для суперконденсаторов, существенно повышающим их характеристики зарядки и разрядки при высокой плотности тока [23]. Это связано с тем, что тиоловые группы препятствуют повторной укладке графеновых слоев и схлопыванию пор при циклировании.

Функционализация тиолами наряду с сульфатными группами также применялась для контролируемой настройки смачивающих, механических и электрофизических свойств слоев графена и других материалов на основе наноуглерода для их последующего применения в функциональных композитах. Было обнаружено, что тиолирование многослойных УНТ методом микроволнового плазмохимического осаждения из паровой фазы улучшает эмиссионные свойства с коэффициентом усиления в сильном поле 1,93 × 10 4 , что делает такие производные УНТ перспективным материалом для вакуумной микроэлектроники [24].Что касается фуллеренов, то тиолирование показало как важное влияние тиолов на сродство к электрону, так и, таким образом, электрохимические свойства фуллеренов, а также определяющие их дальнейшее превращение в отверстия и тиафуллерены с одним атомом серы, включенным в углеродный скелет [25,26]. ]. В то же время тиолированный графен был показан в качестве податливой супергидрофобной губки для разделения нефти и воды [27], активного слоя в многослойных пьезорезистивных датчиках давления [28] и межфазного материала в высокоэффективных полимерных солнечных батареях. клетки [29].Сочетание проводящей природы графенового слоя с электрохимической активностью тиоловых групп по отношению к адсорбции молекул газа или ионов металлов позволило рассматривать тиолированный графен как многообещающий чувствительный слой для химико-резистивных сенсоров [30,31].

Тем не менее, синтез тиолированного графена, сочетающего максимальную концентрацию ковалентно связанных тиоловых групп и восстановленную π-сопряженную графеновую сетку с пренебрежимо малым содержанием кислородных групп, обеспечивающий выгодные электрохимические и электрофизические свойства для практического использования, остается сложным вопросом.Результатом разработанных методов является либо низкое содержание вводимых тиолов, либо плохая степень восстановления обработанного ГО. Одной из наиболее распространенных стратегий является совместная реакция GO с тиомочевиной и бромистоводородной кислотой с последующей обработкой гидроксидом натрия, при которой эпокси и гидроксилы на базисной плоскости сначала превращаются в бромные фрагменты и сразу после этого в тиолы [25,27, 28]. Однако достигнутая концентрация введенных тиолов составила всего около 1,8 ат.% и менее. С другой стороны, концентрация тиола 5.6% было достигнуто Ziółkowski et al. применяя тот же метод, согласно измерениям элементного анализа [30]. Однако недостатком была низкая степень восстановления обработанного ОГ при отсутствии восстановления π-сопряженной графеновой сетки. Обработка GO пентасульфидом фосфора, растворенным в толуоле, была предложена Wrobel et al. как альтернативный путь тиолирования графена, но была достигнута концентрация серы менее 1 ат.% [31]. Точно так же было обнаружено, что восстановление и тиолирование GO путем его обработки гидратом гидросульфида натрия дает высокую степень восстановления с соотношением C / O, равным ок.25–27, но пренебрежимо мала концентрация введенных тиолов менее 1,5 ат.% [26].

Таким образом, эффективный и легко масштабируемый метод синтеза тиолированного графена еще предстоит разработать. В этой статье мы сообщаем о масштабируемом и простом подходе к производству тиолированного графена посредством двухэтапного последовательного бромирования и тиолирования GO. Разделение этих процессов на отдельные стадии по сравнению с обычно применяемым одностадийным подходом позволяет не только повысить степень функционализации за счет более высокой концентрации промежуточных бромных фрагментов, но и добиться эффективного восстановления π-сопряженной сетки графена при Fe-катализируемое бромирование ГО с последующей обработкой тиомочевиной.В результате синтезирован тиолированный графен (rGO–Th), который сочетает в себе наличие до 5,1 ат.% тиолов и высокую степень π-сопряжения с повышением отношения С/О с 2,3 до 16,8. . Используя обилие тиолов и незначительное относительное количество других групп, влияние функционализации тиолов на морфологию графена в нано- и микромасштабах, а также на его электронную структуру и электрофизические характеристики дополнительно исследуется и обсуждается.Этот вопрос часто игнорируется, поскольку основные усилия направлены на успешный синтез тиолированного графена для конкретного применения, в то время как влияние тиоловых групп на физику и химию графена еще далеко не раскрыто. Это ограничивает дальнейший прогресс в разработке свойств графена с помощью тиолирования. В совокупности разработанный метод и подчеркнутое взаимодействие между тиолированием графена и его физикой позволяют продвинуться вперед в дальнейшем использовании этого производного графена в приложениях для катализа, накопления энергии и датчиков.

2. Материалы и методы

2.1. Материалы

Водная дисперсия GO была приобретена у Graphene Technologies (Москва, Россия, www.graphtechrus.com (дата обращения: 20.10.2021). Бромистоводородная кислота (HBr), 48%, гидроксид натрия (NaOH), порошок железа (Fe ), бром (Br 2 ) и тиомочевина были приобретены у Merck KGaA (Дармштадт, Германия), все органические растворители, использованные в работе, были приобретены у ООО «Вектон» (Санкт-Петербург, Россия). аналитическая чистота имеется в продаже.Материалы использовали в том виде, в каком они были получены, без дополнительной очистки.

2.2. Синтез рГО–Th и рГО

Для синтеза рГО–Th из ГО использовали двухстадийный метод.

На первой стадии восстановительное бромирование ГО проводили следующим образом. Водную дисперсию ГО объемом 100 мл с концентрацией 0,1 мас. % заливали во фторопластовую колбу. Затем при перемешивании добавляли порошок силиката натрия до достижения рН = 11 в полученной смеси. Значения рН суспензий оценивали с помощью pH-метра Fisher Scientific Accumet Basic AB15 (Thermo Fisher Scientific, Уолтем, Массачусетс, США).Полученную смесь затем нагревали при T = 80 °С в течение 24 ч на воздухе. Затем полученную смесь охлаждали до комнатной температуры и обильно промывали изопропиловым спиртом, используя стеклянный фильтр с размером пор 40 мкм. Полученный осадок помещали во фторопластовую колбу, в которую добавляли 1 г порошка Fe, а затем капельно добавляли 20 мл Br 2 для предотвращения бурного кипения полученной смеси. Таким образом, полученную реакционную смесь нагревали при T = 80 °С в течение 4 ч с колбой, соединенной с обратным холодильником.Наконец, суспензию охлаждали до комнатной температуры и синтезированный бромированный графен (rGO-Br) обильно промывали деионизированной водой и изопропиловым спиртом с использованием стеклянного фильтра с размером пор 40 мкм.

На втором этапе синтезированный rGO-Br был преобразован в rGO-Th. Водную суспензию rGO–Br объемом 30 мл с концентрацией 0,1 мас. % переливали в стеклянную колбу для смешивания с 900 мг тиомочевины и 4,5 мл HBr. Полученную реакционную смесь нагревали до T = 80 °С в течение 24 ч при перемешивании.После дальнейшего охлаждения до комнатной температуры смесь обогащали 6 мл NaOH с концентрацией 2 М при перемешивании в течение 30 мин при комнатной температуре. Наконец, суспензию многократно промывали изопропиловым спиртом, используя стеклянный фильтр с размером пор 40 мкм, для удаления любых остатков и получения порошка rGO-Th.

Пленки rGO были приготовлены путем термического отжига пленок GO на желаемой подложке при 650 ° C в камере сверхвысокого вакуума, P = 10 -9 Торр, в течение 4 часов.

2.3. CMGs’ Characterization

Для изучения химии, морфологии и электронных свойств синтезированного rGO–Th по сравнению с исходным GO и первичным rGO были получены непрерывные пленки, приготовленные на кремниевых пластинах капельным литьем соответствующей суспензии, 50 –200 мкл объема при 0,01 мас.%, с последующей сушкой в ​​течение ночи при комнатной температуре, T = 25 °С. Методы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и рентгеновской абсорбционной спектроскопии (РАС) были применены, чтобы дать представление о химическом составе исследуемых КМГ.Спектры рентгеновской фотоэлектронной и рентгеновской абсорбционной спектроскопии получены на российско-германской линии пучка (RGBL) накопителя электронов BESSY-II в Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB, Берлин, Германия) с использованием сверхвысоковакуумной экспериментальной станции [32]. . Перед измерениями все образцы помещали в вакуумированную до давления P = 10 −9 Торр камеру на 6 ч для удаления всех адсорбатов. Для каждой исследуемой КМГ были собраны рентгеновские фотоэлектронные и рентгеновские спектры поглощения в трех различных областях образца и усреднены для последующей обработки.

Обзорные рентгеновские фотоэлектронные спектры регистрировались при энергии возбуждения 850 эВ и шаге по энергии 1 эВ, тогда как для спектров остовного уровня эти значения составляли 850 эВ и 0,05 эВ соответственно. Все спектры были получены и уточнены серией из пяти сканирований с последующей коррекцией их положения в соответствии с энергией связи ( BE ) линии Au 4f7/2, BE = 84,0 эВ. В случае низкопроводящих пленок GO положение спектров C 1 s , смещенных в красную сторону из-за эффекта зарядки из-за низкой проводимости материалов, совпадало по направлению их низкоэнергетического максимума с BE = 284.7 эВ, что относится к известному положению sp 2 -гибридизированного углерода [33]. Спектр основного уровня O 1 s был сдвинут к тому же значению BE .

Атомные концентрации элементов рассчитаны по спектрам рентгеновской фотоэлектронной съемки с учетом коэффициентов относительной чувствительности: C = 1, O = 2,93, S(2 p ) = 1,68, Br(3 d ) = 2,84. Программное обеспечение CasaXPS (версия 2.3.16Dev52, Casa Software Ltd., Тейнмут, Великобритания) использовалось для деконволюции и последующей количественной оценки полученных C 1 s уровня ядра, Br 3 d и S 2 p X. -лучевые фотоэлектронные спектры.Спектры были сопоставлены с фоном Ширли и набором функций Гаусса-Лоренца, 70% Гаусса и 30% Лоренца (GL (30)). В случае спектров C 1 s была применена асимметричная лоренцево-конечная форма линии (0,45, 0,85, 200, 750), чтобы соответствовать пику связей C=C из-за присущей ему асимметрии в дополнение к пикам Гаусса-Лоренца [33]. ]. При деконволюции спектров остовных уровней Br 3 d и S 2 p относительная интенсивность пиков внутри каждого дублета 3 d 3/2 и 3 d 5/2 для Br 3 d и 2 p 1/2 и 2 p 3/2 для S 2 p считалось равным 1.4. Процедура деконволюции выполнялась до тех пор, пока не было достигнуто наилучшее соответствие между экспериментальными спектрами и их аппроксимацией путем применения нелинейной процедуры наименьших квадратов. После этого отношения C/O и относительная концентрация атомов углерода в различных состояниях были рассчитаны для всех спектров, полученных для каждого образца, и усреднены для получения отчетных значений.

C K и S L рентгеновские спектры тонкой структуры на ближнем крае получены в режиме полного выхода электронов путем изменения энергии падающего фотона и одновременной регистрации тока стока образца.C K -краевые рентгеновские спектры поглощения сняты в диапазоне hv = 280–315 эВ с шагом 0,1 эВ, а S L – в диапазоне hv = 160– 190 эВ с шагом 0,1 эВ. Измерения проводились при угле падения луча 54,7°. Записанные спектры были дополнительно нормализованы и сглажены в соответствии с обычной процедурой обработки [34].

Спектры комбинационного рассеяния были получены в геометрии обратного рассеяния с использованием Horiba Jobin Yvon {«type»:»entrez-нуклеотид»,»attrs»:{«text»:»T64000″,»term_id»:»667865″,»term_text»:» Спектрометры T64000″}}T64000 и Horiba LabRAM HR 800 (Horiba Jobin-Yvon, Лилль, Франция).В качестве источника возбуждения использовалась линия λ = 532 нм ( E = 2,33 эВ) Nd:YAG-лазера (Torus, Laser Quantum, Inc., Эдинбург, Великобритания). Лазерный луч фокусировался объективом Olympus MPLN 100× ( NA = 0,9) в пятно диаметром менее 1 мкм. Во избежание повреждения образцов мощность лазера на материале ограничивалась 0,4 мВт. При деконволюции полученных спектров учитывали 4–6 пиков, которые соответствуют либо лоренцевским ( D , G , D ′), либо гауссовым ( D 3, D 4, C= O/C=C пики).

Морфологию синтезированного рГО-Th по сравнению с исходным ГО изучали комплексом микроскопических методов. Изображения сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) были получены с использованием микроскопа JSM-7001F (Jeol, Токио, Япония), тогда как для исследований с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) применялся атомно-силовой микроскоп Solver Pro (НТ-МДТ, Москва, Россия). . Изображения просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и картины электронной дифракции (ЭД) были получены с использованием Jeol JEM-2100F (Jeol, Токио, Япония) с межточечным разрешением 0.19 нм при ускоряющем напряжении 200 кВ. Образцы для этих исследований готовили путем осаждения пластинок ГО и рГО-Th из водных и изопропиловых суспензий с концентрацией 5·10 -5 мас.% на поверхность ПЭМ-медных сеток (400 меш).

Ультрафиолетово-видимая спектроскопия (UV-vis) выполнялась на спектрометре Shimadzu-2450 (Shimadzu, Япония) без интегрирующей сферы. Спектры оптической плотности пленок GO и rGO–Th регистрировали в диапазоне λ = 190–950 нм с шагом 1 нм.

Измерения электропроводности rGO-Th в зависимости от температуры проводились с использованием двухэлектродной системы. Пленка rGO–Th наносилась на поверхность кварцевых подложек двумя гребенчатыми Au-электродами толщиной 80 нм, разделенными зазором 250 мкм. Электродная гребенка состояла из 4 пар электродных стержней. Перед измерением поверхностного сопротивления в зависимости от температуры ВАХ записывали при [-2; +2] Диапазон В через пикоамперметр/источник напряжения Keithley 6487 (Keithley Instruments, США) для проверки омического поведения контактов.Для измерения поверхностного сопротивления в зависимости от температуры в диапазоне температур 10–300 К образец rGO–Th устанавливали на холодный палец рефрижераторной системы замкнутого цикла Janis CCS-450, оснащенной криогенным регулятором температуры (LakeShore модель 335, LakeShore Cryotronics, Вестервиль, Огайо, США). Камеру криостата откачивали до высокого вакуума с помощью системы Pfeiffer Turbo Pumping System HiCUBE 80 eco (Pfeiffer, Германия). Измерения напряжения и тока проводились в каждой температурной точке для обоих направлений смещения после достижения температурного равновесия.

Работу выхода (ВР) ОГ, рОГ и рОГ-Т определяли с использованием традиционного подхода, основанного на измерении спектров отсечки вторичных электронов. С учетом этих спектров значения WF были рассчитаны по следующей формуле: e Φ m = − ( E F E SEC ), где SEC , где — энергия фотонов, а E F и E SEC — положения уровня Ферми и порога отсечки, соответственно, оба представлены на шкале кинетической энергии [35].

Измерения спектров валентной зоны проводились одновременно с РФЭС-исследованиями с использованием синхротронного излучения при энергиях падающих фотонов ℏω = 130 эВ и шаге по энергии 0,05 эВ. Для удобства сравнения и устранения стохастического шума все спектры были тщательно сглажены и нормированы на одинаковую интенсивность провала между пиком O 2 s и более высокими спектральными особенностями.

Распределение размеров тромбоцитов GO и rGO-Th также исследовали с помощью метода лазерной дифракции (ЛД).Водные суспензии ГО и рГО-Th концентрацией 0,01 мас. % исследовали на приборе Mastersizer 2000 (Malvern Panalytical, Malvern, Worcestershire, UK) в соответствии с методикой, описанной ранее Рабчинским и соавт. [36].

Измерения динамического рассеяния света проводились для изучения дзета-потенциала GO и rGO-Th в водной среде с использованием прибора Malvern Zetasizer Nano ZS (Malvern Panalytical, Великобритания) при температуре 25 °C. Подобно измерениям LD, водные суспензии GO и rGO-Th, равные 0.01 мас.% концентрации.

Химикорезистивные свойства пленок rGO–Th оценивали путем их размещения на подложке Si/SiO 2 , оснащенной несколькими электродами, в соответствии с ранее опубликованными протоколами [12] методом капельного осаждения пластинок rGO–Th из изопропилового суспензия, 5×10 -5 мас.% конц. Межэлектродное расстояние для измерения сопротивления материала составляло 50 мкм. Для первичных испытаний в качестве анализируемого газа были выбраны пары этанола, которые затем смешивались с фоновым сухим и влажным воздухом и служили эталоном, близким к реальным практическим применениям в отличие от N 2 .Подробное описание измерительной установки представлено в дополнительных материалах, раздел S1, рисунок S1. Химирезистентный ответ рассчитывали как относительное изменение сопротивления в процентах:

S=Reth-RairRair·100%,

(1)

где R воздух — сопротивление пленки на фоне воздуха, а R eth — сопротивление пленки в воздухе, обогащенном аналитами. Пары подавались из соответствующей жидкости квалификации ч.д.а. путем барботирования в проточном режиме с расходом 400 см3/мин, управляемым высокоточными регуляторами массового расхода.

3. Результаты

3.1. Химия rGO–Th

a отображает обзорные рентгеновские фотоэлектронные спектры исходных GO, rGO–Br и rGO–Th, дающие представление об элементном составе этих КМГ. Спектр GO состоит исключительно из линий O 1 s и C 1 s с BE s 532,5 эВ и 284,7 эВ соответственно, что означает отсутствие загрязняющих частиц. Преобладание линии основного уровня O 1 s предполагает высокую степень окисления исходного GO с расчетным отношением C / O, равным ок.1.9. При применении восстановительного бромирования сигнал O 1 s резко уменьшается, в то время как появляются оба пика Br 3 p с BE 70,5 эВ и дублет Br 3 p с центром при 185,5 эВ, что свидетельствует об успешном удалении кислорода. группы и их частичное замещение бромными фрагментами. Атомная концентрация соединений брома, полученная из количественного анализа спектра, оценивается примерно в 5,9 ат.%. Чтобы дополнительно проверить ковалентную связь введенного брома с графеновой сеткой, спектр высокого разрешения Br 3 d был исследован после деконволюции (b).Различают два дублета: C–Br (3 d 3/2 ) и C–Br (3 d 5/2 ) дублет с BE s 70,0 эВ и 71,1 эВ, соответствующий брому атомы, ковалентно связанные с углеродом [37,38]; и Br (3 d 3/2 ) и Br (3 d 5/2 ) дублет с физисорбированных ионов брома [38,39]. Относительные концентрации связанного и физисорбированного брома, полученные из сравнения относительных площадей соответствующих дублетов, составляют 92% и 8% соответственно.Соответственно, концентрация частиц C-Br составляет около ~ 5,43 ат.%, что является одним из самых высоких зарегистрированных значений [37, 38, 39, 40].

Рентгенофотоэлектронное исследование химического состава КМГ. ( a ) Обзорный и ядерный ( b ) Br 3 d , ( c ) S 2 p , ( d ) C 1 s Рентгеновские спектры GO, rGO–Br и rGO–Th.

При переходе от rGO–Br к rGO–Th в обзорном спектре отмечается практически полное исчезновение пика Br 3 d с одновременным подъемом пары пиков с BE s of 163.7 эВ и 233,1 эВ, которые исходят от линий основного уровня S 2 p и S 2 s соответственно [29,41]. Количественный анализ дает атомную концентрацию S, которая составляет 5,93 ат.%, что превышает значения для тиолированных производных графена, опубликованные до настоящего времени [23, 27, 28, 42]. Наличие едва различимого пика Br 3 d обусловлено сохранением следов менее ок. 0,13 ат.% высокостабильных частиц C-Br, которые остаются на краях графеновой сетки.Анализ спектров высокого разрешения S 2 p после его деконволюции показал, что фрагменты серы в основном представлены тиолами или дисульфидами, что проявляется в присутствии S (2 p 3/2 ) и S (2 p 1/2 ) дублет с центром BE с 163,8 эВ и 165,0 эВ соответственно [23]. Кроме того, незначительный вклад серы, связанной с кислородом, такой как сульфаты или сульфиты, проявляется в наличии различимого дублета SO x 2– (2 p 3/2 ) и SO x 2− (2 p 1/2 ) с BE с из 168.3 эВ и 170,5 эВ соответственно [31]. Учитывая соотношение между площадями соответствующих дублетов, относительное содержание тиолов или дисульфидов оценивается в 86% с соответствующей атомной концентрацией прибл. 5,10 ат. %, тогда как остальные 14 % сернистых фрагментов, или 0,83 ат. %, представляют собой окисленные формы серы.

Обработанные рентгеновские фотоэлектронные спектры C 1 s , приведенные далее в d, указывают на то, что бромирование и тиолирование исходного ОГ сопровождается интенсивным отщеплением кислородных групп от базисной плоскости и краев графенового слоя.обобщены количественные данные о составе исследуемых КМГ, полученные из обработанных спектров C 1 s . Исходный GO в основном покрыт гидроксилами и эпоксидами, на что указывает заметный пик C-OH&C-O-C с BE 286,8 эВ, который сопровождается присутствием кетонов и карбоксилов по краям, которые выражены в C 1 s спектров с пиками C=O и COOH с центрами при 288,1 эВ и 289,0 эВ соответственно [10,12,43]. Относительная концентрация этих форм кислорода равна 37.3 ат.%, 4,26 ат.% и 1,26 ат.% соответственно, что дает соотношение С/О 2,3. Это значение несколько выше оцененного по обзорному спектру из-за дополнительного влияния интеркалированной воды на сигнал O 1 s в последнем случае, что несколько снижает отношение С/О.

Таблица 1

Состав функциональных групп (ат. %) и соотношение C/O в GO, rGO–Br и rGO–Th, полученные из обработанных спектров C 1 s .

+ +
C-V C-C C-C C-C = C C-C = C C-C C-OH C-OH C-O-C C = O COOH / -SO x 2- C- Br/C–S Отношение C/O
Энергия связи (эВ) 283.9 284,7 285,1 286,8 288,1 289,0 286,1
ГО 1,16 50,62 5,40 37,30 4,26 1,26 2,3
RGO-Br 2,42 89,43 <0.01 <0.01 2,68 0,04 5,43 37,8
рГО–Т <0.01 89.39 1,67 1,67 1. 0,01 2.25 5.23 5.23 16.8

После бромирования пики C = O и Cooh были опущены, в то время как пик C-OH & C-O-C стал нерешимым против новой спектральной особенности с центром в BE 286,1 эВ, соответствующей разновидностям C-Br [39]. Площадь пика C–Br была ограничена таким образом, чтобы расчетная концентрация ковалентно связанного брома в спектре C 1 s была равна концентрации, полученной из обзорного спектра, что подразумевает самосогласованность примененной деконволюции. модель.Из-за восстановления кислородных групп и сохранения только 2,68 ат.% кетонов отношение С/О в rGO–Br увеличилось примерно до ок. 37.4. В то же время последующая конверсия rGO-Br в rGO-Th приводила к снижению отношения C/O до 16.8 с повторным подъемом пика COOH. Этот эффект обусловлен введением сульфатных и сульфитных групп вместе с тиолами, на что указывает анализ спектра остовного уровня S 2 p . Вызывая почти тот же химический сдвиг, что и карбоксильные группы, из-за сравнимого электроноакцепторного эффекта, частицы SO x 2− обеспечивают рост спектральной характеристики при BE с 289–289.4 эВ и незначительное дополнительное увеличение O в rGO-Th по сравнению с rGO-Br. Изменения в составе функциональных групп, покрывающих базисную плоскость и края графенового слоя, также отражаются изменениями значений дзета-потенциала ОГ и rГО-Th. При превращении ГО в rGO-Th с отщеплением отрицательно заряженных диссоциирующих кислородных групп дзета-потенциал возрастает с -60,1 мВ, что соответствует ранее опубликованным значениям [44], до -37,1 мВ. Это значение все еще ниже, чем обычно получаемые значения для исходного rGO, равные -15–20 мВ [45], и связано с влиянием введенных тиоловых групп.

Тем не менее, rGO-Th по-прежнему обладает высокой степенью восстановления, сравнимой с обычно сообщаемыми значениями для первичных rGO [43,46]. Рекуперация π-сопряженной графеновой системы определяется преобладанием и асимметрией пика C=C с BE 284,7 эВ, относящегося к π-связанным атомам углерода. Асимметрия пика возникает из-за экранирующего действия π-сопряженной системы при фотоионизации электронов графеновой сетки и генерации электронно-дырочных ( e h ) пар [47].В то же время два других пика нефункционализированных атомов углерода, а именно пик C–V с центром при 283,9 эВ и пик C–C с BE при 285,1 эВ, относятся к несопряженным атомам углерода и нетерминированным атомы углерода на краях вакансий вносят незначительный вклад [48].

Восстановление электронной структуры графена в rGO-Th дополнительно подтверждается сравнительным анализом соответствующих C K рентгеновских спектров поглощения, представленных в a.Преобразование GO в rGO–Th приводит к развитию резонанса C 1 s -π* при hv = 285,1 эВ, который развивается из электронных переходов в связях C=C в нетронутых sp 2 -доменов [47]. Он смещается от hv = 284,8 эВ к hv = 285,1 эВ с увеличением его отношения к σ*-резонансу решетки графена (C 1 s -σ* пик) от 0,57 до 0,86. Не отмечается уширения C 1 s -π* (C=C) резонанса, обычно наблюдаемого в случае наличия локализованных sp 2 -доменов различных размеров с различной длиной сопряжения [ 12,49].Наоборот, эволюция резонанса C 1 s -π* сопровождается появлением σ*-экситонного резонанса с центром hv = 291,65 эВ, что является общим признаком полной рекуперации протяженных сопряженных доменов. графеновой сети [50,51]. В то же время C 1 s -π* резонансы крайних гидроксилов при hv = 286,2 эВ [C 1 s -π* (C-OH(e))] и кетонов/карбоксила группы при hv = 288,2 эВ (C 1 s -π* (C=O, COOH)) исчезают или уменьшаются, что подтверждает удаление кислородных групп, указанное в исследованиях РФЭС.

Химия и строение рГО–Th. ( a ) C K -край и ( b ) S L -край Рентгеновские спектры поглощения исходного GO и rGO-Th. ( c ) Схематическое изображение rGO–Th. ( d ) Спектры КР исходного ГО и рГО-Th.

S L -край Рентгеновский спектр поглощения был также собран, чтобы углубиться в состав введенных соединений серы (b). Полосы поглощения, относящиеся к переходам 2 p 3/2 → σ*(SH) и 2 p 3/2 → σ*(SC) с центром при hv = 165.4 эВ и hv = 166,7 эВ соответственно [52]. В сочетании с наличием полосы поглощения при hv = 167,4 эВ, состоящей из смеси 2 p 1/2 → σ*(SH) и 2 p 1/2 → σ*(S-C ) резонансов, спектр рентгеновского поглощения S L -край подтверждает предполагаемое присутствие тиолов. Кроме того, частицы серы с дисульфидной связью проявляют себя наличием σ*-резонансов, расположенных при hv = 164.1 эВ, hv = 171,7 эВ и hv = 178,9 эВ [53]. Происхождение различимых полос поглощения при hv = 174,7 эВ и hv = 183,7 эВ менее однозначно и связано с переходами либо в молекулярные состояния σ*(S-O), либо в пустые состояния S 3 d [54,55]. ], таким образом, просто предполагая вышеупомянутое присутствие определенного количества сульфатов или сульфитов. Наблюдаемое отсутствие на зависимости интенсивности полос поглощения тиолов, дисульфидов и серно-кислородных форм обусловлено затрудненной связью между числом определенного фрагмента и относительной интенсивностью соответствующей полосы поглощения как последовательности сильных влияние ориентации и поперечных сечений соответствующих орбиталей, а также сложной природы фона [49,50].

Таким образом, с учетом результатов РФЭС и РФА показано, что рГО-Th состоит из обширных участков π-сопряженной сети, локально функционализированных преимущественно тиоловыми и дисульфидными фрагментами с пренебрежимо малым содержанием сульфатов/сульфитов и оставшимися кислородными группами. c подчеркивает ключевые особенности химии синтезированного rGO-Th.

3.2. Морфология и структура rGO–Th

Для оценки влияния изменений в химическом составе при превращении GO в rGO–Th на морфологию и структуру материала были проведены исследования по спектроскопии комбинационного рассеяния.г — спектры комбинационного рассеяния с деконволюцией исходных пленок GO и rGO-Th. В спектрах преобладают полосы D , D 3 , G , D ′ и C=O/C=C с центрами v = 1350 см -1 , v 9244 см -1 , v = 1600 см -1 , v = 1626 см -1 и v = 1740 см -1 соответственно. Полоса G происходит от дважды вырожденной колебательной моды E 2g вдоль связей C–C, тогда как полосы D и D ′ соответствуют полносимметричной колебательной моде sp 2 — гибридизированный углерод графеновой сетки.Обе полосы D и D ′ указывают на дефектность графенового слоя, поскольку соответствующее рассеяние фононов с ненулевым волновым вектором требует наличия дефекта в соответствии с фундаментальным правилом отбора спектров КР [56]. Происхождение полосы D 3 обычно связывают с наличием аморфного углерода [57], тогда как природа полосы C=O/C=C может быть связана либо с модой колебаний бензольных колец, либо со связями C=O в кетонах. и эфиры [58,59].

При восстановлении и функционализации ГО тиолами спектр КР существенно изменяется: полная ширина на половине высоты полосы D значительно уменьшается со 120 см -1 до 96 см -1 , D 4 появляется полоса с центром v = 1150 см -1 , тогда как полоса G разделяется с подъемом полосы G ‘, расположенной прибл. v = 1626 см −1 . Наблюдаемое сужение полосы D указывает на увеличение протяженности π-сопряженных областей [60], что подтверждается увеличением интенсивности полосы D . В частности, эволюция полосы D носит немонотонный характер: в первую очередь полоса D растет, но далее начинает уменьшаться из-за более высокой степени дискордантности и, наоборот, для рекуперации графеновой сетки [61]. Поскольку интенсивность полосы D ′ обратно пропорциональна содержанию sp 3 -гибридизированного углерода, ее появление свидетельствует об отщеплении преобладающего числа кислородных групп, хотя все же свидетельствует о введении вакансионных дефектов графена. края, или складки [62].Природа полосы D 4 менее однозначна и объясняется либо наличием полиеновых цепей, sp 3 -гибридизированного углерода, либо функционализацией различными группами, такими как амины [63,64,65]. Учитывая отсутствие этой полосы в спектре ГО и введение тиолов, последняя интерпретация считается наиболее актуальной, хотя этот вопрос требует дальнейших исследований.

Микроскопические исследования еще раз подтверждают различие в морфологии между изученными CMG, подтвержденное спектроскопией комбинационного рассеяния.отображает типовые изображения SEM, AFM и TEM вместе с картинами ED GO и rGO-Th. Обе ЦМГ состоят из отщепов неправильной формы с заостренными краями и отсутствием выраженной латеральной анизотропии. Латеральный размер как исходного GO, так и rGO-Th находится в диапазоне 3–40 мкм при среднем эквивалентном диаметре 6–8 мкм, как видно на изображениях СЭМ и АСМ (а–г), в сочетании с распределением по размерам измерения методом LD (дополнительные материалы, рисунок S2).Было обнаружено, что толщина GO и rGO-Th составляет ок. 1,4 нм и 2 нм соответственно, что подтверждает монослойный характер обоих производных графена с учетом превышения заявленной толщины 0,8–1,1 нм из-за наличия модифицирующих групп на базисной плоскости [66, 67]. Небольшое превышение толщины rGO–Th над GO может быть связано как с различием во взаимодействии функциональных групп с иглой АСМ в полуконтактном режиме, так и с остаточным слоем растворителя на границе чешуйка/подложка.Что касается морфологии чешуек GO и rGO-Th, плотность соответствующих пленок оценивается в 0,74 г/см 3 и 1,3 г/см 3 соответственно. Также из-за межслойной дисульфидной связи (-S-S-) и π–π-взаимодействия между восстановленными участками π-сопряженной сети без обработки ультразвуком более нескольких часов тромбоциты rGO–Th склонны к стопкообразованию, образуя ламеллярные частицы из нескольких слоев. (б).

Микроскопические исследования морфологии исходного ГО и рГО-Th.( a , b ) SEM и ( c , d ) АСМ изображения тромбоцитов GO и rGO-Th соответственно. Вставка — высотный профиль, измеренный по линии 1. ( e , g ) ПЭМ-изображения и ( f , h ) ЭД-картины GO и rGO-Th соответственно.

Однако, несмотря на указанное сходство в строении пластин, отмечается интенсивное гофрирование графенового слоя при превращении ОГ в ВОГ-Т. Пластинки ГО, изначально плоские и выровненные по поверхности кремниевой пластины (а, в), сминаются после удаления кислородных групп и введения тиолов с большим количеством неупорядоченных складок, протянувшихся по всей поверхности ( б, г).Средняя высота таких складок составляет около нескольких десятков нм. Утверждается, что продемонстрированное сморщивание происходит из-за деформации, вызванной функционализацией базисной плоскости изолированными серосодержащими группами. Это подтверждается сравнением СЭМ-изображений rGO-Th с изображениями rGO-Br, в которых отдельные виды брома покрывают слой графена (дополнительные материалы, рисунки S3 и S4). Аналогично rGO-Th, rGO-Br демонстрирует гофрированную структуру с изогнутой формой графеновых пластин из-за деформации, вызванной неравномерной функционализацией соединениями брома, вызывающими искажение решетки графена.Учитывая отсутствие ковалентной связи между частицами брома, кривизна пластинок rGO-Br еще выше по сравнению с rGO-Th, способным взаимодействовать с образованием дисульфидных связей, что немного выравнивает и уплощает графеновый слой. Напротив, в ГО большое количество кислородных групп равномерно и в шахматном порядке распределено по обеим сторонам слоя, компенсируя индуцированные внеплоскостные искажения друг друга. В сочетании с электростатическим отталкиванием между кислородными группами это приводит к квазиплоской конфигурации графенового слоя [68,69].

Это утверждение дополнительно подтверждается сравнением изображений ПЭМ и картин ЭД GO и rGO-Th. Аналогично СЭМ и АСМ, ПЭМ-изображение ГО с малым увеличением, представленное в виде е, свидетельствует о его плоскостной структуре без каких-либо разрывов и складок. Соответствующая картина ЭД (е) представлена ​​единым набором из шести резких (10) и (11) дифракционных максимумов с различимой (20) дифракционной картиной, которые в совокупности указывают на дальний кристаллический порядок при отсутствии значительных искажений слой графена, а также подтвердить монослойную природу пластинок ГО [70].В свою очередь, на ПЭМ-изображении rGO-Th, показанном в g, показано большое количество складок, аналогично складкам в тромбоцитах rGO-Br (дополнительные материалы, рисунок S5a). Заметное сморщивание rGO-Th, а также rGO-Br в наномасштабе сопровождается трансформацией картины ЭД в кольцеобразную за счет ротационного смещения стопочных складок и складок графеновых слоев. В случае rGO-Br дифракционные пятна все еще остаются различимыми (Дополнительные материалы, рисунок S5b), тогда как для rGO-Th дифракционные пятна почти полностью слились в кольцо.Наряду с изображениями ПЭМ это свидетельствует о большей плотности наноразмерных складок в rGO-Th по сравнению с rGO-Br из-за более высокой концентрации тиолов. В то же время не наблюдается диффузии и размытия кольцеобразных дифрактограмм, неизбежно сопровождающих снижение дальнего порядка решетки графена в атомном масштабе [71], при сохранении обнаруживаемой (20) дифракционная картина. Учитывая отсутствие отверстий или разрывов, указанных на полученных ПЭМ-изображениях, эти результаты означают, что, помимо образования складок, графеновая сетка в rGO-Th сохраняет высокое структурное качество с дальним порядком, что совпадает с результатами исследования. XAS-анализ.

3.3. Оптика rGO–Th

По-видимому, помимо изменения морфологии графенового слоя, большой интерес с точки зрения возможного применения rGO–Th в области катализа, накопления энергии, датчиков и оптоэлектронных устройств. а показаны УФ-видимые спектры rGO–Th по сравнению со спектром исходного GO, который состоит из основной полосы поглощения при λ = 230 нм электронных переходов π–π* в связях C=C и плеча с центром при λ = 304 нм, что соответствует переходам n–π* в связях C=O с практически полным отсутствием поглощения в видимом диапазоне [68,72].При удалении кислородных групп и восстановлении протяженной π-сопряженной сетки графена оптическое поглощение в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах спектра резко возрастает, а пик 230 нм смещается в красную сторону до ~270 нм, или E = 4,46. эВ, что близко к известному значению π-плазмона в графене с энергией ок. 4,5–4,6 эВ [73]. В то же время полоса поглощения, появившаяся при λ = 304 нм, уменьшается и обычно интерпретируется как результат отщепления кетонов и карбоксильных групп, хотя недавно было показано, что отсутствие этой полосы поглощения не зависит от концентрации этих кислородных групп. группы [12,74].В то же время никаких дополнительных полос поглощения, которые могли бы возникнуть за счет функционализации серными группами, не отмечается, при этом оптическое поглощение rGO–Th равно поглощению исходного rGO.

Оптические и электрофизические свойства rGO–Th. ( a ) УФ-видимые спектры исходного ГО и рГО-Th. ( b ) График зависимости сопротивления от температуры в полулогарифмическом масштабе. Вставка — ВАХ, измеренная при Тл = 300 К. ( c ) График удельного сопротивления ln R в зависимости от Тл −1/3 .Символы — это экспериментальные точки, а сплошная линия соответствует приближению T −1/3 . ( d ) График приведенной энергии активации (Вт) в зависимости от температуры (Т) в логарифмической шкале; линии, соответствующие p = 1/2 и p = 1/3, отображаются в качестве сравнительного ориентира для глаз.

3.4. Электронные свойства rGO–Th

Для дальнейшей оценки механизма и значений проводимости rGO–Th было проведено двухзондовое измерение поверхностного сопротивления в широком диапазоне температур 10–300 K.b показывает график зависимости сопротивления от температуры в полулогарифмическом масштабе, измеренный для пленки rGO-Th толщиной 150 нм. Омический контакт между пленкой и измерительными электродами проверяли по линейной зависимости напряжения ( В ) от тока ( I ), полученной в диапазоне от −2 В до +2 В. Поверхностное сопротивление rGO–Th слой при комнатной температуре составляет ~ 2,15 кОм/кв.м, что почти соответствует величине, сообщаемой для традиционно синтезированных первичных rGO [75,76].В свою очередь, при переходе к низким температурам поверхностное сопротивление быстро возрастает почти на четыре порядка, что свидетельствует о полупроводниковом характере пленки rGO–Th, в которой транспорт электронов определяется механизмом переменного прыжка (VRH) в соответствии со следующим выражением 77]:

где R 0 — предфактор, T 0 — характеристическая температура, а p — характеристический показатель, значение которого отличает разные типы механизма VRH [77,78,79].В зависимости от структурного качества и параметров функционализации, в различных CMG ранее различались механизмы проводимости с переменным диапазоном Мотта (Mott-VRH) и Эфроса-Шкловского (ES-VRH) [76,78,79]. Используя общий подход для определения типа механизма VRH путем построения графика зависимости ln R от T −1/3 (Mott-VRH) или T −1/2 (ES-VRH), Механизм Mott-VRH был утвержден для rGO-Th, поскольку экспериментальные данные почти полностью соответствуют поведению T -1/3 (c).Однако разница между T −1/3 и T −1/2 не столь существенна. В некоторых недавних статьях сообщается, что аналогичные экспериментальные данные соответствуют обеим кривым T -1/3 и T -1/2 , что делает точный анализ прыжковой проводимости чрезвычайно сложным [80]. Поэтому для более точного анализа типа механизма VRH была рассмотрена безразмерная энергия активации W, полученная как: )

Значение p в этом случае получается из наклона ln W против ln T участок, как показано в d. Представленная кривая демонстрирует, что данные правильно следуют линии p = 1/3, при этом значение p , оцененное по наклону, составляет ок. 0,31. С учетом этих результатов определен механизм проводимости Mott-VRH для образцов rGO-Th, что дополняет результаты спектроскопии и микроскопии о достаточно высоком структурном качестве и восстановлении π-сопряженной графеновой сетки после функционализации.

Исследовано также влияние тиоловой функционализации на работу выхода графена и структуру валентной зоны.а отображает спектры отсечки SE исходного GO, исходного rGO и rGO-Th. Расчетные значения для двух бывших CMG составляют 6,1 эВ и 4,3 эВ, что хорошо согласуется с литературными данными [81,82]. В свою очередь, значение ВФ для rGO–Th несколько промежуточно между значениями GO и rGO и равно 4,5 эВ. Это связано с электроноакцепторным эффектом атомов серы в тиоловых группах, который в сочетании с большим удлинением рекуперированной π-сопряженной системы приводит к несколько более высокому WF rGO-Th.Примечательно, что, в отличие от функционализации графена аминами, было продемонстрировано снижение WF графеновых слоев из-за электронодонорного эффекта ароматических аминов [9,83].

Анализ электронной структуры rGO–Th по сравнению с другими CMG. ( a ) Спектры SE отсечки исходного GO, rGO и rGO-Th. ( b ) спектры ВБ и ( c ) их вторая производная (−d 2 I /d E 2 ) исследуемых КМГ.

3.5. Структура валентной зоны rGO–Th

По сравнению со значением WF не обнаружено значительного влияния функционализации графена тиолами на структуру VB. Это контрастирует с недавно обнаруженным введением новых локализованных состояний, связанных с молекулярными орбиталями кетонов и карбоксильными группами, при модификации краев графенового слоя соответствующими функциональными группами [84]. В случае rGO–Th структура ВБ практически полностью соответствует структуре исходного rGO (б).Это хорошо видно из сравнительного анализа их вторых производных, взятых с обратным знаком и отображенных в c, что позволяет выявить уширенные, перекрывающиеся спектральные особенности и точно определить их положение [85]. Как в спектрах rGO, так и в спектрах rGO-Th VB преобладает широкая полоса J с центром на BE ок. 6,2 эВ, приписываемые электронным состояниям 2 p -σ графеновой сетки, которые сдвинуты в случае GO до ок. 6,8 эВ из-за локализации π-сопряженных доменов присутствием гидроксилов базисной плоскости и эпоксидов [86].Кроме того, набор максимумов плотности состояний графена (DOS), обозначенных как D , E и F и расположенных на уровне Bes ок. 13,8 эВ, 17,0 эВ и 19,8 эВ, соответственно, различаются как в образцах rGO, так и в образцах rGO–Th и относятся к K1+(σ3) для признака D , конвергентным состояниям K3+(σ3) и M1u+(σ2) для признака E и M1g+(σ1) для признака F [86,87]. Наконец, наблюдаемый пик Z на BE из 24.8 эВ и пик C на BE на 10,1 эВ увеличиваются в полученных спектрах. Первая связана с линией C 1 s , возбуждаемой фотонами с энергией 390 эВ за счет неполностью затухающей дифракции третьего порядка, а вторая связана с электронными состояниями связей σ(C=O) в кетонах и карбоксильные группы [84]. Стоит отметить, что пик C ′ с центром 11,1 эВ в спектре ГО ВБ обусловлен смешением упомянутых выше состояний связей σ(C=O) в кетонах и карбоксильных группах с состояниями π(O-C-O ) и σ(OH) в карбоксилах, которых много в сильно окисленной GO.Несмотря на это сходство, следует выделить и некоторые изменения. В частности, заметная особенность A ′ с центром в BE ~3,2 эВ, приписываемая вкладу π-состояний (Q2u-) графеновой сетки, видна в спектре rGO VB [88], но отсутствует в спектре rGO VB [88]. рГО – Th. Следовательно, несмотря на высокую степень рекуперации π-сети графена в rGO–Th, она все же ниже, чем в пленках rGO, полученных высокотемпературным отжигом, вероятно, из-за локального нарушения π-сопряжения введенным тиолом. группы.В то же время не отмечено признаков пика G′, расположенного на BE 27,5 эВ и относящегося к состояниям, происходящим от O 2 s атомных орбиталей кислородных групп, что подтверждает высокую степень восстановления ОГ при воздействии метод тиолирования.

3.6. Хеморезистивный эффект в rGO-Th

Обнаруженные функциональные возможности позволяют использовать эти пленки rGO-Th в газовых сенсорах химико-резистивного типа [89]. Как подробно описано в разделе 2, пленка rGO–Th была помещена на диэлектрическую подложку с электродами в герметичной камере для измерения сопротивления в условиях, близких к комнатной температуре, с T = 40 °C, которые должны поддерживаться меандровыми нагревателями, расположенными на субстрат.Нагрев до таких температур подтвердил отсутствие влияния окружающих условий на химико-резистивные свойства пленки. Метод осаждения обеспечивал хороший омический контакт между пленкой rGO–Th и электродами, о чем свидетельствует линейный характер ВАХ, представленный на а. Это обеспечивало отсутствие значительных потенциальных барьеров на контакте, которые могли бы маскировать сопротивление самой пленки. Наблюдаемые значения сопротивления лежат в диапазоне низких кОм.

Химикорезистентность пленки rGO–Th.( a ) ВАХ, снятая при обоих направлениях постоянного электрического поля в условиях сухого воздуха; на вставке показана измерительная электрическая схема. Вставка — схематическая модель измеряемого чипа газового датчика. ( b ) Переходный процесс сопротивления, зарегистрированный при воздействии паров этанола различной концентрации C в диапазоне 500–16 000 ppm при смешивании с сухим воздухом (верхняя кривая) и влажным воздухом (отн. влажность 25%, нижняя кривая). ( c ) Зависимость химико-резистивного ответа от концентрации этанола в сухом и влажном воздушном фоне.Измерения проводятся при температуре 40 °C, чтобы избежать колебаний температуры окружающей среды.

При воздействии на пленку паров этанола сопротивление неуклонно возрастает по сравнению с условиями чистого воздуха, аналогично химико-резистивному эффекту, часто наблюдаемому в слоях графена или оксида графена [12,31,89]. На рисунке b показан типичный переходный процесс R ( t ), зарегистрированный при воздействии этанола, смешанного с сухим (0 % относительной влажности) или влажным (25 % относительной влажности) воздухом в течение 60 минут, прерываемым промежуточной продувкой воздухом.Концентрации этанола варьировали в диапазоне 500–16 000 частей на миллион, дважды повторяя воздействие паров каждой концентрации на пленку. Как видно, как в сухом, так и во влажном воздухе сопротивление зависит от концентрации этанола с некоторым остаточным дрейфом фона. Химикорезистентность к этанолу во влажном воздухе почти в два раза ниже по сравнению с сухим воздухом. Мы утверждаем, что это связано с одновременной адсорбцией молекул этанола и воды на rGO-Th, что ограничивает взаимодействие между этанолом и тиолированным графеном и снижает химико-резистивный отклик.

Примечательно, что как в сухом, так и во влажном воздухе сопротивление падает почти до исходных значений после воздействия высоких концентраций до 16 000 ppm без какого-либо внешнего воздействия, а именно нагревания или УФ-облучения. Химирезистентный ответ, оцененный в соответствии с уравнением (1), нанесен на график в зависимости от концентрации этанола в c. Экспериментальные данные следуют изотерме Фрейндлиха типа S~Cn, где n равно 0,51 ± 0,02 для сухого воздуха и 0,67 ± 0,04 для влажного воздуха. Для сравнения данных, полученных в сухом воздухе, с литературными рассматривали коэффициент чувствительности, рассчитываемый как S/C, дающий значения в диапазоне от 1.от 24 × 10 −3 %/млн при низких концентрациях газа до 0,20 × 10 −3 %/млн при концентрациях в несколько десятков тысяч ppm. Расчетный коэффициент чувствительности ниже, чем те, которые наблюдались ранее в тиол-функционализированных пленках rGO, но взяты на фоне N 2 , который улучшает характеристики восприятия [31]. Учитывая продемонстрированную функциональность тиолированного графена в воздушной среде и его воспроизводимые характеристики при воздействии исключительных концентраций целевого газа, пленки rGO-Th могут быть перспективными для дальнейших испытаний по разработке датчиков газа при комнатной температуре для обнаружения утечек в реальных условиях воздуха. .

Вклад авторов

Концептуализация, М.К.Р.; курирование данных, M.K.R., I.A.E., D.Y.S. и М.Б.; формальный анализ, М.К.Р., И.А.Э., Д.Я.С. и М.Б.; расследования, В.В.С., С.А.Р., И.А.Э., Д.Ю.С., Г.А.А., Н.С.С., Д.А.К., С.И.П., М.Э.П., М.В.М., О.Е.К., А.С.В. и МАС; методология, М.К.Р., И.А.Э. и М.Б.; администрирование проекта, О.Е.К. и P.G.G.; надзор, В.В.С. и П.Н.Б.; визуализация, М.А.С.; написание — первоначальный вариант, М.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.